电子科技大学专利技术

电子科技大学共有35043项专利

  • 一种光纤偏振控制器的调节装置,属于光纤通信技术领域。其组成包括:光纤偏振控制器、标刻拨轮、锁定夹具、外部面板以及底座支架。本实用新型通过调节露出外部面板的标刻拨轮的转动,带动光纤环片旋转,实现了光纤偏振控制器光纤环片的外部调节和定量连续...
  • 本发明公开了一种基于循环前缀的小数倍载波同步算法,解决了现有技术中存在的载波同步技术精确度不够高,不能满足调制阶数发展需求的问题。该基于循环前缀的小数倍载波同步算法,包括以下步骤:将接收到的信号分为载波频偏部分和剩下的部分,并将载波频偏...
  • 本发明涉及无线中继通信系统领域,本发明为解决现有中继系统因硬编码导致信息丢失和错误传播的技术问题,提出了一种结合LDPC和中继稀疏生成矩阵的中继软编码与译码方法及信号处理方法。本发明充分利用中继端接收的基站的信号,结合中继生成矩阵实现中...
  • 本发明提出一种OOFDM信号中光子载波的光分插复用方法以及光分插复用器。光解复用模块通过光傅里叶变换对输入的OOFDM光信号中光子载波进行解复用,实现光子载波信号分离,经光门选出分离后的有效信号部分,被选择输出的光子载波信号作为下路光信...
  • 本发明公开了一种了数字频率抖动电路,包括:分频计数器和数据选择器,具体连接关系如下:分频计数器的输入端口作为抖动电路的信号输入端,分频计数器输出其输入信号的2N-K+1分频、2N-K+2分频、2N-K+3分频、…、2N分频信号,N表示分...
  • 本发明公开了一种脑波音乐生成方法,包括下述步骤:脑电信号采集,单道脑波音乐生成,节拍滤波和调式滤波。本发明的脑波音乐生成方法利用多道脑电数据生成多声部合奏脑波音乐,通过节拍滤波保证音乐具有明确的节奏感,同时通过调式的滤波使最后产生的音乐...
  • 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法,该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理,氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时,通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度,使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表...
  • 本发明提供一种不占用额外时间资源的一种脉冲雷达的宽窄正交脉冲补盲方法,每个脉冲重复周期发射经正交调制的一对宽脉冲与窄脉冲,之后,切换为接收状态;所述一对宽脉冲与窄脉冲中,宽脉冲在前、窄脉冲在后;处于接收状态时,通过宽脉冲与窄脉冲分别对应...
  • 本发明公开了一种数字三维示波器的波形数据处理方法,将一次刷新周期内采集到的多幅波形数据映射到三维波形数据库,将该三维数据库的内容作为数据处理对象进行统计直方图分析,采用K均值聚类算法将直方图分为高低两个部分,即Hupper和Hlower...
  • 本发明涉及草鱼肿瘤坏死因子alpha的竞争抑制酶联免疫检测方法,包括如下步骤:步骤1:确定包被抗原的浓度和多克隆抗体的最适稀释倍数;步骤2:建立竞争抑制酶联免疫检测方法,包被草鱼肿瘤坏死因子alpha蛋白的酶标板得到固定于酶标板上的抗原...
  • 本发明提供了一种自适应式电容液位计,采用的空仓电容、满仓电容以及测量电容为三个除介质外其他完全相同,即材料相同、外形尺寸一致圆柱式电容,并且以相同的电极引线接入模拟开关,模拟开关将三个圆柱式电容分时依次地接进C/T转换电路,将电容值转换...
  • 本发明公开了一种光致弯曲导电执行器及其制备方法,由下至上分别是光致弯曲执行器、粘结层和导电层,所述光致弯曲执行器为光致弯曲聚合物材料,所述粘结层为需要双重固化的胶粘剂。通过制备同时具备光致弯曲能力和导电能力的光致弯曲导电执行器,可以实现...
  • 本发明涉及模拟集成电路。本发明公开了一种模拟平方电路,用于提高输出电压精度。本发明的技术方案是,一种模拟平方电路,包括电平位移模块,减法器模块、场效应晶体管、电流镜模块和输出电阻;所述电平位移模块与输入电压Vin连接,根据所述输入电压V...
  • 一种高透射率平板型左手材料,属于电子材料技术领域。包括依附于衬底而存在的、由金属-介质-金属三层复合薄膜形成的网格状图形结构,每个网格中具有一个同样依附于衬底而存在的、由金属-介质-金属三层复合薄膜形成的对称方环图形结构。本发明由对称方...
  • 本发明公开了一种覆盖五个频段的小尺寸平面天线,结构中包括定位有天线单元的介质板、以及设置在介质板下表面的主金属接地板,所述天线单元为平面复合结构,包括与馈电端连接的L形高频辐射单元、以及与所述L形高频辐射单元耦合馈电的并设有集总贴片电感...
  • 具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
    本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变PMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区...
  • 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区...
  • 本发明提供一种基于图像复杂性分析的特征自适应图像共分割方法。考虑到简单背景图像中对象检测方法的检测结果较准确,而复杂图像中的检测结果较分散,考虑到初始分割准确度,首先从简单背景图像的分割结果出发,再通过学习不同图像组对应的最优相似程度衡...
  • 本发明公开了一种基于纹理自适应的图像去雾方法,属于图像处理和计算机视觉技术领域。本发明通过对输入图像进行纹理分类,并将纹理分类结果与不同尺度的暗通道值相结合,计算出相应的场景透射系数,实现了一种基于纹理自适应的快速图像去雾。本发明的应用...
  • 配电网负荷参数辨识方法及系统,涉及计算机技术。本发明包括下述步骤:1)预处理负载参数,对节点进行分类;2)辨识出配电网中的负载模型参数向量;3)优化处理负载模型参数向量。本发明实现了主变负荷模型聚类、泛化,以及各个主变基于不同电压等级和...