清洗装置和清洗方法制造方法及图纸

能够不受干燥处理时因清洗液产生的不良影响，而且能够使干燥室的壁厚变薄，并实现使减压用的真空泵等低输出的清洗装置和清洗方法。其构成为能够在把干燥室４２与清洗槽４１各自上下分离的同时，还有能利用旋转门５９ａ和滑动门７２遮蔽干燥室４２的空间和清洗槽４１的空间、用旋转门５９ａ遮蔽清洗槽４１中的清洗处理、用滑动门７２密闭.遮蔽干燥室４２中的干燥处理。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及比如在药液和冲洗液等中浸渍清洗半导体晶片和用于LCD(液晶显示器)的玻璃基片等被处理基片、并进行干燥的。例如，以LSI等半导体器件制造工序中的清洗处理为例进行说明，为了除去以往的半导体晶片(以下称为‘晶片’)的表面微粒、有机污染物、金属杂质等污物或为了腐蚀晶片表面所使用的清洗装置中，由于其中的湿式清洗装置既能有效地除去上述污物又能进行腐蚀，而且可以批量处理生产率高，所以正在广泛普及。这种晶片清洗装置中，对于被处理体为晶片时，有进行过氨水处理、氟酸处理、硫酸处理等的药液处理、利用纯水等的水清洗处理和利用异丙醇(以下称‘IPA’)等的干燥处理的结构，例如有对按处理顺序排列的处理槽、干燥室分别供给药液、纯水、IPA的结构，比如广泛采用以50枚为单位将晶片依次在处理槽中浸渍、干燥的批量处理方式。但是，在每次各自处理中设置的处理槽和干燥室导致装置的大型化，而且由于运送晶片的机会、即在大气中暴露的机会多，使附着污物的可能性也高。因此，在比如特开昭64-81230号公报和特开平6-326073号等公报中披露了使处理槽和干燥室一体化、在同一容器内进行药液处理和干燥处理等的清洗装置。如附图说明图1所示，这些清洗装置的主要结构如下，在容器200的下部201中储存清洗液202等，浸渍晶片W，然后提升晶片W，在容器200的上部203中使用IPA等进行干燥处理。可是，对于上述结构的清洗装置，在干燥处理时在容器上部残留有药液气氛，恐怕会对晶片W产生不良影响，并且由于必要同时满足液处理等和干燥处理的要求规格，所以存在设计自由度受限制、估计很难采用使清洗处理高速化和容器小形化等各种办法的问题。再有，使用上述IPA等干燥处理时，使用通常真空泵等的减压是并行进行的，但在上述结构的清洗装置中，由于必须使兼任清洗液处理等和干燥处理的容器内有较大的容积，所以存在所谓有必要增加容器的壁厚提高耐压性、并必须使用较大功率真空泵的问题。因此，鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供在干燥处理时不受药液处理产生的不良影响的。本专利技术的又一目的在于提供设计自由度高、能够实现清洗处理高速化和装置小形化的。本专利技术的另一目的在于提供通过使容器等的容积变小、能够实现容器等薄壁化和真空泵等的低输出的。本专利技术的另一目的在于提供能够使干燥处理效率更高的。本专利技术的再一个目的在于提供能够防止被处理基片表面氧化的。此外，本专利技术的其他目的在于提供通过使处理槽与干燥室分开、能够防止处理液的雾沫进入干燥室、获得稳定的干燥性能的。按照本专利技术的第1方案，清洗装置备有处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与4所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。按照本专利技术的第2方案，清洗装置还备有密封装置，使所述开口部分在关闭时可密闭所述干燥室。按照本专利技术的第3方案，清洗装置配有处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；第1开关装置，开关所述开口部分，并在关闭时密闭所述干燥室；第2开关装置，开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙；和使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。按照本专利技术的第4方案，清洗装置配有处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，它从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；开关装置，开关所述开口部分，并具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式，和在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙的第2模式；和使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。按照本专利技术的第5方案，清洗装置中处理槽的处理液为脱气处理过的冲洗液。按照本专利技术的第6方案，清洗装置中还配有喷射装置，它配置在所述处理槽和所述干燥室之间，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。按照本专利技术的第7方案，清洗装置中还配有冷却装置，冷却惰性气体。按照本专利技术的第8方案，清洗装置中还配有减压装置，对所述干燥室内进行减压；喷射装置，对所述干燥室内的被处理基片喷射惰性气体。按照本专利技术的第9方案，清洗装置在干燥室内还配有加热装置。按照本专利技术的第10方案，清洗装置处理槽中储存的处理液为冷却的冲洗液。