一种砷化镓位错腐蚀加热设备制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体加工技术领域，且公开了一种砷化镓位错腐蚀加热设备，包括炉体、真空层、加热电偶、坩埚、插块、炉盖、支撑腿，所述炉体的顶部为开口设置，所述真空层设置在炉体的内部，所述炉体的内部设置有多晶片位错腐蚀装置。该砷化镓腐蚀加热设备，通过转动转柄使螺杆转动，带动连接杆在U型板的滑道内滑动，防止活动块随着螺杆转动而旋转，根据不同砷化镓晶片的厚度，使砷化镓晶片的两侧与U型板和活动板贴合，通过启动电机使转轴转动，带动放置板和四个砷化镓晶片持续转动，氢氧化钾熔融液从U型板和活动板的通孔渗入，对不同厚度的晶片同时进行位错腐蚀，实现了提高实验效率的效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓位错腐蚀加热设备


[0001]本技术涉及晶体加工
，具体为一种砷化镓位错腐蚀加热设备。

技术介绍

[0002]砷化镓(GaAs)是目前生产量最大、应用最广泛，是仅次于硅的最重要的半导体材料，砷化镓作为第二代III
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V族化合物半导体材料，是一种性能优异的电子信息功能材料，它具有高速、高频、耐高温、低噪声和发光等特点，与Si相比，GaAs的电子运动速度很高，用它可以制备工作频率高达100GHz，可满足具有远程通讯微波器件的需求，由于砷化镓自身的固有优点，使其在卫星数据传输、通信、微电子、光电子领域具有关键性应用。位错作为一种重要的线缺陷，它严重影响GaAs材料的电学和光学特性，化学腐蚀法作为一种简单、方便的探测方法，被广泛应用于分析、研究半导体材料的缺陷及其特性，一般显示砷化镓单晶位错的方法有AB腐蚀法和KOH腐蚀法。在GaAs 单晶中的沉淀、位错等缺陷处，晶格原子的周期排列被破坏，晶格发生畸变，应变比较大，在某些化学腐蚀剂中晶体缺陷处与非缺陷处腐蚀速率不同，利用这种异常的物理化学效应，在表面选择性的侵蚀，从而形成特定的腐蚀图形，AB腐蚀和KOH腐蚀就是利用上述原理，通过观察腐蚀坑的形态，判断晶体中存在的缺陷。
[0003]在热腐蚀砷化镓单晶样品时，先要将氢氧化钾放在铂或银坩埚内加热至熔融并澄清后，再将砷化镓样品放入氢氧化钾熔融液体中腐蚀，然而现有的位错腐蚀加热设备在对多个不同厚度的砷化镓晶片位错腐蚀时，需要分多次进行实验，导致实验效率不理想。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种砷化镓位错腐蚀加热设备，具备对不同厚度的晶片同时进行位错腐蚀等优点，解决了实验效率较低的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种砷化镓位错腐蚀加热设备，包括炉体、真空层、加热电偶、坩埚、插块、炉盖、支撑腿，所述炉体的顶部为开口设置，所述真空层设置在炉体的内部，所述加热电偶从上至下均匀设置在真空层的内部，所述坩埚放置在炉体的内壁底部，所述插块的数量为两个，两个所述插块分别固定安装在坩埚的底部左右两侧，所述炉体的内壁底部开设有插槽，两个所述插块分别与炉体的插槽插接，所述炉盖盖设在炉体顶部的开口处，所述支撑腿的数量为四个，四个所述支撑腿分别固定安装在炉体的底部四角，所述炉体的内部设置有多晶片位错腐蚀装置，所述多晶片位错腐蚀装置包括电机、转轴、一号轴承、坩埚盖、放置板、U型板、固定板、转柄、螺杆、活动块、连接杆、活动板、一号滑块，所述电机的输出端贯穿炉盖的顶部通过联轴器与转轴的一端固定连接，所述转轴的另一端穿过一号轴承的内圈与放置板的外壁固定连接，所述转轴的外壁与一号轴承的内圈外壁固定连接，所述坩埚盖的顶部开设有孔洞，所述一号轴承的外圈外壁与坩埚盖孔洞的内壁固定连接，所述坩埚盖盖设在坩埚的顶部，所述U型板、固定板、转柄、螺杆、活
动块、连接杆、活动板、一号滑块的数量均为四个，四个所述固定板分别固定安装在四个所述U型板的外壁，四个所述转柄分别固定安装在四个所述螺杆的一端，四个所述螺杆的另一端分别贯穿四个所述活动块的外壁通过二号轴承与四个所述固定板的外壁活动连接，四个所述螺杆分别与四个所述活动块螺纹连接，四个所述U型板的前侧外壁均开设有滑道，四个所述连接杆的一端分别与四个所述活动块的外壁固定连接，四个所述连接杆的另一端分别穿过滑道与四个所述活动板的外壁固定连接，四个所述连接杆分别在滑道内滑动连接，四个所述一号滑块分别固定安装在四个所述活动板的外壁，四个所述U型板的后侧内壁开设有滑槽，四个所述一号滑块分别在四个所述U型板的滑槽内滑动连接。
[0008]优选的，所述电机固定安装在炉盖的顶部，四个所述U型板分别间隔均匀固定安装在放置板的顶部。
[0009]优选的，四个所述支撑腿的底部均开设有凹槽，四个所述凹槽的内部均设置有移动装置，一个所述移动装置包括液压缸、滑动板、二号滑块、移动轮，所述液压缸固定安装在凹槽的内壁，所述液压缸的输出端与滑动板的外壁固定连接，所述二号滑块的数量为两个，两个所述二号滑块分别固定安装在滑动板的左右两侧外壁，所述凹槽的左右两侧内壁均开设有滑槽，两个所述二号滑块分别在凹槽左右两侧内壁的滑槽内滑动连接，所述移动轮固定安装在滑动板的底部。
