本发明属太阳能电池材料技术领域，具体涉及一种末端含醛基主链含噻吩和苯基的聚苯撑乙烯（ＰＴｈ－ＰＶ）及其衍生物，制备方法和应用。ＰＴｈ－ＰＶ结构通式如上，平均分子量：３０００－１００００，其中，Ｒ↓［１］＝Ｒ↓［２］，为ＣＮ或者Ｆ原子，或...

本发明属电致发光材料技术领域，具体为一类用于有机电致发光器件（ＯＬＥＤ）及其它光电器件的高分子电荷传输材料及其制备方法。本发明以二硫代苯甲酸酯异丙苯酯（ＣＤＢ）为链转移剂、偶氮二异丁腈（ＡＩＢＮ）为引发剂、苯为溶剂，在６０－８０℃及惰性...

本发明属于有机功能分子材料技术领域，具体涉及一种吡啶基四醌衍生物分子材料及其制备方法。该化合物的名称为：１，４－二（４－（３－甲基吡啶基））－２，３，５，６－苯四醌，分子内存在电荷分离，是一种二亲离子化合物，它由四氯苯醌和３－甲基吡啶通...

本发明属于有机功能分子材料和功能染料技术领域，具体涉及一种吡啶基取代的１，３－茚二酮衍生物分子材料及其制备方法。这类分子材料以共轭结构或者以电荷分离的内盐形式存在。本发明提出的分子材料可作为功能染料和光电子材料。

本发明属微电子技术领域，具体为一种相变存储器件中新的沟槽结构存储单元。该结构的基本特征是：相变材料分布于沟槽侧壁，不同存储单元共用沟槽底部的下电极和与选通管连通的同一个选通管。它利用相变材料自身的厚度来控制接触面积，在一个方向上突破光刻...

本发明为一种可编程／擦除的金属－绝缘体－硅（ＭＩＳ）电容器结构，使用ＳｉＯ↓［２］／ＨｆＯ↓［２］－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］纳米叠层（ＨＡＮ）／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的介质层结构。本电容器具有高电容密度值４．５ｆＦ／μｍ↑［２］，分别在＋...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低（＜０．４ｅＶ）的肖特基二极管，与传统电流－电...

本发明属微电子技术领域，具体为一种多值存储相变存储器件的制备方法。它通过构建并联单元，实现相变存储器的多值存储。采用本发明方法制备的器件可以极大的提高存储密度，降低生产成本。

本发明属于纳米光电材料技术领域，具体为一种电子束蒸发制备硅纳米晶的方法。传统的硅纳米晶的制备方法包括电化学腐蚀法、离子注入法、溅射法、化学气相沉积法，以及热蒸发法等。本发明采用电子束蒸发生长ＳｉＯ↓［ｘ］／ＳｉＯ↓［２］（１＜ｘ＜２）超...

本发明属微电子技术领域，具体是一种采用Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ作为存储介质的电阻随机可存取存储器的结构及其制备方法。该存储器中，作为存储介质的Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部，下层铜引线是下电极，Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ上方则通过位于通孔...

本发明属于稀土发光材料技术领域，涉及一种铕激活的碱土金属磷硅酸盐荧光粉及其制备方法。该荧光粉的组成成分由以下化学式表示：Ｍ↓［７－ａ－ｂ］Ｍ’↓［ａ］（ＰＯ↓［４］）↓［ｘ］（ＳｉＯ↓［４］）↓［ｙ］：Ｅｕ↓［ｂ］；其中，Ｍ，Ｍ’分别为...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备ＮｉＳｉ／Ｓｉ肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准ＲＣＡ清洗并用稀释的ＨＦ酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一层硅的氧化物层；...

本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：ｎ型或ｐ型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电...

本发明属于ＬＥＤ封装技术领域，涉及采用模块化的ＬＥＤ封装结构及方法。本发明的模块化的ＬＥＤ封装结构包括六角形、正方形或三角形铝基板（铝基板表面开多个槽，并在槽表面镀膜）、ＬＥＤ芯片、大透镜几个部分构成。ＬＥＤ芯片封装在开槽内，开槽两侧表...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种以Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ作为存储介质的ＲＲＡＭ避免ｆｏｒｍｉｎｇ现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ作为存储介质的ＲＲＡＭ过程中，在存储介质Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ薄膜完成以后，将其与含有羟胺成...

本发明属于有机电子材料技术领域，具体涉及一类基于三并咔唑的支化结构功能材料及其制备方法和应用。该材料是以三并咔唑衍生物作为支化结构分子的骨架，共轭结构的荧光生色团作为功能基团嫁接到骨架周围而得到的具有三臂或六臂结构的功能分子化合物。本发...

本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口...

本发明属微电子技术领域，具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间，或者两层存储介质之间插入一介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在１０欧.ｃｍ以上，通过所插入介质薄膜产生的热量对电阻存储薄膜加热，...

本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］∶Ｍ（Ｍ＝Ｍｏ，Ｗ）。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件...

一种高状态比的无机薄膜电双稳器件，其特征在于采用银－无机介质层－铝结构。其中，二端的金属层银和铝作为电极，中间的无机介质层作为功能介质层，是由硫氰酸钾和部分银底电极反应制备获得的薄膜。