本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种利用对称位线补偿相变存储单元阵列写电流不均匀性的方法。该方法利用一根与原位线相同的连接线，按比例模拟位线的电阻分布，进而对称地补偿原位线分布电阻引起的电压降，以提高写电流的均匀性，同时用分段...

本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟（Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］∶Ｐｔ，Ｗ）／掺钨氧化铟（ＩＷＯ）双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂＋掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，...

本发明属微电子技术领域，具体为一种纳米相变存储器件的制备方法。它利用边墙技术构建纳米电极，通过形成纳米电极来减小电极接触面积。纳米线和相变材料或包含相变材料的复合层进行边沿式接触，接触面积的大小就是纳米线横截面积的大小，从而构建成完全突...

本发明属光电材料科技领域，具体为一类基于封端处理的三芳基胺和咔唑类材料、处理新方法以及作为空穴传输材料的应用。对比未处理前的材料，封端的三芳基胺和咔唑类具有高的热稳定性和玻璃化温度。对比其他制备该类材料的方法，该处理方法的优点包括：（１...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的相变存储器的制备方法。它通过控制相变材料自身厚度来减小电极面积，同时实现热限制和电限制，提高热量的利用率和增大电流密度。利用本发明制备的器件具有低功耗、高速度、小操作电流等特点，极...

本发明属于光电材料技术领域，具体为一系列含有多面体倍半硅烷的新型的聚芳基乙炔型发光材料及其制备方法。本发明以芴、噻酚、苯、苯炔、咔唑等共轭单体，以及各种类型的多面体倍半硅烷为原料，通过金属催化等有机反应，合成了一系列含有多面体倍半硅烷的...

本发明属于分子电子学领域，具体涉及含巯基的分子整流材料及其制备方法。本发明提出的分子材料在结构上含推电子基团、吸电子基团、共轭π键以及末端巯基，该类材料在金表面能形成高度取向的单分子膜，能用来制作高整流比、高稳定性的分子整流器件。

本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路。它通过多个存储单元共享一个选通器件（如二极管、三极管、场效应晶体管等）来减小每个存储单元平均所占的面积。针对一种特殊的存储单元布局形式，采用了“层...

本发明属于纳米科学、光化学技术和高分子材料技术领域，具体涉及利用光催化聚合制备的无机半导体／导电聚合物复合薄膜及其制备方法。本发明首先在无机基材表面制备半导体薄膜，然后利用紫外光激发半导体薄膜，受激发的纳米晶体引发导电高分子的单体发生聚...

本发明属分子电子器件制备技术领域，具体为一种将有机分子嫁接到硅半导体表面以实现在硅半导体表面制备有机分子线的方法。本发明利用紫外光、等离子体手段对硅半导体表面进行处理，使硅表面产生可供进一步反应的活性点，这些活性点与有机分子上含有的活性...

本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于原位交联有机薄膜的可擦写电双稳器件及其制备方法。该薄膜器件的结构为：金属－有机－金属－有机－金属（Ｍ－Ｏ－Ｍ－Ｏ－Ｍ）结构。其中，中间的金属层为超薄层，二端的金属层做电极；有机层为经过紫外...

本发明属微电子技术领域，具体为一种多值相变存储器的实现方法。它利用相变薄膜材料或相变薄膜材料与其它半导体材料的复合材料的半导体特性构建半导体薄膜晶体管，利用相变材料可以在电学作用下电阻发生可逆变化的特性来改变半导体薄膜晶体管的沟道长度，...

本发明属功能材料技术领域，具体为一种ｐ型／ｎ型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅（１００）作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热，使其挥发分解，利用空气作为载运气体，将醋...

本发明属于分子基电子器件和铁电薄膜技术领域，具体涉及一种可擦写、可读出的分子基电双稳负阻器件。器件结构为：金属－有机－金属（Ｍ↓［１］－Ｏｒｇａｎｉｃ－Ｍ↓［２］）结构。其中，二端的金属层做电极，中间的有机层（包括金属－有机界面）作为功...

本发明是使用一种新型的有机分子作为桥梁分子用于硅表面嫁接有机分子以实现硅表面改性的方法。这种新型的有机分子是在有机合成和高分子合成中常用的异氰酸酯分子。通过硅表面和异氰酸酯分子中一端的共价键联，再利用异氰酸酯另一端的亲有机官能团和经过修...

本发明属稀土发光材料技术领域，具体为一种铕激活碱土金属硅酸盐荧光粉及其制造方法和应用。该荧光粉的组成为：Ｓｒ↓［ｘ］Ｂａ↓［２－ｘ－ｙ］Ｅｕ↓［ｙ］Ｓｉ↓［ｚ］Ｏ↓［２＋２ｚ］，其中１＜ｘ＜２，０．０２≤ｙ≤０．２，０．７≤ｚ≤１．５。...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于电加工技术制备相变存储器的方法。该方法是在电介质上加一电信号，使电介质完全击穿，形成唯一的微小的孔洞；同时击穿产生的热量使相变材料熔化，填入其对应的孔洞中，从而形成３Ｄ结构式相变存储单元。本发明在...

本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法。其中包括步进字线电压补偿和反馈式字线电压补偿两种方式，该方法是利用字线电压对存储单元内选通开关的输出电阻进行调制，使得不同行的选通开关具有不同的等效...

本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＨｆＯ↓［２］纳米叠层结构作为绝缘介质，以ＴａＮ...