本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相变薄膜材料形成的...

一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件，其特征在于采用金属层（Ｍ１）－无机介质层－金属（Ｍ２）结构，其中，二端的金属层（Ｍ↓［１］和Ｍ↓［２］）作为电极，中间的无机介质层作为功能介质层；这里，金属层（Ｍ１）为Ｃｕ，金属层（Ｍ２）为铝，无...

本发明属微电子技术领域，具体是一种Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层...

一种与铜互连工艺集成的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器，其特征在于包括　　　　下电极，为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线；　　　　在所述铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞；　　　　位于所述孔洞底部的铜氧化形成的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存...

本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种纳米结构的薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池以一维无机纳米线阵列作为Ｎ型材料，该Ｎ型材料与Ｐ型的铜－铟－硒等材料组成具有光电转换性能的纳米结构的异质结。具体结构依次为玻璃基底、透明导电层、纳...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制ＮｉＳｉ全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ｎｉ膜时，通过顺次淀积Ｎｉ、Ｈｏ、Ｎｉ薄膜层或Ｎｉ、Ｈｏ共淀积工艺最终对应形成Ｎｉ／Ｈｏ／Ｎｉ／未掺杂多晶硅／栅介质层／衬底Ｓｉ或Ｎｉ（Ｈｏ）／...

本发明属微电子技术领域，具体是一种改善Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面ＣｕＯ层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层ＣｕＯ下面的具有电阻转换特性的ＣｕｘＯ存储介质免受大电流...

本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的ＷＯ↓［ｘ］电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的ＷＯ↓［ｘ...

本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属...

本发明属微电子技术领域，具体是一种Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度（１０％到５０％）的双氧水溶液，在一定温度（４０度到...

本发明属微电子技术领域，具体为一种可三维堆叠的ＷＯ↓［ｘ］的电阻随机存储器结构及其制备方法。所述的存储器结构包括：一个选通管和若干个存储单元，存储单元之间通过并联方式与选通管相连并层叠与选通管之上，实现一个选通管控制多个存储单元的结构。...

本发明属于柔性互连线的微加工技术领域，具体为一种用于三维电学互连集成连线的制作方法。本发明以聚酰亚胺柔性材料为主体，用微加工工艺把铜互连线镶嵌到聚酰亚胺中，并在微电极阵列对应的地方开孔用于三维互连，从而降低三维互连的复杂性，提高互连线的...

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种高密度电荷存储的新型铁电电容器及其制作方法。本发明利用氢离子注入到铁电薄膜内部，改变原有的铁电特性，形成新的反铁电特性，这种新的反铁电特性能够使得新型铁电薄膜电容器存储以及释放更多的电荷，新的反铁...

本发明属微电子技术领域，具体是一种减小Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器写操作电流的方法。在生长Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质前，沉积一薄层Ｔａ或Ａｌ层（０．５ｎｍ～２０ｎｍ）于Ｃｕ基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成ＴａＯ／Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ或Ａｌ...

本发明属于微电子技术领域，具体是一种Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器与二极管集成的制造方法。Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中，其中利用Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质的上表层自对准转变形成二极管的ｐ型的铜的氧化物半导...

本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器形成电压的方法。生长完Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质后，在Ｎ↓［２］、Ａｒ、ｆｏｒｍｉｎｇ　　ｇａｓ或真空等缺氧气氛中进行退火，表层ＣｕＯ会由于缺氧而被还原成Ｃｕ↓［２］Ｏ，从而消除...

本发明属于半导体芯片封装测试技术领域，具体为一种提高芯片抗电过应力能力的方法。本发明采用优化的芯片焊接温度－时间曲线，具体而言是提高焊接最高温度到３６３－３６５℃，延长焊料熔融时间到３８－４０分钟，降低焊后降温速率到８．５－９．０℃，得...

本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管选通的电阻随机存储器件及其制造方法。其选通二极管是通过与ＣＭＯＳ工艺兼容的技术形成于衬底硅中，并与电阻存储单元集成制造形成电阻存储器，存储单元结构简单，相比三极管和场效应管选通的存储器件具有更...

本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种Ｐ型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜（Ｃｕ↓［１－ｘ］Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ）陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ　　Ｐ...

本发明属于光学电子器件技术领域，具体为一种多光谱区集成的太阳能光电转换方法与器件。利用高效率的光栅、棱镜或薄膜滤光片等器件，将太阳光的３００－１０００ｎｍ主光谱区分成多个子光谱区，采用与子光谱区相对应的高效率（≥６０％）光电转换器件，分...