一种金属－有机络合物电双稳态薄膜的制备方法，其特征在于首先采用物理气相沉积方法沉积金属Ｍ和ＴＣＮＱ混合薄膜：将基板放入真空镀膜机中，在不低于２ｘ１０↑［－３］Ｐａ真空条件下，蒸镀一层厚度为１０－４０ｎｍ的金属Ｍ，然后在金属膜上蒸镀一层厚...

一种纳米微晶金刚石薄膜，是一种多层复合膜，其特征在于由小颗粒纳米尺寸的金刚石薄膜ＮＣＤ和大颗粒亚微米尺寸的金刚石薄膜ＭＣＤ依次交替相叠组成。

本发明主要涉及一种纳米微铸技术制备介孔贵金属空心微囊的方法。该方法是以中孔氧化硅微球为模板，通过中孔球周边孔氨基或巯基修饰，贵金属负载、预还原，焙烧等处理后将氧化硅模板刻蚀除去，最终获得介孔贵金属空心微囊。通过该方法制备的贵金属空心微囊...

本发明为一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法。它以传统的真空热蒸镀成膜方法为基础，引入强电场，使蒸发源里的材料粒子带上电荷，再通过加热蒸发，使这些带电的分子或粒子飞出，飞出的分子或粒子在电磁场的调控下精确飞向基板，最终成膜。与传统的热蒸发...

本发明为一种湿热氧化制备二氧化钛光催化薄膜的方法。具体步骤是以通常玻璃为基板，先由磁控溅射法镀一层纯钛膜，再通过湿热氧化法制得二氧化钛光催化薄膜。湿热氧化是在带水蒸汽的空气或氧气中将钛层加热氧化至透明。本发明方法简单，工艺稳定性好，是一...

本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ｔａ缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁／Ｃｕ／铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可...

本发明为一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法。它以传统的真空热蒸镀成膜方法为基础，引入强电场，使蒸发源里的材料粒子带上电荷，再通过加热蒸发，使这些带电的分子或粒子飞出，飞出的分子或粒子在电磁场的调控下精确飞向基板，最终成膜。与传统的热蒸发...

本发明属核能技术应用领域，具体为一种金属薄膜中阈值氦能引入的方法。它是在采用真空磁控溅射沉积金属薄膜的过程中，引入氦、氩的混合气体，控制合适的氦、氩流量比，并在阴极靶材施加一合适电压，使其产生气体放电，从而得到含氦的金属薄膜。本发明方法...

本发明是一种一维微纳米材料直径细化的新方法－蒸汽诱导反应法。由于传统的溶液化学反应法生成的金属有机配合物（Ｍ－ＴＣＮＱ）一维结构的直径尺寸一般在几微米数量级，因此利用这种方法如何制备出其纳米结构是一件难题。本发明在溶液化学反应法的基础上...

本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟（ＩＭＯ）透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在室温下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非...

本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法（Ｃｈａｎｎｅｌ　　Ｓｐａｒｋ　　Ａｂｌａｔｉｏｎ，ＣＳＡ）制备钙钛矿结构镧锶锰氧（Ｌａ↓［０．７］Ｓｒ↓［０．３］ＭｎＯ↓［３］，ＬＳＭＯ）薄膜的方法。本发明以ＬａＡｌＯ↓［３］（００１）单晶基片为基...

本发明是一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，即同时进行并完成化合物基质膜的合成和杂质原子的掺入。在ＥＣＲ微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的同时，用另一脉冲...

本发明涉及一种通过硅烷偶联剂在固体表面上生长金属有机配合物的方法。以硅烷偶联剂作为桥梁，修饰过的配体作为载体，通过多种反应方式把多种金属有机配合物嫁接到固体表面上。该方法所制备的材料可以应用于诸如电致发光、化学与生物传感、离子检测、信息...

本发明属锂离子薄膜电池技术领域，具体为一种锂离子薄膜电池的固态电解质锂镧钛氧薄膜（ＬＬＴＯ）的制备方法。本发明采用电子束热蒸发沉积法制备锂镧钛氧薄膜，其特点是薄膜的沉积面积大，沉积速率高，其锂离子的离子导电率可达２×１０↑［－７］Ｓ／ｃ...

本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。...

本发明涉及一种具有“氢致变色”特性的Ｌａ－Ｍｇ－Ｎｉ合金和基于这种合金的多元合金薄膜及其制备方法。该合金薄膜具有氢化条件低、氢化速率快、光电学特性对比大、稳定性好和循环寿命长等特点。本发明中合金薄膜的制备方法是采用溅射法（包括电子束蒸发...

本发明属锂离子薄膜电池技术领域，具体涉及一种应用于全固态薄膜锂电池的正极材料掺氮磷酸铁薄膜（ＦｅＰＯＮ）及其制备方法，本发明采用射频磁控溅射沉积法制备掺氮磷酸铁薄膜，其特点是薄膜在室温下沉积，无需退火处理，与固态电解质薄膜可形成良好匹配...

本发明属于化学镀铜技术领域，具体为一种在硅片上镀铜的新方法。该方法是在含铜盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面引入铜晶种作为催化剂，进而进行镀铜。由于铜的自催化作用，可以快速地引发化学镀镀液中铜离子的还原，使得还原出的铜快速地沉积在基底的表面上...

本发明属透明导电薄膜技术领域，具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为：以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以普通玻璃为基板，基板温度为１００－３００℃，通过反应直流磁控溅射法，使Ａｒ离子束轰击靶材，将靶材溅射，溅射电流１５０－３０...

本发明属于医用材料技术领域，具体为一种两面具有不同生物相容性的医用补片及其制备方法。本发明运用等离子体处理医用补片用以改善其浸润性能，并结合再生丝素蛋白的涂覆以提高医用补片的生物相容性。整个修饰过程简单易行，不涉及任何有毒有害试剂，对医...