【技术实现步骤摘要】
该专利技术属于半导体器件表面处理方法。剖析集成电路芯片，对版形进行分析，从而获得电路的设计构思，线路图，探讨光刻掩膜版图的合理性，对优化设计，缩短设计周期，加速集成电路新品开发是一条捷径。离子注入掺杂区域的平面结构显示技术也是电路剖析技术之一。这是集成电路版面分析前必不可少的重要手段。传统的集成电路掺杂工艺采用扩散方法。扩散的结果是，在芯片的表面将留下各道扩散时在光刻氧化层“窗口”的图形。其边缘有氧化层台阶。从“窗口”不同氧化层颜色可以判断不同的扩散区域，如基区、发射区、电阻区等等。随着集成电路向高速、低耗、大规模、高集成度方向发展，掺杂工艺逐渐由离子注入工艺所代替。无论是MOS电路，还是双极型电路都这样。离子注入掺杂工艺可以用光刻胶做掩蔽，掺杂离子能穿透薄氧化层，进行定域掺杂。但掺杂区边缘就不存在氧化层台阶，一旦注入完毕，去除光刻胶后，在芯片表面则不会留下任何光刻过的图形。这样，用离子注入制备的全离子注入晶体管、高阻值电阻等在集成电路芯片上都看不见，看不到基区、发射区及电阻，只留下电极引出的引线孔(或称电极接触孔)。对这类版面要进行分析是根本不可能的。附图说明图1...
【技术保护点】
离子注入掺杂区域平面显示方法，其特征在于，所用显示液需由二次配制而成：（１）取下述比例的三氧化铬与水，配成贮存溶液：ＣｒＯ↓［３］：Ｈ↓［２］Ｏ＝０．４～０．６（克／毫升）（２）取０．５～２单位体积贮存液与１单位体积浓度为４０％ 的氢氟酸（ＨＦ），配成显示溶液。
【技术特征摘要】
1.离子注入掺杂区域平面显示方法，其特征在于，所用显示液需由二次配制而成(1)取下述比例的三氧化铬与水，配成贮存溶液CrO3∶H2O=0.4～0.6(克/毫升)(2)取0.5～2单位体积贮存液与1单位体积浓度为...
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