独山中科晶元信息材料有限公司专利技术

独山中科晶元信息材料有限公司共有27项专利

  • 本技术公开了一种砷化镓回收粉碎设备,包括回收处理装备主体和粉碎回收处理装置,所述回收处理装备主体的右侧设置有消防箱,所述回收处理装备主体的内外侧设置有粉碎回收处理装置。本技术通过集料盒将粉碎后的砷化镓送入传送支撑底座中,传动轴用于为碎料...
  • 本技术公开了一种砷化镓加工用混合装置,包括箱体和混合机构,通过输送管道将热风输送至热风输送支管,通过第二电机带动连接柱旋转,进而带动热风输送支管旋转,通过通孔将连接管内热风均匀分散于导热层外侧,实现迅速将热量传递到整个导热层,以达到更快...
  • 本实用新型涉及半导体制备技术领域,且公开了一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置,包括生长管、底座、放置架、舟型器皿、籽晶,所述底座固定安装在生长管的内壁,所述放置架设置在底座的顶部,所述放置架分为上下两层,所述放置架的外部设置有固定装置。该...
  • 本实用新型涉及半导体单晶生产技术领域,且公开了一种新型砷化镓单晶生长装置,包括固定座、加热炉支撑架、加热炉、石英管、氮化硼坩埚、籽晶,所述加热炉支撑架固定安装在固定座的顶部,所述加热炉的数量为四个,四个所述加热炉分别固定安装在加热炉支撑...
  • 本实用新型涉及晶体加工技术领域,且公开了一种砷化镓位错腐蚀加热设备,包括炉体、真空层、加热电偶、坩埚、插块、炉盖、支撑腿,所述炉体的顶部为开口设置,所述真空层设置在炉体的内部,所述炉体的内部设置有多晶片位错腐蚀装置。该砷化镓腐蚀加热设备...
  • 本实用新型涉及划线尺技术领域,公开了一种改进型砷化镓单晶锭定向划线尺,包括底架,所述底架的顶部通过轴承转动安装有顶柱,顶柱上开设有内槽,内槽内滑动插接有滑架,滑架上通过螺纹安装有旋块。本实用新型通过转动转块可使螺纹杆向下运动,滑板与底板...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓多晶的合成装置,包括炉体,所述炉体的顶部内壁开设有台阶槽,炉体的顶端内部放置有炉盖,炉体的顶部两侧分别固定设置有固定凸耳和轴座,轴座内通过转动安装有安装板,安装板一端固定安装有螺纹杆,安装板整体延炉体的径向设置...
  • 本实用新型公开了一种可调节的砷化镓单晶锭定向划线尺,包括尺板,所述尺板一端设置有轴承杆,所述尺板与轴承杆垂直设置,所述尺板与轴承杆焊接,所述轴承杆底部固定连接有第一横板,所述第一横板截面形状设置为L字形,所述第一横板底部固定连接有第一竖...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓废料回收装置,包括箱体,所述箱体内部设有收集机构,所述收集机构包括固定筒,所述固定筒贯穿箱体设置,所述固定筒一侧开设有第一收集槽,所述固定筒另一侧开设有第二收集槽,所述固定筒内壁开设有环形槽,所述环形槽顶部开设...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓生产的废水除砷用过滤装置,包括废水处理箱,所述废水处理箱内部设有沉淀过滤室,所述沉淀过滤室一侧设有废水反应室,所述沉淀过滤室另一侧设有滤水暂存室,所述废水反应室与沉淀过滤室之间设有第一分隔板,所述滤水暂存室与沉...
  • 本实用新型公开了一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置,包括生长管,所述生长管底部设有底座,所述生长管内部设有两个舟型器皿,所述生长管内部开设有两个第一滑槽,两个所述舟型器皿分别与两个第一滑槽滑动连接,所述生长管内部固定连接有固定块,所述固定...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉,包括坩埚本体,所述坩埚本体顶部设有顶盖,所述顶盖与坩埚本体可拆卸连接,所述顶盖顶部开设有通孔,所述通孔内部设有支撑杆,所述通孔内壁设有内螺纹。本实用新型通过支撑杆与顶盖螺纹连接,支撑杆底部...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置,包括混凝池、反应池和储水池,所述反应池和所述储水池分列于所述混凝池两侧,所述反应池和所述混凝池通过供液组件连通,且所述混凝池内部设置有用以向储水池内排水的排水组件,所述混凝池底部设置...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚,包括坩埚本体和顶盖,所述坩埚本体顶部加工成型有环形的外翻边,所述顶盖套装在所述坩埚本体上方,所述顶盖上方设置有提手,所述坩埚本体内壁加工成型有至少两个导向槽,所述顶盖下方设置有对应所述导向槽...
  • 本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备,包括形状相适配的石墨坩埚和热解氮化硼坩埚,所述热解氮化硼坩埚嵌套在所述石墨坩埚的内部,所述石墨坩埚和所述热解氮化硼坩埚的下端设置有籽晶嵌头,所述籽晶嵌头的内部开设有用于放置籽晶的通槽...
  • 本实用新型公开了一种多室砷化镓单晶生长炉,包括支撑杆,所述支撑杆上表面安装有承载板,所述承载板底面设置有若干顶部安装筒,所述顶部安装筒以所述支撑杆的轴线为中心圆周阵列布置,所述顶部安装筒下端安装有加热炉,所述加热炉形成从上至下温度逐渐变...
  • 本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置,包括多段加热炉、载管和石英反应管,所述载管设置于所述多段加热炉内部,所述石英反应管设置于载管内部,且所述石英反应管两端外侧设置有用以支撑该石英反应管的引导组件,所述石英反应管内侧一端设置...
  • 本实用新型公开了一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器,包括箱体,所述箱体通过转轴安装有活动门,所述箱体的内底面安装有竖直的伸缩杆和固定竖板,所述伸缩杆的顶端固定连接有托盘,所述托盘的上表面放置有坩埚本体,下表面滑动连接有收集槽,所述固定竖板的...
  • 本实用新型公开了一种砷化镓的多晶合成装置,包括炉膛和反应容器,所述炉膛前后两侧沿竖直方向固定有多个电加热器,所述炉膛底部内侧固定连接有固定夹板。有益效果在于:本实用新型通过半球形密封帽部分陷入固定夹板的方式固定下腔,同时通过活动夹板下降...
  • 本实用新型公开了一种生长砷化镓单晶的温控炉,包括温控炉本体,所述温控炉本体的内壁安装有保温罩,所述保温罩的内腔设置有坩埚和石墨加热器,所述坩埚的底部设置有放置架,所述放置架由两个弧形固定杆和一个固定环连接组成,所述放置架的内侧开设有限位...