一种消除ＣｕｘＯ电阻存储器形成电压的方法技术

本发明专利技术属微电子技术领域，具体是一种消除Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器形成电压的方法。生长完Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质后，在Ｎ↓［２］、Ａｒ、ｆｏｒｍｉｎｇ　　ｇａｓ或真空等缺氧气氛中进行退火，表层ＣｕＯ会由于缺氧而被还原成Ｃｕ↓［２］Ｏ，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层ＣｕＯ下面的具有电阻转换特性的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质免受大电流破坏。本发明专利技术方法工艺简便，成本低，可显著改善Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器的疲劳特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，工业领域，尤其是一种工业无线传感网络信息表 时间同步的数据处理系统及处理方法。
技术介绍
随着时代的发展，工业自动化也越来越普遍，同时在工业环境当中的各 种水、电、气等各类公共供给表的用量也越来越大。因此统计这些表具信息 的抄表方法也越来越多，现有的比较传统的也是最普遍的抄表方式主要是人 工抄表，工作人员到每个工厂车间，到厂房设备上，按照表具上的数字去统 计数据，因此这种人工抄表方法灵活性差，会产生抄表的不准确，而且效率 非常低，时间成本和经济成本高，数据汇总工作量大。已经出现的智能化工厂车间对各种表具也提出了很多要求，不仅要在计 量上要很精确，而且表具的统计都有了脉冲或数字输出。例如电表的表盘上 都有一个脉冲计数，若干个脉冲数等于一度电。而且表具有传感探头，会把 机械的转数转变成电脉冲，相当于一个数字信号，这样使得表具有了数字输 出。把表具输出的数字脉冲通过电路接口做适当转换，存储在数字芯片上， 然后从数字芯片上读取数值。现有的一些比较智能的适合生活使用的抄表方法当中，有的是利用电力 线方法抄表，这种方法需要基于电力线，因此电力线载波有很大的要求，而 且需要特殊的装置来传输数据，成本高。有的是基于电信网络和英特网通过电话线、CDMA网络、GSM网络、GPRS、蓝牙、ADSL等，所以需要和电 信运营商的合作，构架成本高，时间长，这些方法不仅在运营上需要很多的 考虑，同时，这些技术也很难满足苛刻的工业环境的要求。设置该孤立节点为自身网络的一个数据采集器，发出确认帧进行确认。 因此，本专利技术数据处理系统及处理方法，成本低，处理精确。 最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术实施例的技术方案而 非限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术实施例进行了详细说明，本领域的普 通技术人员应当理解，可以对本专利技术实施例的技术方案进行修改或者等同替 换，而不脱离本专利技术实施例技术方案的精神和范围。为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。在此参考图是本专利技术的理想化实施例的示意图，本专利技术所示的实施例不应该被认为仅 限于图中所示的区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。例如干 法刻蚀得到的曲线通常具有弯曲或圆润的特点，但在本专利技术实施例图示中，均以矩形表示， 图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本专利技术的范围。图8a为根据本专利技术一种消除CuxO电阻存储器形成电压方法的实施例的剖面图的一 部分。参考图8a，所示为集成于双大马士革铜互连工艺中形成的CUxO电阻存储器结构示意 图，PMD层104形成MOS器件之上，它可以是掺磷的氧化硅PSG等介质材料，在PMD 层104中形成鹆栓塞903，钨栓塞903连接第一层铜引线和MOS管源极或者漏极。PMD层104上形成第一层刻蚀终止层201,可以为Si3N4、 SiON、 SiCN;刻蚀终止层 上104上形成第一层层间介质层101，它可以为Si02或掺F或C的SiCh等低k介质材料。501和502为形成于第一层介质层104沟槽中的铜引线，501为其上表层不需要图形 氧化形成CuxO存储介质的铜引线，502为其上表层需要图形氧化形成CuxO存储介质的铜 引线，需要形成QixO存储介质的铜引线502形成CuxO存储器的金属下电极；铜引线和第 一层层间介质层101之间为防止铜扩散的扩散阻挡层401，可以是TaN、 Ta/TaN复合层或 是Ti/TiN复合层，或是其它起到同样作用的导电材料，如TiSiN、 WNx、 WNxCy、 TiZr/TiZrN 等。