[0010]优选的，所述炉盖的顶部左右两侧均固定安装有抓柄。
[0011]优选的，所述电机的外部固定安装有保护壳。
[0012]优选的，所述炉盖的底部设置有保温棉。
[0013]优选的，四个所述U型板的左侧外壁和四个所述活动板的外壁分别均匀开设有通孔。
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种砷化镓位错腐蚀加热设备，具备以下有益效果：
[0015]1、该砷化镓腐蚀加热设备，通过转动转柄使螺杆转动，带动连接杆在U 型板的滑道内滑动，防止活动块随着螺杆转动而旋转，根据不同砷化镓晶片的厚度，使砷化镓晶片的两侧与U型板和活动板贴合，通过启动电机使转轴转动，带动放置板和四个砷化镓晶片持续转动，氢氧化钾熔融液从U型板和活动板的通孔渗入，对不同厚度的晶片同时进行位错腐蚀，实现了提高实验效率的效果。
[0016]2、该砷化镓腐蚀加热设备，通过启动液压缸使滑动板向下移动，将移动轮从支撑腿的凹槽内伸出，即可推动炉体移动，通过使滑动板向上移动，即可收回移动轮，将炉体放下稳定，实现了便于移动加热炉的效果。
附图说明
[0017]图1为本技术结构示意图；
[0018]图2为本技术多晶片位错腐蚀装置的正面剖视图；
[0019]图3为本技术U型板的俯视剖视图；
[0020]图4为本技术移动装置的正面剖视图。
[0021]其中：1、炉体；2、真空层；3、加热电偶；4、坩埚；5、插块；6、炉盖；7、支撑腿；8、多晶片位错腐蚀装置；801、电机；802、转轴；803、一号轴承；804、坩埚盖；805、放置板；806、U型
板；807、固定板；808、转柄；809、螺杆；810、活动块；811、连接杆；812、活动板；813、一号滑块； 9、移动装置；901、液压缸；902、滑动板；903、二号滑块；904、移动轮； 10、抓柄；11、保护壳；12、保温棉。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]请参阅图1
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3，炉体1的顶部为开口设置，真空层2设置在炉体1的内部，加热电偶3从上至下均匀设置在真空层2的内部，坩埚4放置在炉体1的内壁底部，插块5的数量为两个，两个插块5分别固定安装在坩埚4的底部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓位错腐蚀加热设备，包括炉体(1)、真空层(2)、加热电偶(3)、坩埚(4)、插块(5)、炉盖(6)、支撑腿(7)，其特征在于：所述炉体(1)的顶部为开口设置，所述真空层(2)设置在炉体(1)的内部，所述加热电偶(3)从上至下均匀设置在真空层(2)的内部，所述坩埚(4)放置在炉体(1)的内壁底部，所述插块(5)的数量为两个，两个所述插块(5)分别固定安装在坩埚(4)的底部左右两侧，所述炉体(1)的内壁底部开设有插槽，两个所述插块(5)分别与炉体(1)的插槽插接，所述炉盖(6)盖设在炉体(1)顶部的开口处，所述支撑腿(7)的数量为四个，四个所述支撑腿(7)分别固定安装在炉体(1)的底部四角，所述炉体(1)的内部设置有多晶片位错腐蚀装置(8)，所述多晶片位错腐蚀装置(8)包括电机(801)、转轴(802)、一号轴承(803)、坩埚盖(804)、放置板(805)、U型板(806)、固定板(807)、转柄(808)、螺杆(809)、活动块(810)、连接杆(811)、活动板(812)、一号滑块(813)，所述电机(801)的输出端贯穿炉盖(6)的顶部通过联轴器与转轴(802)的一端固定连接，所述转轴(802)的另一端穿过一号轴承(803)的内圈与放置板(805)的外壁固定连接，所述转轴(802)的外壁与一号轴承(803)的内圈外壁固定连接，所述坩埚盖(804)的顶部开设有孔洞，所述一号轴承(803)的外圈外壁与坩埚盖(804)孔洞的内壁固定连接，所述坩埚盖(804)盖设在坩埚(4)的顶部，所述U型板(806)、固定板(807)、转柄(808)、螺杆(809)、活动块(810)、连接杆(811)、活动板(812)、一号滑块(813)的数量均为四个，四个所述固定板(807)分别固定安装在四个所述U型板(806)的外壁，四个所述转柄(808)分别固定安装在四个所述螺杆(809)的一端，四个所述螺杆(809)的另一端分别贯穿四个所述活动块(810)的外壁通过二号轴承与四个所述固定板(807)的外壁活动连接，四个所述螺杆(809)分别与四个所述活动块(...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭海松，吕利宁，代晓波，彭春文，蒙泽志，粟誉，
申请(专利权)人：独山中科晶元信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：