一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法技术

一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响这两个基本过程，即影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明专利技术在有机半导体的薄区域１－１０ｎｍ进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为０．１∶１－１０∶１。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。有机电致发光来源于电子和空穴在发光区域的复合，当在发光区域外的空穴传输区域一侧（远离发光位置，以排除金属猝灭的影响）的一个薄区域进行铝掺杂后器件不出现电致发光，说明空穴在铝掺杂区域被完全阻挡住了，实验表明在不同的有机半导体材料ＮＰＢ和Ａｌｑ中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及有机发光器件领域，具体的是一种有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法。
技术介绍
目前，基于有机半导体材料的器件研究方兴未艾，从能源领域的有机太阳能电池，到信息显示显像领域的有机电致发光器件，以及到与现代微电子学相关的模仿传统无机半导体的各种功能性元器件(除了电注入有机半导体激光二极管没有实现外)都已得到了充分的展示，体现出了有机半导体强劲的发展势头和巨大的应用潜力。所有这些基于有机半导体的功能性器件的诸多性质，都直接涉及和决定于两种荷电载体的传输过程，即电子和空穴的传输过程。如果对于载流子的传输行为能够进行有效的调控，就具有了有效的技术手段设计和制作出特定性能的有机半导体器件。有机电致发光器件，就是将有机半导体薄膜夹在具有适当功函数的两个电极之间，在正向偏压下，电子和空穴能同时有效地注入到有机半导体薄膜中形成激子复合发光，其典型的结构如图1所示。这种有机半导体器件结构，可以通过其发光性质，敏感地标志其载流子在半导体薄膜中传输的某些情况，是一种有效的研究有机半导体中载流子传输行为的器件结构。事实上在有机半导体的任意指定位置完全阻挡空穴的效应(通过指定位置附近薄区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，其特征是在有机层的任一位置进行薄区域１－１０ｎｍ铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为０．１∶１～１０∶１。

【技术特征摘要】
1.一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，其特征是在有机层的任一位置进行薄区域1-10nm铝掺杂，掺杂浓度是铝对...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓远，王子君，丁训民，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]