【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种稳定有效的砷化镓材料及其器件钝化效果的保护膜的制备方法。砷化镓材料在制造高速器件方面有许多硅半导体所不及的优点。但它的性能的发挥一直被其高密度的表面态所限制。实验证明，硫钝化是解决这一问题的很有希望的方法。通过对表面氧化物的消除和S-Ga钝化层的生长，可以钝化表面缺陷，消除表面费米能级钉扎，从而提高砷化镓器件的性能。钝化效果可以分为电学特性钝化和化学钝化，前者指钝化膜与半导体界面处不存在界面态，并有足够高的势垒以阻止在器件工作时热载流子注入钝化层，后者指保护界面的钝化膜在器件的工作寿命内不会因温度和环境的影响而退化。较理想的电学特性钝化可以通过含硫的溶液方便地实现，特别是利用S2Cl2溶液处理(中国专利申请号94112024-4)，不但可以除去自然氧化层，而且有反应快，易控制，成膜质量高等特点。另外在器件钝化应用上还可以利用其绝缘性实时地观测钝化进程，掌握最佳的钝化时间。但是现有溶液钝化生长膜很薄，甚至是单原子层的，在光和氧存在的条件下很容易退化失效，这使得化学钝化很难实现。寻求长期稳定的钝化效果或有效的钝化保护措施，成为解决硫钝化实用性的关...
【技术保护点】
一种砷化镓材料及其器件表面钝化保护膜的制备方法，其特征在于将经过钝化处理后的砷化镓样品在真空生长室中，用束源炉中的硫镓化合物源，气相淀积方式在砷化镓上生长硫－镓键膜，其淀积条件为：（１）真空生长室真空度：１０－４τ－１０－８τ（２）束源炉的温度：５００－１２００℃（３）衬底温度：２０－４００℃（４）生长速率：１０－２－１０１／ｓ２．根据权利要求１所述的砷化镓材料及其器件表面钝化保护膜的制备方法，其特征在于更为适合的淀积条件是：（１）真空生长室真空度：１０－５τ－１０－６τ（２）束源炉的温度：７００－９００℃（３）衬底温度：１００－３００℃（４）生长速率：１０－１－１００／ｓ
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓材料及其器件表面钝化保护膜的制备方法，其特征在于将经过钝化处理后的砷化镓样品在真空生长室中，用束源炉中的硫镓化合物源，气相淀积方式在砷化镓上生长硫-镓键膜，其淀积条件为(1)真空生长室真空度10-4τ-10-8τ(2)束源炉的温度500-1200℃(3)衬底温度20-400℃(4)生长速率10-2-101/s2.根据权利要求1所述的砷化镓材料及其器件表面钝化保护膜的制备方法，其特征在于更为适合的淀积条件是(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹先安，陈溪滢，李深，丁训民，侯晓远，王迅，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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