【技术实现步骤摘要】
一种新型砷化镓单晶生长装置
[0001]本技术涉及半导体单晶生产
,具体为一种新型砷化镓单晶生长装置。
技术介绍
[0002]砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等,由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用,用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
[0003]通常运用布里奇曼法进行砷化镓单晶的制备,布里奇曼法分为水平布里奇曼法和垂直布里奇曼法,由于水平布里奇曼法制备出的砷化镓单晶在使用时损耗量较大,因此通常使用垂直布里奇曼法,又称垂直梯度凝固法,其工艺流程大致为:将合成好的砷化镓多晶料以及籽晶等装入坩埚并密封在抽真空的石英管中,将装好多晶料的石英管垂直放入立式多温区单晶生长炉中,单晶生长炉从下往上分为独立加热的几个温区,生长过程中热场由计算机精确控制,进行升温化料,温度保持、接籽晶、等径生长、降温等过程,生长界面由下端逐渐向上移动,在一定的温度梯度下,单晶从籽晶端开始缓慢向上生长,然而现有的生长装置对砷化镓单晶进行制备时,通常采用单室制备的方式,存在生产效率较低的问题。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本技术提供了一种新型砷化镓单晶生长装置,具备使四个石英管同时在四个加热炉内部进行升降旋转,使四个单晶同步生长的优点,解决了生产效率较低的问题。
[0006](二)技术方案
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型砷化镓单晶生长装置,包括固定座(1)、加热炉支撑架(2)、加热炉(3)、石英管(4)、氮化硼坩埚(5)、籽晶(6),其特征在于:所述加热炉支撑架(2)固定安装在固定座(1)的顶部,所述加热炉(3)的数量为四个,四个所述加热炉(3)分别固定安装在加热炉支撑架(2)的前后左右侧,四个所述加热炉(3)的顶部和底部均设置有开口,所述加热炉(3)由外炉体(301)、内胆(302)、真空层(303)、电热管(304)构成,所述内胆(302)固定安装在外炉体(301)的内侧,所述真空层(303)设置在外炉体(301)和内胆(302)之间,所述电热管(304)从上至下均匀设置在真空层(303)的内部左右两侧,所述石英管(4)、氮化硼坩埚(5)、籽晶(6)的数量均为四个,四个所述石英管(4)分别设置在四个所述加热炉(3)的内部,四个所述氮化硼坩埚(5)分别放置在四个所述石英管(4)的内部,四个所述氮化硼坩埚(5)的底部均设置有凹槽,四个所述籽晶(6)分别放置在四个所述氮化硼坩埚(5)的凹槽内,四个所述石英管(4)的管口处均固定安装有环形边沿板(7),所述加热炉(3)的上方设置有升降转动装置(8),所述升降转动装置(8)包括L型支撑板(801)、回型板(802)、连接块(803)、滑块(804)、L型固定板(805)、电机(806)、转轴(807)、一号锥齿轮(808)、大齿轮(809)、固定块(810)、绕绳辊(811)、一号转杆(812)、二号锥齿轮(813)、拉绳(814)、二号转杆(815)、小齿轮(816)、U型杆(817)、环形挡板(818),所述L型支撑板(801)固定安装在固定座(1)的顶部,所述回型板(802)设置在L型支撑板(801)的右侧,所述连接块(803)的左右两侧外壁分别与滑块(804)的外壁和回型板(802)的外壁固定连接,所述L型支撑板(801)的外壁开设有滑槽,所述滑块(804)在L型支撑板(801)的滑槽内滑动连接,所述L型固定板(805)固定安装在回型板(802)的顶部,所述电机(806)的输出端贯穿L型固定板(805)的外壁通过联轴器与转轴(807)的一端固定连接,所述转轴(807)的另一端依次贯穿一号锥齿轮(808)的外壁、回型板(802)的顶部和大齿轮(809)的外壁通过一号轴承与回型板(802)的内壁活动连接,所述转轴(807)分别与一号锥齿轮(808)和大齿轮(809)固定连接,所述转轴(807)与回型板(802)的顶部活动连接,所述固定块(810)固定安装在回型板(802)的顶部,所述绕绳辊(811)固定安装在一号转杆(812)的一端,所述一号转杆(812)的另一端贯穿固定块(810)的外壁通过二号轴承与固定块(810)活动连接,所述二号轴承的外圈外壁与固定块(810)的外壁固定连接,所述一号转杆(812)的外壁与二号轴承的内圈外壁固定连接,所述二号锥齿轮(813)固定安装在一号转杆(812)的另一端,所述一号锥齿轮(808)与...
【专利技术属性】
技术研发人员:代晓波,吕利宁,蒙泽志,彭春文,彭海松,粟誉,
申请(专利权)人:独山中科晶元信息材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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