本发明属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备．在外延工艺中，由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同，在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂．本发明采用双层结构炉管，即外管用耐高温且密封性能良好的材料，内管用耐高...

一种电子器件封装用的环氧模塑料成型工艺，采用有酸酐与咪唑衍生物络合盐和咪唑衍生物复合促进剂，该复合促进剂制备简单，贮存稳定，具有无毒、无嗅等特点。由本工艺制得的环氧模塑料封装电子器件有高密封性和可靠性，封装工艺好。

本发明属于半导体发光显示器件。其电路底板采用双面铜箔板，正面镀金。反射腔框架采用ＡＢＳ等塑料，表面镀有优良导热性能的金属层，例如镀铬层。框架内侧再镀上银层，构成金属反射腔。从而提高了器件的散热效率和反射效率。这样就可以增加底板上安装发光...

本发明属于用金属氧化物高温超导材料制作高温超导检波器及其制作方法。现有的低温超导检波器需用液氦致冷，昂贵而不方便。本发明用金属氧化物高温超导材料制作器件，通过减少超导弱连接区的截面积，或增加其长度以弱化弱连接区，使器件在工作温度条件下的...

本发明是对半导体器件、电路芯片表面进行处理分析的重要方法。该方法是针对离子注入掺杂后，在芯片上不留任何痕迹这一困难而提出来的。它包括样品制备、显示液配方及操作程序三方面内容。该方法显示的成功率达１００％。具有适用范围广、对环境温度要求不...

本发明属半导体集成电路工艺结构领域，是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成ＳＯＩ结构的新工艺。主要步骤包括锑或砷扩散，在硅衬底上形成ｎ型埋层阻挡层；Ｐ型外延；磷或砷离子注入，形成ｎ型岛器件区；阳极化，使Ｐ型外延层转化为多孔硅；多孔硅氧化，形成Ｓ...

一种利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）操纵原子以制备超微（纳米级）量子器件的方法，其特点是用ＳＴＭ针尖在晶体表面按某一晶向刻出两条平行沟道，两沟道间的距离为１－３个原子，形成原子链（量子线）。然后，再用ＳＴＭ搬运一个原子放置于原子线上，构成开...

一种低温低压热壁密装淀积二氧化硅薄膜的技术。现有技术淀积的二氧化硅薄膜台阶覆盖性较差，填充深孔能力不佳，炉产量较低。本发明用臭氧和正硅酸酯为原料，反应温度１５０～５５０℃，气体压力１０－１０↑［３］帕，反应管内可装待淀积硅片５～１５０片...

一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度，本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹...

一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的...

一种用微波放电产生的硫等离子体在ＧａＡｓ表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在ＧａＡｓ表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将ＧａＡｓ单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入Ｓ↓［２］Ｃｌ↓［２］...

一种制备纳米宽度有机导线的方法，采用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）技术。工作基质采用低压电双稳材料，先把电双稳材料蒸发到基体上成为均匀薄膜，再用ＳＴＭ技术在基体面上按预先设计的点、线或图形扫描。使扫描过的部分从绝缘态变为导电态，从而获得纳米宽...

本发明是一种超快速相变的有机电双稳器件。它利用通常作为螯合滴定用金属离子指示剂的一批单有机材料，如吡啶－（２－偶氮－４）雷琐辛（ＰＡＲ）及１－（２－吡啶偶氮）－２－萘酚（ＰＡＮ）等。这些材料在真空中制成薄膜（厚度约３０－１００纳米）后，...

本发明涉及一种新的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜以氧化铟为主氧化物，以六价元素钼或钨为掺杂元素。制备时，在玻璃基板上先镀一层氧化铟作为防护散阻挡层，然后掺杂，控制掺杂元素的掺入量，制得透明导电薄膜氧化铟钼（钨）。该薄膜具有良好的导电性...

本发明涉及一种制备金属有机配合物薄膜的方法，其步骤为，先用常规方法在衬底上形成一层金属薄膜，再将衬底及ＴＣＮＱ粉末置于密闭容器中，抽真空，加热，使金属膜原子与汽相有机分子反应，然后冷却至室温，即形成致密性、均匀性好的高质量金属有机配合物...

本发明涉及一种具有极性记忆效应的有机电双稳薄膜及其应用。该薄膜为有机分子材料ＳＣＮ和金属Ｍ的复合膜，Ｍ可为Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｔｉ等。该薄膜具有良好的电双稳态特性，并具有极性记忆效应，稳定性高、性能优良，可用于制作电存贮器和过压保护器等分...

本发明属红外探测器技术领域，具体为一种３－５μｍＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］／Ｓｉ异质结材料。该红外探测器工作波段为３－５μｍ，工作温度为８０Ｋ，最高可达到１０５...

本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种红外探测器的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料，其中ＳｉＧｅ的组份为：Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］，０．４５≤ｘ≤０．５５。该材料的工作波段为３－５μｍ，工作温度大于８０Ｋ，最高可达１０５Ｋ。由此制作的红外...

本发明属信息技术领域，具体涉及一种利用有机电双稳材料制备的具有三端功能的两端器件。该器件本身只有两个电极，却能达到“三端器件”的功能，故可用以代替普通的三端器件。它的制作工艺特别简单，可以用印刷法制成价格低廉的芯片。此外，本发明还可设计...

本发明属分子电子器件技术领域，具体为一种分子整流器及其制作工艺。分子整流器为由底电极、顶电极和有机分子取向膜构成的夹层结构，有机分子材料采用乙烯三腈的衍生物，尤其是ＤＭＰＥ、ＤＥＰＥ、ＤＰＰＥ等。该分子整流器的电极制作可采用真空热蒸发方...