用于刻蚀反应室中特征刻蚀完成的探测的方法。该方法包括通过下述方法确定关联矩阵：记录关于第一刻蚀工艺在连续时间间隔内的第一测量数据以形成第一记录数据矩阵（１１０），使用用于特定刻蚀工艺的目标终点数据建立第一终点信号矩阵，对记录数据矩阵和第...

一种用于检测并防止等离子体处理系统中的电弧放电的系统和方法。通过测量并分析来自与等离子体耦合的电路（２２）的电信号，检测并表征电弧放电。表征之后，随后可使电信号与一个处理期内发生的电弧放电事件相关。可获得关于电弧放电的位置、强度和频率的...

一种用于等离子体处理的阻抗减小的室产生了如下的实用的优点：等离子体罩电压基本独立于在等离子体阻抗范围上的等离子体阻抗。这种减小阻抗的室的设计结构包括卡盘部件（３０）、反电极和等离子体源。卡盘部件（３０）安装要处理的工件（３２），并包括驱...

在对反应室（２）的基片进行等离子辅助处理的方法中，通过：将至少一种处理气体引入反应室（２）内；并通过在反应室（２）内建立ＲＦ电磁场以及使该场和处理气体相互作用，在反应室（２）内产生等离子体，控制该电磁场有一在至少两值间循环变化的能量值，...

一种等离子处理系统，包括处理室、设置在处理室内的基片架和设置成向处理室供给第一气体和第二气体的气体注入系统。该等离子处理系统还包括控制器，该控制器控制气体注入系统向处理室持续地流动第一气体流，并在第一时间向处理室脉冲第二气体流。所述控制...

通过很少的控制因子就能很容易地产生气体，并能增大气体生成量和缩短蒸发气体生成时间。＄该蒸发气体发生装置的构成，包括：由具有蒸发气体介质用气体流入口５０ａ和流出口５０ｂ，从流入口５０ａ向流出口５０ｂ形成狭小锥体状的前端细小喷嘴部分５１ａ和...

一种等离子体处理系统和方法，它们用来提供更清洁和更易控制的环境以便处理基片例如半导体晶片。该等离子体处理系统包括：一个处理室，该处理室包括一个内壁和一个外壁；与处理室内壁热耦合的加热元件；偏压屏蔽件；和静电屏蔽件。处理系统还包括围绕处理...

一种用于降低真空处理系统成本的方法和系统，是通过利用分开制造的部件来构成腔室壁、腔室顶板、腔室底板来实现的。由圆筒（例如，铝管或轧制环形锻件）来形成所说的腔室壁，然后把所说的腔室顶板和腔室底板气密封地封接到罐体的顶部和底部。并利用一些连...

本发明涉及一种用于等离子体加工的电弧抑制系统，其包括至少一个耦合到等离子体加工系统上的传感器，和耦合到至少一个传感器上的控制器。该控制器提供至少一种算法用于确定和衬底接触的等离子体的状态并控制等离子体加工系统抑制电弧放电发生，该衬底使用...

一种装置和方法，其用于调整等离子体密度和／或等离于区的化学成分的分布，由此调整用于处理基片的反应的特性。通过调整复合表面的几何形状来控制等离子体密度和／或等离子区的化学成分的分布，该复合表面与等离子区相接触，并由此激发在等离子区中离子和...

一种装置和方法，其应用具有密度梯度的等离子体来加速离子，由此产生高能离子流和中性粒子流。通过给等离子体施加非均匀磁场或通过给等离子体提供非均匀ＲＦ功率来产生等离子体梯度。由于在等离子体内的电压（即，等离子体电势）取决于等离子体密度，等离...

一种冷却静电屏蔽射频（ＥＳＲＦ）等离子体源（１１５）的方法和系统。该方法和系统用于通过产生真空而使液体冷却剂池（１００）中的气体放出，从而除去吸附的气体，因此减少液体冷却剂的调整时间。脱气的冷却剂用热交换器（１３０）冷却。该方法和系统还...

一种可变间隙停止动装置（３０、３２）其能够使一驱动单元的移动停止，例如一汽缸可在一半导体处理设备中移动固定有一半导体晶片的夹盘（２１），该汽缸驱动单元包括至少一个定位表面。一可移动的间隙止动单元（３３、３４）包括至少一个止动表面，在一较...