按照本专利技术的第11方案，清洗方法包括(a)利用从燥室支撑的保存部件保存被处理基片，并通过干燥室的下部开口部分移至设置在其下方的处理槽的工序；(b)关闭下部开口部分的工序；(c)在将处理基片从干燥室向处理槽移动之前或移动之后在处理槽中储存处理液，浸渍被处理基片的工序；(d)打开下部开口，把被处理基片从处理槽传送至干燥室的工序；(e)关闭下部开口部分的工序；(f)利用有机溶剂的气氛干燥被处理基片的工序。按照本专利技术的第12方案，清洗方法中还包括填充工序，它在所述工序(b)之前，在把所述被处理基片从清洗装置外部向所述干燥室传送后，向所述干燥室填充惰性气体。按照本专利技术的第13方案，清洗方法中在所述工序(a)至工序(f)中，向所述处理槽提供惰性气体。按照本专利技术的第14方案，清洗方法中在所述工序(d)之前，向所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。按照本专利技术的第15方案，清洗方法中在所述工序(d)之前和工序(d)之中，对所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。按照本专利技术的第16方案，清洗方法中在把所述被处理基片从所述干燥室向所述处理槽传送后，关闭所述下部开口部分的工序为一边留有用于从所述干燥室支撑所述保存部件的间隙一边关闭的工序。按照本专利技术的第17方案，清洗方法中在把所述被处理基片从所述处理槽向所述干燥室传送后，关闭所述下部开口部分的工序为密闭所述下部开口部分的工序。按照本专利技术的第18方案，清洗方法中还有喷射工序，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。按照本专利技术的第19方案，清洗方法中还有喷射工序，在所述工序(f)后，一边对所述干燥室内减压，一边对所述干燥室内的所述被处理基片喷射惰性气体。按照本专利技术的第20方案，清洗方法中还有在所述(b)工序和所述(d)工序之间使所述干燥室处于预定的有机溶剂的气氛的工序。按照本专利技术的第21方案，清洗方法中在所述处理槽中储存的处理液为冷却的冲洗液。按照本专利技术的第1方案，由于使干燥室与处理槽各自上下分离的同时，能够利用开关自由的开口部分遮蔽干燥室的空间和处理槽的空间，所以在干燥处理时能够不受因药液处理产生的不良影响。此外，由于能够分别在各自条件下设计干燥室和处理槽，所以设计的自由度高，并能够实现清洗处理的高速化和装置的小型化。再有，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
清洗装置，其特征在于包括： 处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片； 干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分； 传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片； 使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。

【技术特征摘要】
JP 1996-9-27 256638/961.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述开口部分还有在关闭时可密闭所述干燥室的密闭装置。3.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；第1开关装置，开关所述开口部分，并在关闭时密闭所述干燥室；第2开关装置，开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。4.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，它从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；开关装置，开关所述开口部分，具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式和在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙的第2模式；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。5.如权利要求1至4中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述处理槽的处理液为进行过脱气处理的冲洗液。6.如权利要求1至5中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有喷射装置，它配置在所述处理槽和所述干燥室之间，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。7.如权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还配有冷却装置，冷却所述惰性气体。8.如权利要求1至7中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有减压装置，对所述干燥室内部进行减压；喷射装置，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上川裕二，中敏，上野钦也，
申请(专利权)人：东京电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]