本发明是一种用高速电荷耦合成像系统测量扩散波谱观察强电场下体积分数较高的非各态历经体系的动态结构演化过程。现有的技术中单模光纤探测方式测量非各态历经体系已不能适用，目前尚无适用的方法测量该体系的结构演化过程。本发明通过测量样品的自相关函...

本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种电可擦写的分子基电双稳薄膜器件及其制作工艺。该分子基电双稳薄膜器件为由底电极、顶电极和有机分子膜构成的夹层结构。底电极和顶电极采用不同金属，有机分子材料采用含杂环的１，１－二氰基乙烯衍生物。该...

本发明属于微电子学技术领域和有机集成电路技术领域，具体涉及一种用电诱导生长技术和探针牵引技术来制作有机导线的方法。工作基质采用有机电双稳材料，或者采用能够聚合成导电聚合物的有机单体和分子材料。利用探针顶端的强电场和通过的电流诱导有机薄膜...

本发明属于光电子功能材料及器件技术领域，具体涉及一种用无依托超薄金刚石多晶薄膜制备的新一代Ｘ光窗口及其制备工艺。本发明采用金刚石薄膜高密度（１０↑［９－１０］／ｃｍ↑［２］）成核及优化生长工艺，制备无依托超薄金刚石多晶薄膜，再用化学方法...

本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向...

本发明涉及一种铁电单管锁存结构以及利用该锁存结构实现的嵌入不挥发逻辑集成电路。铁电单管锁存结构由铁电单管单元、传输门、电阻、倒相器、逻辑门等数字电路基本单元相结合构成，具有锁存数字电路的逻辑状态的功能。将其嵌入大规模集成电路中，可实现整...

本发明提供一种新的高介电材料氮化的Ｌｉ＃－［３］ＰＯ＃－［４］薄膜，简称锂磷氧氮（ＬｉＰＯＮ），它具有介电性能，其介电常数在１４～２６之间。本发明对Ａｌ／Ｌｉｉｐｏｎ／Ｓｉ电容器的电容－电压（Ｃ－Ｖ）和电容－电流（Ｉ－Ｖ）的特性进行了测...

本发明属于有机功能材料技术领域，具体涉及一类复合型的空穴传输材料。复合型的空穴传输材料采用复合型的芳香三胺同系物材料，这种芳香三胺材料有许多种体系，每一种复合体由２～４种芳香三胺同系物分子构成，是一种混合物。每一种混合物中，至少含有１种...

一种非破坏性铁电不挥发多态数据存储方式，其特征在于根据ＭＦＩＳ单管单元的铁电特性，利用铁电薄膜多条电滞回线的剩余极化强度处于饱和、非饱和的多种状态，来表征一个码元，该一个码元所取的状态数大于２，从而能够转换为多位二进制码，实现在一个单元...

一种超大规模集成电路验证的可满足性问题的解决方法，以深度优先搜索算法为基础，其特征在于加入了推理过程，并利用推理过程对决策的策略作相应改进，具体步骤如下：　　　　（１）　　决策过程：通过一种策略选取还未赋值的变量进行赋值；　　　　（２）...

一种非线性电路模型的降阶方法，该非线性电路的状态方程具有如下形式：　　　　Ｅ＊（ｔ）＝ｆ（ｘ（ｔ））＋Ｂｕ（ｔ）　　　　ｙ（ｔ）＝Ｃｘ（ｔ）＋Ｄｕ（ｔ）　　（１）　　　　其中，ｘ（ｔ）为电路的Ｎ维状态变量，ｆ（ｘ（ｔ））是关于状态变量ｘ...

一种超大规模集成电路中组合电路的等价验证方法，具体步骤如下：　　　　（１）配对点的生成：首先对电路进行层次分划，并根据电路的特征来确定每层的深度，使划分的层次达到可以接受的规模；然后在各层中分别用随机产生的方法得到所需的配对点；　　　　...

一种双边投影与单边投影相结合的非线性电路模型降阶方法，其非线性电路的状态方程具有如下形式：　　　　Ｅ＊（ｔ）＝ｆ（ｘ（ｔ））＋Ｂｕ（ｔ）　　ｙ（ｔ）＝Ｃｘ（ｔ）＋Ｄｕ（ｔ）　（１）　　　　其中，ｘ（ｔ）为电路的Ｎ维状态变量简记为ｘ，ｆ（...

一种基于子波逼近和多阶压扩的模拟电路自动建模方法，设一个单输入单输出模拟电路模块的非线性输入－输出函数可用（１）式表示：　　　　ｙ＝ｆ（ｘ）　（１）　　其中，ｘ表示输入，其定义域［ｘ↓［Ａ］，ｘ↓［Ｂ］］称为输入域；ｙ代表输出，ｆ（ｘ）...

一种用于射频标签芯片与片外天线阻抗匹配片内自动调节的电路，其特征在于由可编程阻抗匹配电容阵列（１）、控制电路（２）、计数时钟（３）、复位电路（４）、比较电路（５）、锁存器（６）、计数器（７）经电路连接构成，其中可编程阻抗匹配电容阵列（１...

一种对模拟电路进行自动行为级建模的方法，设一个单输入单输出模拟电路模块的非线性输入－输出函数可用（１）式表示：　　　　ｙ＝ｆ（ｘ）　　（１）　　　　其中，ｘ表示输入，其定义域［ｘ↓［Ａ］，ｘ↓［Ｂ］］称为输入域；ｙ为输出，ｆ（ｘ）为非线...

一种具有极性记忆效应的有机电双稳薄膜，其特征在于采用有机分子材料ＡＯＳＣＮ与金属Ｍ经真空蒸发络合形成，其中ＡＯＳＣＮ的名称为：３，９－双（１０－（二氰基亚甲基）－９－亚甲蒽基）－２，４，８，１０－四硫杂螺［５，５］十一烷，金属为Ｃｕ、Ａ...

一种适于数据通路应用的可编程互连线结构，其特征在于芯片的连线资源采用层次式结构，具体分为三个层次：全局层次的长线，局部连线层次的可分割长线和相邻高速互连层次的短线；短线对相邻ＬＣ进行连接，水平和垂直方向上的可分割长线将ＦＰＧＡ中任何ＬＣ...

一种单根互连线电路的模拟方法，其特征在于具体步骤如下：　　　　（１）根据（１３）式求出传输线的特征阻抗Ｚ↓［０］：　　　　Ｚ↓［０］＝＊＊＊　　（１３）　　　　（２）根据（１６）式和（１７）式求出传输线输入端和输出端的电压反射系数Γ↓［...

本发明为一种适用于斜线划分的时钟网络布线的曼哈顿平面化切割线的生成方法。该方法把欧几里得平面上的连线转化到曼哈顿平面上，获得平面化的时钟树，构成切割线布线通道网络。本发明通用性强，可根据输入产生输出自动进行，算法简约而严密。