半导体模块和半导体模块的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体模块和半导体模块的制造方法，能够提高半导体模块的冷却效果。在绝缘板（１０）的下表面上接合金属箔（１１），在绝缘板（１０）的上表面上接合金属箔（１２），在金属箔（１２）的上表面上接合半导体元件（１４、１５）。在金属箔（１１）的下表面的上侧，以树脂盒（２０）包围金属箔（１１）、绝缘板（１０）、金属箔（１２）和半导体元件（１４、１５），在树脂盒（２０）的内表面与金属箔（１１）的外周端面、以及绝缘板（１０）、金属箔（１２）和半导体元件（１４、１５）的各自的外表面的一部分之间填充有环氧树脂（３０）。而且，由金属箔（１１）的下表面和从树脂盒（２０）露出的环氧树脂（３０）形成能够与冷却体（４０）紧贴的平坦面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及搭载 有功率半导体元件的。
技术介绍
在逆变器装置、不停电电源装置、工作机器、产业用机器人等中， 与其本体装置独立地使用半导体模块。该半导体模块的主流结构是将具有规定厚度的金属基板作为基 体，在金属基板上搭载有功率半导体元件的封装型的结构(例如，参照专利文献l)。例如，图7是将金属基板作为基体的半导体模块的示 意图。该半导体模块100，将几毫米厚的金属基板101作为基体，在金属 基板101上隔着焊料层102接合有金属箔103。而且，在金属箔103 的上面接合有绝缘板104，在绝缘板104的上面接合有金属箔105、 106。 进一步，在金属箔105、 106的上面隔着焊料层107、 108接合有半导 体元件109、 110。这里，半导体元件109、 110例如为IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)元件，FWD (Free Wheeling Diode:高速二极管)元件等。进一步，在半导体元件109、 110的上 面隔着焊料层lll、 U2接合有散热体113、 114。而且，以包围半导体 元件109、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体模块，其特征在于，包括：　绝缘板；　接合于所述绝缘板的第一主面的第一金属箔；　接合于所述绝缘板的第二主面的至少一个第二金属箔；　接合于所述第二金属箔上的至少一个半导体元件；　在所述第一金属箔的下表面的上侧包围所述第一金属箔、所述绝缘板、所述第二金属箔和所述半导体元件的树脂盒；和　填充在所述树脂盒的内表面与所述第一金属箔的外周端面、以及所述绝缘板、所述第二金属箔和所述半导体元件的各自的外表面的一部分之间的树脂，　由所述第一金属箔的下表面和从所述树脂盒露出的所述树脂形成有能够与外部接合体紧贴的平坦面。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-18 2007-1325721.一种半导体模块，其特征在于，包括绝缘板；接合于所述绝缘板的第一主面的第一金属箔；接合于所述绝缘板的第二主面的至少一个第二金属箔；接合于所述第二金属箔上的至少一个半导体元件；在所述第一金属箔的下表面的上侧包围所述第一金属箔、所述绝缘板、所述第二金属箔和所述半导体元件的树脂盒；和填充在所述树脂盒的内表面与所述第一金属箔的外周端面、以及所述绝缘板、所述第二金属箔和所述半导体元件的各自的外表面的一部分之间的树脂，由所述第一金属箔的下表面和从所述树脂盒露出的所述树脂形成有能够与外部接合体紧贴的平坦面。2. 如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于 在与所述树脂盒整体地成形的紧固部内填充有所述树脂，在所述半导体模块的侧部设置有贯通所述紧固部和填充在所述紧固部内的所 述树脂的孔部。3. 如权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于 所述树脂的主要成分是环氧树脂。4. 如权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于 在所述树脂盒的内表面上至少形成有一个突起部。5. 如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于-所述第一金属箔的主面歪曲成...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀尾真史，西泽龙男，望月英司，丸山力宏，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]