本发明为一种用于有机电致发光器件封装的高热导性和高气密性的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是以聚合物为衬底，通过表面沉积技术形成的类金刚石膜为封装膜层的多层复合膜，类金刚石膜的厚度在５０－５００ｎｍ。其结构可以是二层结构，也可以是三层结...

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化...

本发明为一种以１，２，３，４，８，９，１０，１１－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管（以下简称ＯＦＥＴ）及其制备方法。ＯＦＥＴ结构有ＴＯＰ型和Ｂｏｔｔｏｍ两种，并五苯衍生物的取代基为卤素（Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－）...

本发明为一种基于可交联金属有机高分子配合物的有机电致发光器件制备方法。具体是将可交联共轭聚合物、高分子配合物溶解后，旋涂于器件的阳极表面，引发交联形成不溶不熔的膜层，如此依次反复操作，形成多层发光层，再经喷射金属阴极即可。本发明方法制备...

本发明涉及一种可用于有机／高分子发光二极管（以下简称ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ）器件的缓冲层材料分子。这种材料分子含有多个共轭具有半导体性质的芳香环（或噻吩环）和亲无机材料的极性基团，故具有与电极和有机层同时相亲的两亲性质，能改善有机／高分子发...

本发明提供了一种用于有机场效应管（ＯＦＥＴ）的取向层，一种用来形成该种取向层的方法，一种使用该种取向层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率的新型器件。该取向层（绝缘层）可进行离子束轰击取向处理。在该取向层上可形成具有良好分子取向...

本发明涉及一类有利于改善电子和空穴注入和传输平衡性能、提高材料稳定性、结构相对规整的有机／聚合物电致发光材料。该类材料中含有螺旋芴结构、噁二唑结构、以及具有空穴传输性能的结构，如噻吩、寡聚噻吩、芴、寡聚芴、三苯胺、咔唑、取代苯、苯并噻吩...

本发明涉及一类性能优越的有机稀土电致发光材料，该材料结构为（Ｌ１）↓［３］Ｌｎ（Ｌ２），其中Ｌ１为β－二酮类配体，Ｌｎ为Ｅｕ↑［３＋］、Ｔｂ↑［３＋］和Ｅｒ↑［３＋］等稀土离子，Ｌ２为单氧化－２，２′－联吡啶（２，２′－ｂｉｐｙｒｉｄｉ...

本发明提供一种用于有机场效应管的取向层，一种用来形成该种取向层的方法和一种使用该取向层作为绝缘层，从而提高有机场效应管（ＯＦＥＴ）载流子迁移率的新型器件方法。该取向层由聚酰亚胺（ＰＩ）类聚合物制成，并经过光取向处理。根据本发明，在ＰＩ取...

本发明为一种对Ｓｉ量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Ｓｉ量子点的ＳｉＯ↓［２］薄膜表面上蒸镀一层ＴｅＦ↓［３］薄膜，然后低温退火，使ＣｅＦ↓［３］扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Ｓｉ量子点的荧光强度大...

本发明涉及一种醇溶性聚对苯乙炔衍生物及其制备方法和应用。本发明醇溶性聚对苯乙炔衍生物有４种分子结构式。其中衍生物１通过全氟羟酸和含有相应官能团的带环反应获得杂环单体，然后在溶剂和有机碱中反应而制备获得。本发明化合物可溶于醇类溶剂，其发光...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种用标准集成电路工艺，通过设计多电流路径降低电流拥挤效应，从而改进电感性的片上电感的设计方法。设计多电流路径，就是（１）在同一平面内，将常规设计的单线圈金属劈成多个线条并联；（２）在垂直叠层，不将多层次...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种采用标准ＣＭＯＳ工艺设计多ＰＮ结衬底隔离片上电感的方法。包括：单阱工艺中在阱上注入与阱离子极性相反的杂质，对于深阱工艺，在深阱上形成与该深阱离子相反类型的阱，形成与硅片垂直方向的双ＰＮ结；在此基础上，...

本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相邻线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压差线圈之间大间距...

本发明属有机光电器件技术领域，具体为一种有机太阳能结构及其制备方法。该有机太阳能电池结构依次由掺杂的有机空穴传输层、不掺杂的空穴传输层、载流子产生层、电子传输层、电子阻挡层、阴极组成。其中，不掺杂的空穴传输层采用ＣｕＰｃ或ＺｎＰｃ，掺杂...

一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响这两个基本过程，即影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片设计的高性能叠层结构差分驱动的对称电感。本发明通过通孔实现单圈的不同金属互连线线圈之间的串连连接，而保持电感两个信号端口的对称性，实现高性能而面积小的差分电感。本发明的电感，其叠...

本发明涉及一种通过硅烷偶联剂在半导体表面上嫁接有机共轭分子而获得的改性导体材料，利用含不同功能基团的硅烷偶联剂作为“分子桥梁”，硅烷偶联剂一端与半导体表面以共价键相连，另一端保留的亲有机官能团与经过修饰的有机共轭分子反应，从而在半导体表...

本发明属电致发光材料技术领域，具体为一种有利于改善电子和空穴注入平衡，防止分子链聚集，形成基积缔合物的超支化结构的高分子电致发光材料。该材料是由对电子具有良好传输作用的ｎ－型分子作为超支化的核与对空穴具有良好传输作用的ｐ－型分子聚合而成...

本发明属力敏传感器技术领域，具体涉及一种单片硅基ＳＯＩ高温低漂移压力传感器。其中组成惠斯顿电桥的四个力敏电阻采用ＳＯＩ材料制作；采用ＳＯＩ电阻网络的内补偿和局部内电阻的外补偿技术，使零点温漂下降到１×１０↑［－６］Ｖｓ／℃以下；采用梁－...