清洗装置和清洗方法制造方法及图纸

能够不受干燥处理时因清洗液产生的不良影响，而且能够使干燥室的壁厚变薄，并实现使减压用的真空泵等低输出的清洗装置和清洗方法。其构成为能够在把干燥室４２与清洗槽４１各自上下分离的同时，还有能利用旋转门５９ａ和滑动门７２遮蔽干燥室４２的空间和清洗槽４１的空间、用旋转门５９ａ遮蔽清洗槽４１中的清洗处理、用滑动门７２密闭.遮蔽干燥室４２中的干燥处理。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及比如在药液和冲洗液等中浸渍清洗半导体晶片和用于LCD(液晶显示器)的玻璃基片等被处理基片、并进行干燥的。例如，以LSI等半导体器件制造工序中的清洗处理为例进行说明，为了除去以往的半导体晶片(以下称为‘晶片’)的表面微粒、有机污染物、金属杂质等污物或为了腐蚀晶片表面所使用的清洗装置中，由于其中的湿式清洗装置既能有效地除去上述污物又能进行腐蚀，而且可以批量处理生产率高，所以正在广泛普及。这种晶片清洗装置中，对于被处理体为晶片时，有进行过氨水处理、氟酸处理、硫酸处理等的药液处理、利用纯水等的水清洗处理和利用异丙醇(以下称‘IPA’)等的干燥处理的结构，例如有对按处理顺序排列的处理槽、干燥室分别供给药液、纯水、IPA的结构，比如广泛采用以50枚为单位将晶片依次在处理槽中浸渍、干燥的批量处理方式。但是，在每次各自处理中设置的处理槽和干燥室导致装置的大型化，而且由于运送晶片的机会、即在大气中暴露的机会多，使附着污物的可能性也高。因此，在比如特开昭64-81230号公报和特开平6-326073号等公报中披露了使处理槽和干燥室一体化、在同一容器内进行药液处理和干燥处理等的清洗装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
清洗装置，其特征在于包括： 处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片； 干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分； 传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片； 使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。

【技术特征摘要】
JP 1996-9-27 256638/961.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述开口部分还有在关闭时可密闭所述干燥室的密闭装置。3.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；第1开关装置，开关所述开口部分，并在关闭时密闭所述干燥室；第2开关装置，开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。4.清洗装置，其特征在于包括处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，它从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；开关装置，开关所述开口部分，具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式和在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙的第2模式；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。5.如权利要求1至4中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述处理槽的处理液为进行过脱气处理的冲洗液。6.如权利要求1至5中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有喷射装置，它配置在所述处理槽和所述干燥室之间，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。7.如权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还配有冷却装置，冷却所述惰性气体。8.如权利要求1至7中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有减压装置，对所述干燥室内部进行减压；喷射装置，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上川裕二，中敏，上野钦也，
申请(专利权)人：东京电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]