一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体，所述坩埚本体顶部设有顶盖，所述顶盖与坩埚本体可拆卸连接，所述顶盖顶部开设有通孔，所述通孔内部设有支撑杆，所述通孔内壁设有内螺纹。本实用新型专利技术通过支撑杆与顶盖螺纹连接，支撑杆底部固定连接有托起块，托起块外表面设有凸条，根据砷化镓晶体的产量多少，转动旋转块，将支撑杆下移或上移，则托起块下移或上移，形成的砷化镓晶体包覆在托起块和凸条外侧，凸条增大砷化镓晶体对托起块的附着度，然后通过向上拉动把手，把砷化镓晶体从坩埚本体内部取出，本装置便于根据砷化镓晶体产量的多少对留存在坩埚内部的晶体取出，提升砷化镓晶体的收集效率。提升砷化镓晶体的收集效率。提升砷化镓晶体的收集效率。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉


[0001]本技术涉及砷化镓制备
，具体涉及一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉。

技术介绍

[0002]砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，砷化镓多晶的主要用途有两种：一、作为制备砷化镓单晶的原料；二、作为液相外延工艺中制备外延片的原料，外延片用于制备红外LED和普通红光LED，这两种用途都要求制备得到的多晶中杂质含量少，镓砷比接近1∶1，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，目前，砷化镓多晶合成技术主要有高压法合成多晶、水平布里奇曼法和水平梯度凝固法三种，高压法合成多晶需要在高压炉中进行，多采用石英坩埚作为反应容器，同时在制备过程中需要利用加热组件对石英坩埚外壁进行升温处理并进行温度调节。
[0003]但是，目前的坩埚结构简单，在砷化镓晶体制造完毕后，不便于根据砷化镓晶体的产量多少对留存在坩埚内部的晶体取出。
[0004]因此，专利技术一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，通过支撑杆与顶盖螺纹连接，支撑杆底部固定连接有托起块，托起块外表面设有凸条，根据砷化镓晶体的产量多少，转动旋转块，将支撑杆下移或上移，则托起块下移或上移，则形成的砷化镓晶体包覆在托起块和凸条外侧，凸条增大砷化镓晶体对托起块的附着度，然后通过向上拉动把手，把砷化镓晶体从坩埚本体内部取出，本装置便于根据砷化镓晶体产量的多少对留存在坩埚内部的晶体取出，提升砷化镓晶体的收集效率，提高晶体收集率，以解决技术中的上述不足之处。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体，所述坩埚本体顶部设有顶盖，所述顶盖与坩埚本体可拆卸连接，所述顶盖顶部开设有通孔，所述通孔内部设有支撑杆，所述通孔内壁设有内螺纹，所述支撑杆外表面顶部设有外螺纹，所述内螺纹与外螺纹相匹配，所述支撑杆与顶盖通过螺纹连接，所述支撑杆顶部固定连接有旋转块，所述支撑杆底部固定连接有托起块，所述支撑杆外表面底部套接有弹簧，所述弹簧底部与托起块顶部固定连接，所述托起块外表面固定连接有凸条，所述凸条截面形状设置为圆形，所述凸条数量设置为多个。
[0007]优选的，所述通孔数量设置为四个，四个所述通孔呈圆形阵列分布于顶盖顶部。
[0008]优选的，所述托起块数量设置为四个，所述托起块截面形状设置为梯形。
[0009]优选的，所述顶盖顶部固定连接有把手，所述把手外表面设有防滑层。
[0010]优选的，所述坩埚本体外表面顶部固定连接有支撑环，所述支撑环截面形状设置为圆形。
[0011]优选的，所述支撑环数量设置为多个，多个所述支撑环均匀分布在坩埚本体外表面。
[0012]在上述技术方案中，本技术提供的技术效果和优点：
[0013]1、通过支撑杆与顶盖螺纹连接，支撑杆底部固定连接有托起块，托起块外表面设有凸条，根据砷化镓晶体的产量多少，转动旋转块，将支撑杆下移或上移，则托起块下移或上移，则形成的砷化镓晶体包覆在托起块和凸条外侧，以及支撑杆和弹簧外侧，凸条增大砷化镓晶体对托起块的附着度，弹簧增大砷化镓晶体的附着度，然后通过向上拉动把手，把砷化镓晶体从坩埚本体内部取出，本装置便于根据砷化镓晶体产量的多少对留存在坩埚内部的晶体取出，提升砷化镓晶体的收集效率，提高晶体收集率；
