清洗装置及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供一种在干燥处理时不受药液处理的恶劣影响，能够实现设计自由度高，清洗装置高速化及装置小型化的清洗装置及清洗方法。该装置构成是，将干燥室４２和清洗槽４１分别上下分离，同时使干燥室４２的空间与清洗槽４１的空间可以由氮气幕５９ｃ及闸门７２遮蔽，清洗槽４１中的清洗处理由氮气幕５９ｃ进行遮蔽，而干燥室４２中的干燥处理则由闸门７２来封闭.遮蔽。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对例如半导体晶片或LCD(液晶显示器)用的玻璃基板等被处理的基板浸渍药液或洗涤液并进行干燥的。在例如以LSI等半导体装置的制造工艺中的清洗处理为例进行说明时，以往，使用了除去半导体晶片(以下称为晶片)的表面颗粒、有机污染物、金属杂质等污染物的清洗装置，其中，特别是湿式清洗装置，能够有效地除去上述污染物，并且可以通过成批处理获得良好的产量，因而有广泛的普及。在这种湿式清洗装置中，是通过对作为被清洗处理体的晶片进行氨处理、氟酸处理、硫酸处理等药液清洗处理，由纯水等进行的水洗清洗处理，由异丙醇(以下称为IPA)等进行的干燥处理等的构成。例如将各种药液、纯水、IPA供给到按处理顺序配置的处理槽、干燥室中的构成，例如采用将50片为单位的晶片依次浸入处理槽中，进行干燥的成批处理方法已广泛采用。然而，在各处理中的每一个都设置处理槽或干燥室，就会导致设备的大型化，而且，晶片输送的机会，即，暴露在大气中的机会就会变多，从而使得附着颗粒的可能性变高。为此，在例如特开昭64-81230号公报或特开平6-326073号公报等中，提出了一种将处理槽与干燥室一体化，将药液处理等和干燥处理在同一腔室内进行的清洗装置。这种清洗装置主要如图1所示，在腔室200的下部201中贮留药液202等，将晶片W浸渍，然后在将晶片W提起，在腔室200的上部203中使用IPA等进行干燥处理的构成。然而，上述结构的清洗装置中，在干燥处理时，腔室的上部残留有药液的气体，因而，有对晶片W产生不良影响的疑虑，另外，必须同时满足液体处理和干燥处理的使用要求，因而限制了其设计自由度，从而出现对于实现清洗处理的高速化和腔室小型化的各种构思的取舍非常困难的问题。而且，在使用上述IPA等的干燥处理中，通常使用真空泵等同时进行减压，在上述结构的清洗装置中，在兼作药液处理等和干燥处理的腔室内必须有很大的容积，因此会出现腔室壁的厚度必须做得很厚、使其耐压性变高、且必须使用大功率的真空泵的问题。本专利技术目的是鉴于上述问题，提供一种不受干燥处理时药液处理中的恶劣影响的。本专利技术的另一目的是提供一种能够实现设计自由度高，清洗处理高速化，装置小型化的。本专利技术的再一目的是提供一种能够实现腔室等的容积小，腔室等的壁厚薄，并且真空泵等的输出低的。本专利技术的还一目的是提供一种能够进行较高效率的干燥处理的。本专利技术的还一目的是提供一种在被处理的基板表面上不会出现水渍的清洗装置。另外，本专利技术的还一目的是提供一种通过分置的处理槽部和干燥室，防止了处理液的蒸汽等进入干燥室，从而获得稳定的干燥性能的。本专利技术的第1特征是一种带有下述部分的清洗装置贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，防止从处理槽朝干燥室内流入气体，而向干燥室内导入惰性气体的机构，以及将干燥室内充满有机溶剂气体的机构。本专利技术的第2特征是一种具有以下机构的清洗装置贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，将开口部通过惰性气体气流层进行遮蔽的遮蔽机构，以及使干燥室内充满有机溶剂气体的机构。本专利技术的第3特征的清洗装置由下述部分组成贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，使干燥室内充满有机溶剂气体的机构，和切断开口部的切断机构；该切断机构带有可自由开闭开口部而设置的一对第1门和第2门，该第1门在与第2门相对的前端部上带有惰性气体排出孔，第2门则在与第1门相对的前端部上带有惰性气体吸入口，在第1门和第2门处于关闭状态时，通过从第1门的前端排出孔排出惰性气体，同时，从第2门前端的吸入口吸入惰性气体，而在第1门的前端与第2门的前端之间形成惰性气体气流层，从而切断开口部分。本专利技术的第4特征是一种带有开口部的开闭机构的清洗装置。本专利技术的第5特征是一种带有开闭开口部，在关闭时封闭住干燥室的开闭机构的清洗装置。本专利技术的第6特征是一种清洗装置，其将干燥室内充满有机溶剂气体的机构带有，将含有有机溶剂的气体排出到干燥室内的喷嘴，该喷嘴是在将直径不同的多根管道以相互在圆周面上间隔的状态而装配成的，在内侧的管道上沿着管道的轴线方向以一定的间隔设置多个气体喷孔，并且，在外侧的管道上沿着管道的轴线方向以比管道中一个内侧管道上气体排出孔的间隔更小的间隔设置多个气体排出孔。本专利技术的第7特征是一种带有以下工序的清洗方法，(a)通过由干燥室一侧支撑的保持部件保持住被处理基板，通过干燥室的开口部输送到下方所设的处理槽中的工序，(b)在被处理基板输送前或者输送后，将处理液贮留在处理槽中，浸渍被处理基板的工序，(c)将被处理基板从上述处理槽输送到干燥室中的工序，(d)将干燥室中充满有机溶剂气体，并对被处理基板进行干燥的工序。本专利技术的第8特征是一种带有在将被处理基板输送到干燥室中之后，将开口部封闭的工序的清洗方法。本专利技术的第9特征是一种带有在从外部将被处理基板输送到干燥室内之前，将干燥室内置换成惰性气体的工序的清洗方法。本专利技术的第10特征是一种带有在从外部将被处理基板输送到干燥室内之前，让干燥室内排气，并将干燥室内置换成惰性气体的工序的清洗方法。本专利技术的第11特征是一种带有在将干燥室充满有机溶剂气体之前，使干燥室内的气体排出，将惰性气体供入到干燥室内，使干燥室内置换为惰性气体的工序的清洗方法。本专利技术的第12特征是一种清洗方法，它是在(d)工序之后，使干燥室内排气减压，向干燥室内导入惰性气体，在干燥室内大致回到大气压时，随着惰性气体的每单位时间内导入量的时间进程而增大来进行控制。