本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的三磷化四锡阴极材料及其制备方法。该阴极材料为通过反应性脉冲激光沉积法制备获得的三磷化四锡（Ｓｎ↓［４］Ｐ↓［３］）薄膜。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，可逆比容量为５５２ｍ...

本发明属电化学技术领域，具体涉及一种用于锂离子电池的磷化镍阴极材料。该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性。由磷化镍（Ｎｉ↓［２］Ｐ）薄膜制成的电极的可逆比容量为４００ｍＡｈ／ｇ...

本发明提供了一种有机场效应管（ＯＦＥＴ）器件及其制备方法。它包括一种可以用来传递取向效果的取向传递层，该种取向传递层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率。该绝缘层由硅烷偶联剂对表面进行处理形成的单分子膜，其可以将取向层的取向效果...

本发明属于分子电子器件和纳米机电系统技术领域，具体涉及一种动态分子基电子器件及其简易实现方法。该器件由基底、底电极、真空间隙、有机单分子层膜和顶电极构成，这种结构的器件对基底电极的要求不高，基底电极材料的选择也可以更广泛。本发明提出的动...

本发明属于分子电子技术领域，具体涉及一种以纳米金颗粒为电极的分子整流器件及其制备方法。本发明提出的分子整流器在结构上是一种“三明治”夹心结构，由底电极、分子整流材料及顶电极组成，其中底电极是纳米级平整的连续的金属膜，分子整流材料为含推电...

本发明属于分子基电子器件和铁电薄膜技术领域，具体涉及一种在室温下具有可逆电双稳特性的有机薄膜器件。器件结构为：金属－有机－金属（Ｍ↓［１］－Ｏｒｇａｎｉｃ－Ｍ↓［２］）结构。其中，二端的金属层做电极，中间的有机层（包括金属－有机界面）作...

本发明属于纳米发光材料制备技术领域，具体为一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法。其步骤包括利用离子束设备在硅片表面进行辐射，生成致密有序的硅量子共阵列，然后在真空蒸镀系统中蒸镀铝电极；在电化学腐蚀系统中在硅片背面蒸镀连接电源的电极，并最...

本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层ＳｉＯ↓［２］或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为２－５ｎｍ的钌薄膜...

本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层ＳｉＯ↓［２］或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积厚度为２－５ｎｍ的钌薄膜，然后经...

本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］∶Ｍ（Ｍ＝Ｗ，Ｍｏ）。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为３００－３...

本发明属于电化学技术技术领域，具体涉及一种具有电催化活性和光电活性的纳米结构有序ＴｉＯ↓［２］／金属阵列电极的制备方法。其制备过程分为二步：用阳极氧化方法制备ＴｉＯ↓［２］纳米管，用阴极电化学还原方法在ＴｉＯ↓［２］纳米管内沉积金属。由...

本发明涉及一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法。一种低压可擦写的纳米晶存储电容，以Ｐ型单晶硅片为衬底层，其上依序有：１）用原子层淀积的方法生长的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＨｆＯ↓［２］／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］纳米叠层薄膜作为电荷...

本实用新型属红外探测器技术领域，具体为一种３－５μｍＳｉＣｅ／Ｓｉ异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］／Ｓｉ异质结材料。该红外探测器工作波段为３－５μｍ，工作温度为８０Ｋ，最高可达到１...

带监控的真空铝膜腐蚀装置是用于半导体器件平面工艺中有关铝及其合金膜的图形腐蚀的关键设备。本装置由真空腐蚀室、终点检测器和讯号处理控制系统三大部分组成，与目前采用的湿法腐蚀工艺相比，具有腐蚀的全过程在低真空室中进行的特点，能及时排除腐蚀反...

在硅膜中心部位设置四端单元件力敏器件是利用某些特定形状的硅膜中心部分的应力变化缓慢的特点进行设计的．此设计可减少器件对工艺中定位偏差的敏感性．特别是提高了在小型化硅膜上制作器件的现实性．

本实用新型是一种模块化的ＬＥＤ封装结构。在一块六角形、正方形或三角形的铝基板上绑定多颗ＬＥＤ芯片，便于散热，每颗ＬＥＤ芯片对应一个经过设计的小透镜，使ＬＥＤ输出光接近平行光。如做大功率照明，可由多个这样的模块拼装成大功率ＬＥＤ灯具，灯具...

本实用新型属半导体力传感器领域，包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式，力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处，用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比，本器件体积小，灵敏度高，而且稳...

一种硅太阳能电池，由硅衬底、ｎ型材料和金属电极引线构成，其特征在于ｎ↑［＋］区和ｐ↑［＋］区成梳状交叉结构形式，使ｐ区被ｎ↑［＋］区部分覆盖；ｎ↑［＋］区的电极自表面引出，ｐ↑［＋］区的电极自表面和背面同时引出。

本实用新型是一种太阳能电池组件层压封装机，由封装室、加热装置、抽气系统组成。其中封装室的上、下层钢盖板之间有两层特质橡皮布，使封装室分成上、中、下三室。本装置结构简单、工艺简便、造价低廉。封装时，电池组件置于中室，组件原材料自下至上的次...

本实用新型属半导体压力传感器领域。包括硅芯片、安装芯片的底板和管座，引出线等，压阻器件与硅衬底之间有由多孔硅氧化法获得的二氧化硅介质层作为隔离层。该隔离层隔离性能优良，漏电流甚微，两个分离器件间的击穿电压超过２００伏，该传感器既保持了单...