提供一种用于在先进集成电路的凹陷特征(206、207、208、209、211、213、264、275a、275b)中的连续钌金属膜(214)上多步骤镀铜的方法。连续钌金属膜(214)的使用可防止高纵横比(high-aspect-rati...

用于将离子从第一区域泵送到第二区域的等离子体泵和方法，该泵包括：一分隔件，该分隔件有限定了多个管道（３０）的通孔；一组磁体（２４），以便提供延伸到管道的磁力；以及多个电势源（１４），该电势源（１４）用于产生使离子从管道向第二区域加速的静...

一种用于测量等离子体密度（例如在１０↑［１０］到１０↑［１２］ｃｍ↑［－３］范围内）和用于控制等离子体发生器（２４０）的系统。如果要使用反馈控制充分地控制诸如沉积或刻蚀的等离子体辅助过程，测量等离子体密度是必要的。等离子体测量方法和系统...

用于将直流电源（２２）变换为在处理腔中的ＲＦ电磁场的系统，该系统包括：环绕该处理腔构成的一个线圈（１６）；和包括具有一个直流电源输入以及一个ＲＦ功率输出的一个自由振荡的振荡器（２６）的一个ＲＦ功率发生器（２０），连接到负载阻抗的功率输出...

一种用于控制等离子体处理系统中电子密度的系统（１０５）。通过把一高频脉动电压（１１７）和一校正电压加于压控器振荡器（１０１），使开式谐振腔等离子体处理系统（１０５）的电子密度，能作为基于等离子体的处理的一部分，被测量并受控制。

一个基片座架，用以在等离子加工中固定基片（例如，晶片或者液晶板）。该基片座架是处理部件的堆叠，每个部件完成至少一项功能。所述处理部件包括一个静电夹盘（１０２）、一个氦气输送系统（１２２）、多区加热盘（１３２）、和多区冷却系统（１５２）。...

一种拥有改进的匹配系统的基片处理系统和方法。用一个匹配控制器（１）来控制多个匹配网络（ＭＮＡ、ＭＮＢ、ＭＮＣ），从而实现改进的、更为迅捷和稳定的匹配。所述匹配控制器（１）也能够自动设定等离子体激发过程中和紧接着激发之后所需要的初始匹配条...

用ＣＶＤ法在一块玻璃基板上形成一层非晶硅膜，然后用一个激光束照射部件将与岛形区同样尺寸的激光束脉冲间隙性地照射在非晶硅膜上而将非晶硅膜的岛形区改变成排列成一行并以预定的距离互相分隔开的多个多晶硅区。包含作为半导体区的岛形区的开关元件是通...

一种形成涂膜的装置，其中包括：支撑一个面向上的基片，并使该基片围绕垂直轴旋转的旋转夹盘，供应涂覆液溶剂到基片上的第一喷嘴，和向基片中心部位供应涂覆溶液的第二喷嘴。第一和第二喷嘴由喷头支撑着，使支撑的喷嘴在基片上方滴加位置和偏置基片的等待...

能够不受干燥处理时因清洗液产生的不良影响，而且能够使干燥室的壁厚变薄，并实现使减压用的真空泵等低输出的清洗装置和清洗方法。其构成为能够在把干燥室４２与清洗槽４１各自上下分离的同时，还有能利用旋转门５９ａ和滑动门７２遮蔽干燥室４２的空间和...

本发明的目的是提供一种在干燥处理时不受药液处理的恶劣影响，能够实现设计自由度高，清洗装置高速化及装置小型化的清洗装置及清洗方法。该装置构成是，将干燥室４２和清洗槽４１分别上下分离，同时使干燥室４２的空间与清洗槽４１的空间可以由氮气幕５９...

一种控制装置，其包括：多个按照参数运行的处理装置；用于存储与处理装置的处理相关的参数的存储部分；为处理装置设定预定的参数的触摸屏；和参数管理部分。参数管理部分根据处理装置之一发出的要求，将相应的一个存储参数发送到该处理装置，将设定的参数...

本发明的干燥处理装置向用于容纳半导体晶片的处理室内供给干燥气体，以干燥半导体晶片，该干燥处理装置设有加热载运气体的加热器３２、利用由加热器３２加热的Ｎ↓［２］气体来使ＩＰＡ变成雾状并生成经过加热的ＩＰＡ气体的蒸气发生器３４、向处理室３５...

多个非真空多片运载器２５中的晶片在一晶片处理机３０的一大气前端３２中装卸，经多个单片晶片气塞３７传入一晶片制作组件机３０的一传递模件３３的高真空室３１和从中传出。最好是，在这整个过程中呈水平的晶片经一气塞３７ａ传到高真空环境，经另一气塞...

一种用于将含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层淀积到一晶片表面上的单腔室方法。利用等离子体增强化学气相淀积工艺对钛进行淀积并且接着进行等离子体氮化。然后利用热化学气相淀积工艺对氮化钛进行淀积。更可取地，基体和莲蓬式喷头的温度以及腔室内部压力在整个...

本发明公开了一种用于冷却静电屏蔽的射频（ＥＳＲＦ）等离子体源（１００）的方法和系统。所述方法和系统利用具有多个肋（３０３，３３０）的静电屏蔽（３００，３６０），其蒸发冷却剂并把蒸汽喷射到处理管道（４００）或偏置屏蔽（３００，３６０）上。...

一种包围用于进行大面积基片的等离子体辅助处理的大面积等离子体源内的等离子体区（１０）的腔室壳体（２），所述腔室壳体（２）包括：一壳体件（２），该壳体件构成基本垂直延伸的壁（４），该壁环绕着对应于等离子体区（１０）的空间（６），所述壳体件...

本发明提供一种可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造方法及其制造生产线，该半导体器件的制造生产线使用６英寸（１５０±３ｍｍ：ＳＥＡＪ规格）以下直径的半导体晶片作为半导体衬底，对该半导体衬底实施一连串的处理，在半导体衬底上形成集成电路，制造...

本发明描述了用于从无机钽卤化物（ＴａＸ＃－［５］）前体和含氮气体沉积高质量保形钽氮化物（ＴａＮ＃－［ｘ］）膜的等离子体处理的化学气相沉积（ＰＴＴＣＶＤ）方法。无机钽卤化物前体是五氟化钽（ＴａＦ＃－［５］）、五氯化钽（ＴａＣｌ＃－［５］）...

本文描述了用等离子体增强处理的化学气相沉积方法（ＰＥＣＶＤ），从无机卤化物（ＴａＸ↓［５］）前体和氮气中沉积得到高质量的、保形的钽氮化物（ＴａＮ↓［ｘ］）膜。无机钽卤化物前体是五氟化钽（ＴａＦ↓［５］）、五氯化钽（ＴａＣｌ↓［５］）和五...