第一层铜引线502上部为CuxO存储介质层702，是通过图形氧化铜引线，再经退火形 成形成，其中1 <x《2。第一层铜引线501、 502上为盖帽层203， CuxO存储介质层702上方是形成于盖帽层 203的孔洞300以及形成于孔洞300之中的上电极800，盖帽层203可以为Si3N4、 SiON等 介质材料，起铜的扩散阻挡作用和防止铜的电迁移等作用，同时在这里起形成孔洞300自 对准形成上电极800的作用；CuxO电阻存储器上电极800和CuxO存储介质702的尺寸 及其图案相同，并且其尺寸小于第一层铜引线502的宽度(也即形成第一层铜线沟槽的宽 度)。上电极800之上为不需要氧化形成CuxO存储介质的铜引线501之上为铜栓塞600，铜 栓塞600之上为形成于沟槽之中的第二层铜引线601在501之上的铜栓塞主要起连接第一 层铜引线和第二层铜引线601的作用，在800之上的铜栓塞主要起连接电阻存储器和第二 层铜引线601的作用，形成于上电极800之上的通孔901的尺寸小于孔洞302的尺寸。102、 103分别为第二层间绝缘介质层和第三层层间绝缘层，可以为Si02或掺F或C具有表面图案键盘的制造方法
本专利技术涉及一种具有表面图案键盘的制造方法。技术背景目前商业产品的价值，除展现于优质的技术层次之外，更不可或缺的是， 对外表质感呈现的追求及贴近产品使用者使用的要求。由此，外观设计、印 刷、处理设置都是整体形象与价值的一部分。在商业竞争激烈的笔记本电脑 领域，各知名品牌自然不会放过产品整体外观的设计与制造，藉以彰显品牌 价值。目前此类笔记本电脑的键盘，占据笔记本电脑开启后表面相当大比例， 且其按压面是最常为人的手指所接触的部分。常见的键盘制造的制程步骤依序包含l.制成键帽本体;2.取下键帽并 安装于键盘基板上；3.喷涂底漆；4.烘烤底漆；5.制作预印图案的镂空网版； 6.利用网版印刷技术将图案喷涂于键帽按压面上；7.喷涂保护漆；8.烘烤保 护漆。 一方面，键盘本身形象欠缺变化；另一方面，设于该键盘按键上用以标示按键功能的图案，由于手指经常性的接触与摩擦，常因经久而使用导致 图案脱落或模糊。不但视觉上极不美观，并造成对于键盘分布不够熟悉的使 用者的操作困扰。中国台湾第496829号专利技术专利为目前业界针对制作该类键盘的常见改进 方式，其采取一种移印方法，如附图说明图1所示，在咬花键盘笔记本电脑10咬花键 盘11按键咬花键帽111的按压面上，转印一层保护涂料，形成均匀覆盖键帽 按压面的保护膜层，以保护按键上的符号图案，令咬花键帽111上的图案更 为牢固耐用，且可降低保护膜层制造的不良率。如图2所示，该移印方法的装置包括一具有咬花刻痕的咬花印刷版12，用以涂覆一保护涂料；以及设有复数移印头的一移印模块13，用以按压于涂 覆有保护涂料的咬花印刷版12的咬花面，使保护涂料附着于移印头，转印至咬花键盘ll的咬花键帽lll的具咬花刻痕按压面，而形成保护膜层。咬花印刷版12与一般光滑表面印刷版的不同之处在于咬花印刷版12并不是沾取一 层均匀涂料，由于该咬花键帽111的按压面与咬花印刷版12具有类似的咬花 刻纹特性，使移印头与按压面分离时保护涂料均匀牢附。该技术的流程如图3所示，该常见改进技术令制作键盘的制程步骤改变并 增添为包含90.模具置入模料冲压制成一具咬花面之键帽；91.取下键帽并 将键帽安装至键盘基板上；92.喷涂底漆；93.烘烤底漆；94.制作预印图案的 镂空网版；95.利用网版印刷技术将图案印制在键帽按压面上；96.将保护涂 料涂覆在具有咬花刻痕之印刷版；97.移印模块将保护涂料转印至具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器形成电压的方法，其特征在于：生长完Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质后，在Ｎ↓［２］、Ａｒ、ｆｏｒｍｉｎｇｇａｓ或真空缺氧气氛中进行退火，退火温度控制在１００～６００℃之间，表层ＣｕＯ会由于缺氧而被还原成Ｃｕ↓［２］Ｏ，从而消除第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层ＣｕＯ下面的具有电阻转换特性的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质免受大电流破坏；这里１＜ｘ≤２。

【技术特征摘要】
1、一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法，其特征在于生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空缺氧气氛中进行退火，退火温度控制在100～600℃之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，陈邦明，吕杭炳，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]