一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置，包括混凝池、反应池和储水池，所述反应池和所述储水池分列于所述混凝池两侧，所述反应池和所述混凝池通过供液组件连通，且所述混凝池内部设置有用以向储水池内排水的排水组件，所述混凝池底部设置有排废组件。有益效果在于：本实用新型专利技术通过抽水管将混凝池内上层清液抽出，混凝池内液体减少的同时，泡沫板跟随液位下降，从而支撑排水部向下移动，确保抽水管进水端始终处于液面上层清液位置，改善现有设备排水初期排水口吸入废水中层凝絮的弊端，防止排水口过滤设备阻塞，确保排水管路通畅性。

An arsenic removal device for waste water from GaAs wafer production and processing

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置
本技术涉及砷化镓生产废水处理领域，具体涉及一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置。
技术介绍
在砷化镓晶体的合成、生长、切割、研磨、抛光、清洗等过程中会产生大量含砷废水，目前，对此类废水的处理主要侧重于化学沉淀法除砷。通过向废水中投加次氯酸钠和二氧化氯作为氧化剂，对废水中的亚砷酸根进行预氧化，而后通过三氯化铁和聚合氯化铝作为混凝剂，从而将溶解态砷转化为不溶态砷沉淀，达到除砷效果。本申请人发现现有技术中至少存在以下技术问题：现有设备除砷大多通过混凝池将水解的金属离子与砷酸根形成沉淀，在沉淀完成后将上层清液与沉淀分离，从而除去废水中的砷，由于排水管需要将上层清液完全排出，需要将排水口设置于混凝池内侧中部，且排水口位置固定，导致排水初期排水口处于废水中层位置，无法仅抽取上层清液，且未完全沉淀的混凝物易对排水口处过滤设备造成堵塞，影响排水管路通畅性，需要频繁清理，实用性差。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置，排水过程中，将排水管口跟随水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置，其特征在于：包括混凝池(2)、反应池(3)和储水池(6)，所述反应池(3)和所述储水池(6)分列于所述混凝池(2)两侧，所述反应池(3)和所述混凝池(2)通过供液组件(4)连通，且所述混凝池(2)内部设置有用以向储水池(6)内排水的排水组件(5)，所述混凝池(2)底部设置有排废组件(1)；/n所述排水组件(5)包括泡沫板(501)和排水部(502)，所述泡沫板(501)漂浮于所述混凝池(2)内部水面，所述排水部(502)设置于泡沫板(501)顶部中心，所述泡沫板(501)底部四角均设置有用以支撑泡沫板(501)的支撑杆(504)，且所述泡沫板(501)...

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置，其特征在于：包括混凝池(2)、反应池(3)和储水池(6)，所述反应池(3)和所述储水池(6)分列于所述混凝池(2)两侧，所述反应池(3)和所述混凝池(2)通过供液组件(4)连通，且所述混凝池(2)内部设置有用以向储水池(6)内排水的排水组件(5)，所述混凝池(2)底部设置有排废组件(1)；
所述排水组件(5)包括泡沫板(501)和排水部(502)，所述泡沫板(501)漂浮于所述混凝池(2)内部水面，所述排水部(502)设置于泡沫板(501)顶部中心，所述泡沫板(501)底部四角均设置有用以支撑泡沫板(501)的支撑杆(504)，且所述泡沫板(501)顶部设置有安装板；
所述排水部(502)包括抽水泵(502a)、抽水管(502b)和排水软管(502c)，所述抽水泵(502a)固定于所述安装板顶部中心，且所述抽水管(502b)一端与所述抽水泵(502a)进水端相接，另一端贯穿泡沫板(501)延伸到所述混凝池(2)内，所述排水软管(502c)一端与所述抽水泵(502a)出水端相接，另一端放置于所述储水池(6)内；
所述泡沫板(501)靠近供液组件(4)一侧设置有用以废水通过的凹槽(501a)。


2.根据权利要求1所述一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置，其特征在于：所述排废组件(1)包括排废斗(101)和设置于该排废斗(101)底部的排废管(102)，所述排废斗(101)固定于...

【专利技术属性】
技术研发人员：代晓波，
申请(专利权)人：独山中科晶元信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52