一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备．在外延工艺中，由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同，在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂．本发明专利技术采用双层结构炉管，即外管用耐高温且密封性能良好的材料，内管用耐高温且对半导体外延片的性能不产生严重影响的材料做成．可将ＬＰＣＶＤ薄膜技术应用到外延中来，可以达到提高外延的生产效率，降低生产成本，改善外延层的厚度与掺杂均匀性．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备。目前，半导体工业中使用的单晶硅外延层一般是采用常压化学蒸汽淀积(CVD)或减压冷壁CVD技术制得的。外延炉管用石英玻璃材料制成。常压或减压冷壁外延技术的加热是通过高频感应或红外直接对基板和硅衬底片加热的，炉管温度较低，但温度不易控制(尤其是后者)，生产成本较高。并且前者由于每炉装片量小，外延层的厚度和掺杂分布均匀性差，影响了外延层的质量和生产效率;后者则由于是在减压系统中感应加热，使外延衬底片接触基板的一面(反面)同待外延的正面的上下温差较大，致使衬底因热应力而变形，不可避免地造成热应力滑移线，引起位错增殖等不良效应。为了克服以上缺点，本专利技术将薄膜技术中已有的直立密集片方式的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)薄膜技术应用到硅单晶外延中来。在热壁LPCVD多晶硅薄膜制备中，多晶硅薄膜除在衬底片上生长外，还将淀积在反应炉管内壁上。由于材料的不同，热膨胀系数的差异经常导致石英炉管发生裂损，因此在实际工作中需对炉管定期进行清洗处理。同样，若在LPCVD硅单晶外延中仍以单一石英玻璃管作为反应炉管，也将碰到这个问题，而且由于外延温本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备，一种用于低压化学蒸气淀积（ＬＰＣＶＤ）外延的炉管装置，其特征在于：上述炉管为由外层炉管〔１〕和内层衬管〔２〕组成的双层结构。

【技术特征摘要】
1.电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备，一种用于低压化学蒸气淀积(LPCVD)外延的炉管装置，其特征在于上述炉管为由外层炉管[1]和内层衬管[2]组成的双层结构。2.根据权利要求1所述的外延炉管，其特征在于其中进气的一端内外两层管端头用密封材料〔...

【专利技术属性】
技术研发人员：王季陶，张世理，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]