【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，其用于半导体制造装置，例如组合工具设备，的工艺控制。一般而言，用于对半导体晶片W完成各种处理，例如CVD(化学蒸镀)处理或阴极溅射处理、蚀刻处理及热氧化处理的处理腔室设置在上游，其具有箱盒腔室，该箱盒腔室具有箱盒，该箱盒能够容装多个(例如25个)半导体晶片W。晶片通过传送腔室从箱盒腔室传送到处理腔室。传送腔室一般与多个(例如三个)处理腔室相连，这样，晶片通过传送腔室从箱盒腔室传送到处理腔室，进而进行各种处理。在这种系统中，由于例如在处理过程中所产生的反应的产品的成分所造成的污染，处理腔室有时必须被替换或清洁。那时，在维护或清洁过程中，处理腔室的操作必须停止。如果三个处理腔室中的一个需要维护或清洁，考虑到生产效率，最好只有必须被维护或清洁的处理腔室被停止，以便进行维护或清洁，而其它处理腔室仍然继续操作。然而，在大多数情况下，传送腔室、箱盒腔室和处理腔室的操作均通过工艺控制进行控制，由此，各处理腔室的操作彼此是非常相关的。这样，很难控制处理装置使之仅有上述特定的处理腔室的操作被停止。更具体地说，当只有一个特定的处理腔室的操作要求被停止时，不仅...
【技术保护点】
一种控制装置，其包括：多个按照参数运行的处理装置；用于存储与处理装置的处理相关的参数的存储部分；设定部分，其为处理装置设定预定的参数；和管理部分，其根据处理装置之一发出的要求，将参数之一发送到该处理装置，该参数存储在存储部分 中并相应于该处理装置；将由设定部分设定的参数之一传送到相应的一个处理装置；以及将存储在存储部分中的参数重写为由设定部分所设定的参数。
【技术特征摘要】
JP 1997-5-6 115942/971.一种控制装置，其包括多个按照参数运行的处理装置；用于存储与处理装置的处理相关的参数的存储部分；设定部分，其为处理装置设定预定的参数；和管理部分，其根据处理装置之一发出的要求，将参数之一发送到该处理装置，该参数存储在存储部分中并相应于该处理装置；将由设定部分设定的参数之一传送到相应的一个处理装置；以及将存储在存储部分中的参数重写为由设定部分所设定的参数。2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于其中所述存储部分具有存储装置，该存储装置至少包括存储相应于各处理装置的参数的本地参数文件；存储相应于各处理装置公用的参数的整体参数文件；存储可编辑的参数的编辑参数文件；和存储代表存储在其它文件中的参数的位置的参数控制文件。3.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于，每个文件均具有源参数文件和通过文本格式对参数进行编辑而形成的参数文件。4.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于，其中本地参数文件包括行数、处理装置的数目的最小值、处理装置的数目的最大值、处理装置的数目的错误值和处理装置的数目的当前值。5.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于，其中所述处理装置包括多个完成化学蒸镀处理或阴极溅射处理、蚀刻处理及热氧化处理的处理装置；和多个箱盒装置，其具有多个能够容装待处理物品的箱盒；以及用于传送物品的传送装置。6.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其中所述设定部分包括用于将参数输入到处理装置的触摸屏。7.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其还包括用于设定部分和管理部分之间连接的人机界面。8.如权利要求7所述的控制装置，其特征在于，其中所述设定部分包括触摸屏，人机界面具有可变的语言参数并可改变语言，语言条目由触摸屏显示。9.如权利要求7所述的控制装置，其特征在于，其中人机界面包括将其条目由触摸屏显示的第一语言改变为第二语言的参数，10.一种控制装置，其包括多个按照参数运行...
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