一种纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，具体为一种纳米结构的薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池以一维无机纳米线阵列作为Ｎ型材料，该Ｎ型材料与Ｐ型的铜－铟－硒等材料组成具有光电转换性能的纳米结构的异质结。具体结构依次为玻璃基底、透明导电层、纳米线阵列、Ｐ型吸收层、电极。本发明专利技术结构可以大大提高电池的结面积，从而大大提高太阳能的利用效率。本发明专利技术可以制成两面受光的结构，便于航天、军事等特殊场合的使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种新型纳米结构的太阳能电池及其制 备方法。技术背景铜铟硒(CuInSe2简称CIS)类薄膜太阳能电池是一种I -HI-VI族化合物半导体[l-4]， 禁带宽度l.leV，具有良好的可见光吸收效率[5]，不存在光致衰退问题。传统的CIS薄膜 太阳能电池的结构如图l所示。CIS薄膜太阳能电池具有相对成本较低和高效[6]、抗紫外 辐射、轻便、灵活、柔性等特点，是最有产业化前景的高转换效率的薄膜太阳能电池[7]。 但是CIS薄膜是多元化合物，其电池性能对原子配比及晶格匹配不当而产生的结构缺陷非 常敏感[8],导致电池效率偏低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种利用效率高的薄膜太阳能电池及其制备方法。本专利技术提出的薄膜太阳能电池，以纳米技术制备的一维无机纳米线阵列作为N型材 料，再利用该N型材料与P型的铜-铟-硒、铜-铟-硫或铜-铟-镓-硒材料组成具有光电转换 性能的纳米结构的异质结。这样可以大大提高电池的结面积，从而大大提高太阳能的利用 效率，进而提高整个太阳能电池的转换效率。该高效率的太阳能电池的另一个好处是可以 制成两面受光的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米结构薄膜太阳能电池，其特征在于具体结构如下：以玻璃为基底，在其上有一层透明导电层；在导电层上有用溶液法或其它纳米线制备方法制备的ＺｎＯ、ＴｉＯ↓［２］或Ｃｕ↓［２］Ｏ材料的纳米线阵列；在纳米线阵列上有一层Ｐ型吸收层；上面是电极。

【技术特征摘要】
1一种纳米结构薄膜太阳能电池，其特征在于具体结构如下以玻璃为基底，在其上有一层透明导电层；在导电层上有用溶液法或其它纳米线制备方法制备的ZnO、TiO2或Cu2O材料的纳米线阵列；在纳米线阵列上有一层P型吸收层；上面是电极。2、根据权利要求1所述的纳米结构薄膜太阳能电池，其特征在于所述的透明导电层 材料为IT0、 Ti02或Zn0。3、 根据权利要求1所述的纳米结构薄膜太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国荣，郑凯波，李静雷，沈浩颋，孙大林，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[]