处理基片的等离子体处理系统和方法技术方案

一种装置和方法，其用于调整等离子体密度和／或等离于区的化学成分的分布，由此调整用于处理基片的反应的特性。通过调整复合表面的几何形状来控制等离子体密度和／或等离子区的化学成分的分布，该复合表面与等离子区相接触，并由此激发在等离子区中离子和电子进行复合。例如，可以提供具有预定几何形状的复合部件来调整在一个或多个局部区域中的等离子体密度和化学性质。此外，还可以通过如下方法来调整等离子体密度：提供导体屏蔽件来降低耦合到特定的等离子区的ＲＦ功率，由此降低在这些区域中的等离子体密度。通过调整等离子区密度和化学成分的分布，可以改善等离子体方法（例如，蚀刻方法或增强的等离子体化学气相淀积方法）的均匀性，由此进一步提高所制造的设备的电性能的均衡性，改善临界尺寸，因此改善了在基片上制造的电路的性能并降低了生产成本。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请涉及1997年10月15日申请、申请号为60/061,856的美国临时申请，并要求该申请作为本申请的优先权。该临时申请的内容在此以引用的方式结合在本申请中。本专利技术涉及一种用于调整等离子体的空间密度/分布和在等离子体中的化学成分的空间分布的系统，具体地说涉及一种应用等离子体处理基片的系统。在许多电子设备和固态制造方法中，等离子体与基片(比如半导体晶片)进行反应或促进与基片的反应。为产生等离子体，通过电感性或电容性的耦合元件给一种气体提供能量。电感耦合元件的实例包括导电的螺旋线圈。许多常规的系统通过电匹配网络(MN)电路输送RF功率。在美国专利US 5,234,529(专利授予给Wayne L.Johnson，即本申请的专利技术人)中公开一种公知的电感等离子体产生系统。在此以引用的方式将该专利的内容结合在本申请中。参考附附图说明图1描述了一种产生等离子源114的方法。通过气体入口112将气体输送到处理室102中。具有输出阻抗Rs的RF功率源110将RF功率输送给作为电感耦合元件的螺旋线圈104。线圈104将能量耦合给气体，并在处理室102的等离子区108中使其激发为等离子体。然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基片的等离子体处理系统，其包括：室；功率源；从所说的功率源给在所说的室内的等离子体提供功率的等离子体耦合元件；和用于调整所说的等离子体的密度和所说的等离子体化学成分之中的一种分布的装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：怀恩L约汉逊，
申请(专利权)人：东京电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]