半导体器件的制造方法和系统技术方案

本文示出了一种改进的半导体器件的制作系统和方法．在此系统中，借助ＥＣＲ系统和ＣＶＤ系统的联合可以避免有害的溅射效应．在用联合系统淀积之前，在反应室内可以在基片上预形成一个子层，在不接触大气的情况下再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室，以使得这样形成的结有良好的特性．（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一半导体制造系统包括：一个具有一共振空间和一反应空间的真空室；用于把所述共振空间置于一磁场的磁场感应装置；用于输入微波到所述共振空间的一微波源；用于把生产气体引入到所述直空室的装置；以及用于抽空所述真空室的装置；所述 的系统其特征在于，所述的抽空装置是由一个真空泵和涡轮分子泵组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]