描述了一种从无机五卤化钽（ＴａＸ↓［５］）前体和氮气中沉积形成高质量的保形钽／钽氮化物（Ｔａ／ＴａＮｘ）双层膜的化学气相沉积（ＣＶＤ）法。该无机钽卤化物前体是五氟化钽（ＴａＦ↓［５］），五氯化钽（ＴａＣｌ↓［５］）和五溴化钽（ＴａＢｒ↓...

一种在有内部区域（３０）的等离子体清洁室（２０）中对工件（Ｗ）进行等离子体清洁的方法和装置。该方法的第一步骤是将工件装入等离子体室的内部区域。下一步骤是将等离子体清洁室的内部区域抽真空至预定压力，并以氢气作为环境气体。下一步骤是由氢气形...

一种用于在对基底加工期间支撑基底（Ｗ）的方法和卡盘设备（５０，１５０，３００），其中所述基底具有以下表面（Ｗ＃－［Ｌ］）。所述设备有利于在基底的加工期间从基底中传递出热量。该设备包括一卡盘本体（６０），它具有一外缘（７０）和一粗糙上表面...

一种壁膜监视系统，包括在一个等离子体处理室内的第一和第二微波反射镜，各反射镜具有一个凹面。第二反射镜的凹面正对着第一反射镜的凹面。一个电源耦合到第一反射镜并且产生一个微波信号。一个检测器连接到第一和第二反射镜中的至少一个，并且被配置为测...

一种利用改进的蚀刻化学的等离子处理体系和方法，以便有效蚀刻高长径比的硅零件。该工艺化学利用适合于生产氟／氯蚀刻化学的前体以及适合于形成强度足以产生稳定的零件侧壁的化学键的前体气体。该改进工艺化学包括ＳＯ↓［２］／ＳＦ↓［４］／ＳｉＣｌ↓...

提供等离子体灰化的方法，以除去在介电层的前一等离子体蚀刻过程中形成的光刻胶残余物和蚀刻残渣。灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体，其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压，从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣，另外从腔室表面上...

提供一种用于等离子体灰化（１２０）的方法，用于去除在前面介电层（１０４）等离子体蚀刻期间形成的光刻胶残余（１０６）以及蚀刻剩余物（１１０）。该灰化方法使用包含含氢气体的两步等离子体处理，其中在第一清洁步骤（１２０）对基底施加低或零偏置，...

本发明披露了一种用于监视半导体处理系统中的工具性能的方法和系统。所述半导体处理系统包括多个处理工具、多个处理模块、多个传感器、以及报警管理系统。执行工具健康控制策略，其中，采集处理工具的工具健康数据。执行工具健康分析策略，其中，分析工具...

一种在处理室中监控室壁上薄膜沉积的设备。该设备包括提供在室壁上的表面声波器件。启动表面声波器件，产生共振频率，并且检测所产生的共振频率，确定是否达到室壁上薄膜的临界厚度，其中共振频率的降低量与室壁薄膜的厚度成正比。当检测的共振频率落在第...

本发明提供一种图形用户接口（ＧＵＩ），用于配置和设置在半导体处理系统中用于监视工具和处理性能的传感器。所述半导体处理系统包括许多处理工具、许多处理模块（室）和许多传感器。图形显示被这样组织，以使得所有的重要参数被清楚地和合乎逻辑地显示，...

本发明提供一种图形用户接口（ＧＵＩ），用于配置和设置在半导体处理系统中用于监视工具和处理性能的动态传感器。所述半导体处理系统包括许多处理工具、许多处理模块（室）和许多传感器。图形显示被这样组织，以使得所有的重要参数被清楚地和合乎逻辑地显...

一种用于传感和分析等离子体处理的参数的ＲＦ传感器。所述ＲＦ传感器具有一个等离子体处理工具（１１０）和一个用于接收从等离子体处理工具辐射的ＲＦ能量的天线（１４０）。天线位于非常接近等离子处理工具处，以便是非侵入式的。此外，ＲＦ传感器可配置...

磁控管溅射涂敷系统具有磁控管阴极（２０），该阴极包括截头圆锥形靶（２５），该靶具有锥形磁体组件（３０），该磁体组件在靶（２５）未侵蚀时在主磁力隧道下方在靶（２５）的中间半径或中心线处产生最高的侵蚀率，且随着靶的侵蚀，最高侵蚀率的位置逐渐...

一种调整等离子体加工系统（６）中能够维持反应室（１６）中的等离子体（２０、１２０）的电极组件（１０）的相对厚度的方法。电极组件被布置在反应室中，并且包括至少一个具有已由至少一个牺牲保护板（１００）限定的下表面的电极。由于在反应室中进行的...

一种用于处理工件的方法，利用等离子体处理操作期间得自于存在于等离子体处置装置等离子体室内的处理气体的等离子体执行。该装置包括周向围绕等离子体室安装的电磁体阵列。该方法包括由室内的处理气体产生等离子体并使等离子体粒子撞击工件，为电磁体选择...

一种用于传感和分析等离子体处理的参数的ＲＦ传感器。所述ＲＦ传感器具有等离子体处理工具和一个用于接收从等离子体处理工具辐射的ＲＦ能量的天线。天线位于非常接近等离子处理工具处，以便是非侵入式的。此外，ＲＦ传感器可配置为从等离子体处理工具辐射...

一种用于检测和分析等离子体工艺参数的ＲＦ传感器。该ＲＦ传感器配备有一个等离子体工艺设备和一个接收从等离子体工艺设备上辐射的ＲＦ能量的天线。该天线置于等离子体工艺设备附近使得它是非侵入的。另外该ＲＦ传感器的配置可以用于宽带接收从等离子体工...

一种用于监视气体等离子体处理系统中的状态的系统和方法，其中改变或调制加于系统的ＲＦ功率，使得从系统的电路得到的信号提供关于系统的操作参数或处理状态的信息。和常规技术相比重要的改进在于提高了灵敏度和精度。此外，等离子体处理系统在交货之前可...

一种用于测量等离子体密度和电子密度中的至少一种（例如在１０↑［１０］至１０↑［１２］ｃｍ↑［－３］的范围内）的方法和系统。使用反馈控制来测量至少一种等离子体密度和电子密度能够控制等离子体辅助过程，诸如沉积和刻蚀。测量方法和系统产生控制电...

一种用于测量等离子体电子密度（比如在１０＃＋［１０］至１０＃＋［１２］ｃｍ＃＋［－３］范围）并控制等离子体发生器的系统。等离子体电子密度的测量被用作等离子体的辅助处理过程，诸如淀积或蚀刻过程中的反馈控制的一部分。等离子体测量方法和系统两...