本发明属于铝合金表面改性技术领域，具体涉及一种铝合金表面电泳沉积稀土镧氧化物薄膜的方法。其特点是利用稀土离子有机物络合电泳的方法在铝合金表面沉积稀土薄膜，再经过烘烤在铝合金表面得到均匀的稀土氧化物薄膜。本发明工艺简单、沉积时间短、稳定性...

本发明属无机光学材料领域，具体涉及一种制备多种金属、合金、半导体等高熔点光子晶体材料的方法。以三维有序排列的聚苯乙烯小球作为模板，分别采用电化学镀，离子溅射喷镀和脉冲激光溅射喷镀的方法在聚苯乙烯小球的间隙中渗入各种材料，可制得高度有序、...

本发明属于化工技术领域，具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，其中输入电压为１０～２０Ｖ，氧化时间为１～３小时，在通电过程中，表面的碳化钛被氧化形成含...

本发明属于二氧化钛薄膜制备技术领域，具体为一种交流电氧化金属钛制备二氧化钛薄膜的方法。该方法使用交流电解装置，以金属钛片作为工作电极，以石墨为对电极，调节输入电压，以调节流过金属钛片的电流，直接氧化金属钛片，得到钛基二氧化钛薄膜。氧化时...

本发明属于薄膜技术领域，具体为一种室温下制备氮化钛薄膜的方法。该方法以氮化钛纳米粉为原材料，使直流稳压电源或恒电位仪，直流稳压电源的正极与导电基底相连接，负极连接对电极铂片或石墨，调节直流稳压电源或恒电位仪的输入电压在１０～２０Ｖ，控制...

本发明属于微电极制备技术领域，具体涉及电镀自焊接三维微电极的方法。其步骤是把微电极穿过金属微孔，并固定在插槽中；对微金属孔进行电镀，使金属孔逐渐变小，直到与穿过微金属孔的微电极结合在一起，从而实现了微电极与微金属孔的自焊接。这种焊接方法...

本发明属于不锈钢表面处理技术领域，具体为一种提高不锈钢抗点蚀能力方法。其步骤是利用电泳的方法在不锈钢表面沉积稀土络合物薄膜，再经过烘烤在不锈钢表面得到致密均匀的稀土氧化物薄膜。该方法能有效提高不锈钢材料的抗点蚀能力，具有重要的应用研究价值。

一种结晶银催化剂的制备方法，结晶银采用复合电解法制备，即通过金属电沉积的方法，将一种或数种不溶性的固体颗粒，均匀地夹杂到电解出来的金属中。采用这种方法制备的电结晶银催化剂熔融点升高，催化剂颗粒不易聚集、烧结，热稳定性增加，催化剂使用过程...

本发明主要涉及用电泳沉积的方法来合成沸石纤维，包括沸石涂层纤维和空心沸石纤维。该方法是将纳米沸石胶液作为电泳液，碳纤维或其它导电纤维作为基质和电极，用电泳过程将纳米沸石组装到纤维基质上。该方法操作简便，耗时少，可以在水相中进行，污染小，...

本发明属电化学技术领域，具体为一种新型的二氧化铅电极及其制备方法。该电极由二氧化铅粉末和聚四氧乙烯或聚丙烯微粒按一定的质量比例混和后经压片工艺而制得。本发明属无基体制备法，从根本上解决了镀层脱落等问题，电极的机械强度高，抗腐蚀性好，电化...

本发明属药剂制备技术领域，具体为一种直接电化学制备高铁酸盐的方法。该方法以纯ＮａＯＨ为电解液，采用隔膜式电解槽制备高铁酸盐。其中，电解槽采用圆筒式结构，控制适当的电解液浓度、反应温度和通电电压，先制得高浓度高铁酸钠溶液，再加入钾、钡等阳...

本发明属于氢气制备技术领域，具体为一种采用醇类为原料的制氢方法。其步骤包括：将醇的碱的混合溶液注入电解池后施加直流电进行电解，醇在阳极被电解氧化，在阴极形成氢气。该方法与电解水相比，需要电压小，产氢量高。与酸性溶液中电解醇溶液制氢相比，...

本发明属于纳米材料和薄膜材料技术领域，具体涉及一种可移植纳米厚度金膜及其制备方法和应用。用真空沉积法在云母基底上沉积一层几十纳米厚度的金膜，再用强酸或者有机溶液浸泡，可使金膜与基底脱离，形成可移植的自由金膜。这种可移植纳米级厚度的金膜可...

本发明属于纳米材料和薄膜材料技术领域，具体涉及一种可移植超薄纳米孔金膜及其制备方法。采用真空热蒸发方法制备Ａｕ－Ｃｕ合金薄膜、经过热退火处理以及用酸溶液去合金化等工序，制备出可移植、自支撑的超薄纳米孔金膜。本发明制备的纳米孔金膜在催化领...

本实用新型属电化学领域，是一种蒙脱石作为固体电解质的架空金属管道阴极保护回路。架空管道本身作为回路的阴极，其外涂一层固体电解质作为固体电解质，再外面涂一层石墨材料作为阳极，其特点是蒙脱石是自然矿产，价格低廉，使架空管道阴极保护技术的推广...

在铁器文物保护领域内，人们较多考虑是一些有机缓蚀剂，如胺类和单宁酸等。本发明打破常规概念，利用苯并三氮唑（ＢＴＡ）作为铁器文物保护的缓蚀剂，取得了意想不到的效果。经实验证明，ＢＴＡ在较低浓度条件下，具有较高的缓蚀效率，并无单宁酸会改变铁...

本发明是加工多层硅微机械结构的掩模－无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了ＫＯＨ腐蚀液对有掩模腐蚀形成的＜１１０＞...

本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟（ＩＷＯ）透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为９９．９９％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为１．０－３．５ｍｍ的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本...

一种适用于真空蒸镀的样品支架的设计。以往的真空沉积设备的设计中，掩模和样品托之间都有一点距离，使得真正得到的薄膜的形状并不是所设计的形状。本实用新型设计了一套样品支架，包括样品托、样品架和样品叉，其独特简捷的结构配合使用使得掩模和样品托...

本实用新型是一种真空镀膜系统中使用的晶体振荡器探头支撑结构，由探头托和探头架组成。现有技术的探头固定在真空系统中，要更换晶体振荡片时需要打开真空系统，十分不便。本实用新型把晶体振荡器固定在探头托上，从探头托引出引线柱，将探头托置于探头架...