本专利技术的第13特征是一种清洗方法，其中，(b)工序带有对被处理基板进行药液清洗的工序，对被处理基板进行水洗清洗的工序和对水洗清洗后的被处理基板进行臭氧清洗的工序。本专利技术的第14特征是一种带有将臭氧清洗后的被处理基板进行水洗清洗的工序的清洗方法。根据本专利技术的第1特征，通过从干燥室内朝开口部的惰性气体气流层，能够在被处理基板进行药液处理时，遮蔽处理槽与干燥室，从而能够抑制从处理槽向干燥室侵入药液。另外，在干燥处理时，能够为下一个处理槽的处理作准备，从而提高吞吐量。另外，由于干燥室和处理槽分别在各自的条件下进行设计，从而提高了设计的自由度，可以实现清洗处理的高速化及装置制造的小型化。另外，由于干燥室内的容积可以变小，在将干燥室内充入有机溶剂气体并且减压的情况下，干燥室及处理槽的壁厚可以变薄，而且，减压所使用的真空泵等也能够实现低的输出。根据本专利技术的第2特征，通过由惰性气体气流层遮蔽开口部的机构，能够将被处理基板的药液处理等中的处理槽与干燥室遮蔽，从而能够抑制从处理槽向干燥室侵入药液。根据本专利技术的第3特征，通过第1门和第2门封闭开口部，同时，在将第1门与第2门之间的间隙由惰性气体气流可以进行遮蔽。因此，能够更进一步地抑制从处理槽向干燥室侵入药液气体。根据本专利技术的第4特征，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗装置，其特征是，具有下述机构： 贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽， 配置在上述处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室， 通过上述开口部在上述处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构， 防止从上述处理槽朝干燥室内流入气体，而向上述干燥室内导入惰性气体的机构， 将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构。

【技术特征摘要】
JP 1997-1-24 11553/971.一种清洗装置，其特征是，具有下述机构贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在上述处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过上述开口部在上述处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，防止从上述处理槽朝干燥室内流入气体，而向上述干燥室内导入惰性气体的机构，将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征是，还具有开闭上述开口部的开闭机构。3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征是，还具有开闭上述开口部，在关闭时封闭住上述干燥室的开闭机构。4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征是，将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构带有，将含有有机溶剂的气体排出到上述干燥室内的喷嘴，该喷嘴是在将直径不同的多根管道以相互在圆周面上间隔的状态而装配成的，在内侧的管道上沿着管道的轴线方向以一定的间隔设置多个气体喷孔，并且，在外侧的管道上沿着管道的轴线方向以比管道中一个内侧管道上气体排出孔的间隔更小的间隔设置多个气体排出孔。5.一种清洗装置，其特征是，具有下述机构贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在上述处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过上述开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，将上述开口部通过惰性气体气流层进行遮蔽的遮蔽机构，将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构。6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征是，还具有开闭上述开口部的开闭机构。7.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征是，还具有开闭上述开口部，在关闭时封闭住上述干燥室的开闭机构。8.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征是，将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构带有，将含有有机溶剂的气体排出到上述干燥室内的喷嘴，该喷嘴是在将直径不同的多根管道以相互在圆周面上间隔的状态而装配成的，在内侧的管道上沿着管道的轴线方向以一定的间隔设置多个气体喷孔，并且，在外侧的管道上沿着管道的轴线方向以比管道中一个内侧管道上气体排出孔的间隔更小的间隔设置多个气体排出孔。9.一种清洗装置，其特征是，具有下述机构贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在上述处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过上述开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，使上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构，和切断上述开口部的切断机构；所述切断机构带有，可自由开闭开口部而设置的一对第1门和第2门，该第1门在与第2门相对的前端...

【专利技术属性】
技术研发人员：上川裕二，上野钦也，中敏，
申请(专利权)人：东京电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]