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一种装置和方法，其用于调整等离子体密度和／或等离于区的化学成分的分布，由此调整用于处理基片的反应的特性。通过调整复合表面的几何形状来控制等离子体密度和／或等离子区的化学成分的分布，该复合表面与等离子区相接触，并由此激发在等离子区中离子和电子...
该专利属于东京电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京电子株式会社授权不得商用。

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