一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体，所述坩埚本体顶部设有顶盖，所述顶盖与坩埚本体可拆卸连接，所述顶盖顶部开设有通孔，所述通孔内部设有支撑杆，所述通孔内壁设有内螺纹。本实用新型专利技术通过支撑杆与顶盖螺纹连接，支撑杆底部固定连接有托起块，托起块外表面设有凸条，根据砷化镓晶体的产量多少，转动旋转块，将支撑杆下移或上移，则托起块下移或上移，形成的砷化镓晶体包覆在托起块和凸条外侧，凸条增大砷化镓晶体对托起块的附着度，然后通过向上拉动把手，把砷化镓晶体从坩埚本体内部取出，本装置便于根据砷化镓晶体产量的多少对留存在坩埚内部的晶体取出，提升砷化镓晶体的收集效率。提升砷化镓晶体的收集效率。提升砷化镓晶体的收集效率。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉


[0001]本技术涉及砷化镓制备
，具体涉及一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉。

技术介绍

[0002]砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，砷化镓多晶的主要用途有两种：一、作为制备砷化镓单晶的原料；二、作为液相外延工艺中制备外延片的原料，外延片用于制备红外LED和普通红光LED，这两种用途都要求制备得到的多晶中杂质含量少，镓砷比接近1∶1，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，目前，砷化镓多晶合成技术主要有高压法合成多晶、水平布里奇曼法和水平梯度凝固法三种，高压法合成多晶需要在高压炉中进行，多采用石英坩埚作为反应容器，同时在制备过程中需要利用加热组件对石英坩埚外壁进行升温处理并进行温度调节。
[0003]但是，目前的坩埚结构简单，在砷化镓晶体制造完毕后，不便于根据砷化镓晶体的产量多少对留存在坩埚内部的晶体取出。
[0004]因此，专利技术一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，包括坩埚本体(1)，其特征在于：所述坩埚本体(1)顶部设有顶盖(2)，所述顶盖(2)与坩埚本体(1)可拆卸连接，所述顶盖(2)顶部开设有通孔(3)，所述通孔(3)内部设有支撑杆(4)，所述通孔(3)内壁设有内螺纹，所述支撑杆(4)外表面顶部设有外螺纹，所述内螺纹与外螺纹相匹配，所述支撑杆(4)与顶盖(2)通过螺纹连接，所述支撑杆(4)顶部固定连接有旋转块(5)，所述支撑杆(4)底部固定连接有托起块(6)，所述支撑杆(4)外表面底部套接有弹簧(11)，所述弹簧(11)底部与托起块(6)顶部固定连接，所述托起块(6)外表面固定连接有凸条(7)，所述凸条(7)截面形状设置为圆形，所述凸条(7)数量设置为多个。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生产用多晶生长炉，...

【专利技术属性】
技术研发人员：代晓波，
申请(专利权)人：独山中科晶元信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：