[0014]2、通过设有多个支撑环，方便配合固定装置对坩埚本体不同高度位置进行固定，方便调节坩埚本体加热位置，提高晶体的质量，提高生产效率。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本技术的整体结构示意图；
[0017]图2为本技术剖视图；
[0018]图3为本技术俯视图；
[0019]图4为本技术图2中A部分结构放大图；
[0020]图5为本技术托起块俯视图。
[0021]附图标记说明：
[0022]1、坩埚本体；2、顶盖；3、通孔；4、支撑杆；5、旋转块；6、托起块；7、凸条；8、把手；9、防滑层；10、支撑环；11、弹簧。
具体实施方式
[0023]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍。
[0024]本技术提供了如图1
‑
5所示的一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体1，所述坩埚本体1顶部设有顶盖2，所述顶盖2与坩埚本体1可拆卸连接，所述顶盖2顶部开设有通孔3，所述通孔3内部设有支撑杆4，所述通孔3内壁设有内螺纹，所述支撑杆4外表面顶部设有外螺纹，所述内螺纹与外螺纹相匹配，所述支撑杆4与顶盖2通过螺纹连接，所述支撑杆4顶部固定连接有旋转块5，所述支撑杆4底部固定连接有托起块6，所述支撑杆4外表面底部套接有弹簧11，所述弹簧11底部与托起块6顶部固定连接，所述托起块6外表面固定连接有凸条7，所述凸条7截面形状设置为圆形，所述凸条7数量设置为多个，在使用时，根据砷化镓晶体的产量多少，转动旋转块5，将支撑杆4下移或上移，则托起块6下移或上移，使最终生成的砷化镓产物顶面高度需高于托起块6顶面高度，则形成的砷化镓晶体包覆在托起块6和凸条7外侧，凸条7增大砷化镓晶体对托起块6的附着度，然后把砷化镓晶体从坩埚本体1内部取出，本装置便于根据砷化镓晶体产量的多少对留存在坩埚内部的晶体取出，提升
砷化镓晶体的收集效率，提高晶体收集率。
[0025]进一步的，在上述技术方案中，所述通孔3数量设置为四个，四个所述通孔3呈圆形阵列分布于顶盖2顶部，通孔3内壁设有内螺纹，支撑杆4外表面顶部设有外螺纹，内螺纹与外螺纹相匹配。
[0026]进一步的，在上述技术方案中，所述托起块6数量设置为四个，所述托起块6截面形状设置为梯形，形成的砷化镓晶体包覆在托起块6和凸条7外侧。
[0027]进一步的，在上述技术方案中，所述顶盖2顶部固定连接有把手8，所述把手8外表面设有防滑层9，通过向上拉动把手8，把砷化镓晶体从坩埚本体1内部取出，防滑层9增大摩擦力，防止把手8滑脱。
[0028]如图1
‑
2所示：所述坩埚本体1外表面顶部固定连接有支撑环10，所述支撑环10截面形状设置为圆形，在使用时，通过设有多个支撑环10，方便配合固定装置对坩埚本体1不同高度位置进行固定，方便调节坩埚本体1加热位置，提高晶体的质量，提高生产效率。
[0029]进一步的，在上述技术方案中，所述支撑环10数量设置为多个，多个所述支撑环10均匀分布在坩埚本体1外表面，在使用时，通过设有多个支撑环10，方便配合固定装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体(1)，其特征在于：所述坩埚本体(1)顶部设有顶盖(2)，所述顶盖(2)与坩埚本体(1)可拆卸连接，所述顶盖(2)顶部开设有通孔(3)，所述通孔(3)内部设有支撑杆(4)，所述通孔(3)内壁设有内螺纹，所述支撑杆(4)外表面顶部设有外螺纹，所述内螺纹与外螺纹相匹配，所述支撑杆(4)与顶盖(2)通过螺纹连接，所述支撑杆(4)顶部固定连接有旋转块(5)，所述支撑杆(4)底部固定连接有托起块(6)，所述支撑杆(4)外表面底部套接有弹簧(11)，所述弹簧(11)底部与托起块(6)顶部固定连接，所述托起块(6)外表面固定连接有凸条(7)，所述凸条(7)截面形状设置为圆形，所述凸条(7)数量设置为多个。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，...

【专利技术属性】
技术研发人员：代晓波，
申请(专利权)人：独山中科晶元信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：