本发明公开了一种基于类单基地等效的双基地合成孔径雷达系统成像方法，它是通过将双基的双根号斜距史等效为类似单基地的单根号斜距史，得到系统的二维频谱的解析表达式，简化了双基地双根号的求解问题，充分利用已经成熟的单基地成像方法，如omega-...

本发明公开了一种数字三维示波器的波形亮度调节和校正方法，用户可根据信号样点的命中概率，通过波形亮度调节对要观察的命中概率范围内的波形进行着重显示。采用正向幂律变换时，波形亮度等级随样点命中概率的增大而增大；采用负向幂律变换时，波形亮度等...

本发明公开了一种三维波形数据的异常检测方法，在三维数据处理系统中，将某段时间内采集到的多幅波形数据映射到三维数据库中作为样本，并计算每个采样点的幅度取值范围来构造幅度取值异常检测模板。把随后采集到的每一幅波形数据与幅度取值异常检测模板进...

本发明提出一种用于狭缝的声表面波传感器以及这种传感器的制作方法，包括SAW芯片，SAW芯片包括叉指换能器和芯片电极，叉指换能器具有叉指换能器电极，芯片电极与叉指换能器电极连接，所述传感器包括微带天线，微带天线具有天线电极，天线电极与叉指...

本发明涉及一种磁熵变曲线上具有平台现象的磁致冷材料及其制备方法。该合金以钆为主要组元，其组成可用公式表示为：GdaCobAlc，其中50.0≤a≤55.0、15.0≤b≤20.0、25.0≤c≤31.0，且a+b+c=100。该合金是将...

本发明公开了一种光致弯曲柔性导电基板及其制备方法，包括光致弯曲柔性衬底和导电层，所述光致弯曲柔性衬底为光致弯曲聚合物材料，导电层附着在光致弯曲柔性衬底表面。通过制备同时具备光致弯曲能力和导电能力的柔性基板，可以实现光致弯曲执行器与光源一...

本实用新型涉及一种用于煤矿井下的无线传感器基站及安全监控系统，本实用新型的基站包括分别与控制器相连的无线收发模块、有线通信模块、告警模块，其特征在于，还包括位置坐标监测模块，用于根据所述无线收发模块根据接收来自无线传感器节点发送的信号强...

本实用新型公开了一种径向对数螺旋波导慢波线，包括一根双脊波导，该双脊波导在宽边方向上，按照平面对数螺旋线旋转，其内端口为电磁波输入端口，外端口为电磁波输出端口；在双脊波导脊的中心位置挖出一个圆盘形通道，作为电子注传输及进行注-波互作用的...

本实用新型公开了一种径向对数螺旋微带慢波线，为一种沿径向方向的准周期结构，采用平面扇形电子束工作，包括扇形金属屏蔽壳、扇形介质底板以及角度径向对数螺旋金属带，角度径向对数螺旋金属带由单根径向对数螺旋微带线上截取角度为θ的一部分弧线，以及...

本实用新型公开了一种曲折波导慢波线，包括曲折波导以及多片金属脊片和金属翼片，曲折波导由一系列的圆弧弯曲波导或直角弯曲波导与直波导首尾连接而成；在直波导内壁沿宽边方向都各加载有一片一定厚度的金属脊片，沿窄边内壁方向都各加载有一片一定厚度的...

该实用新型属于一种用于液态物质低温灭菌的微波同轴谐振腔。包括谐振腔壳体及设于其底部中心的液态物质输出口，设于谐振腔轴线上的下端为带出液口的圆锥头、上端设于谐振腔壳体外且上端口为进液口的筒形进液腔体，将液态物质输出口与圆锥头出液口连通的导...

本发明公开了一种基于边缘和运动检测的视频去隔行方法，属于视频图像处理技术领域。本发明根据相邻视频场之间点阵内对应像素的差值情况，判断视频内容是否发生显著运动，再据此采取不同的方法恢复出由于隔行扫描而丢失的像素，基于丢失场中待插值的像素在...

本发明公开了一种基于边缘检测的视频去隔行方法，属于视频图像处理技术领域。本发明基于丢失场中待插值的像素在前后场中多个边缘检测的基础上，对丢失场的斜边像素及垂直方向的像素，选用不同的候选像素集进行插值恢复。同时，根据已处理像素位置的参数结...

本发明公开了一种云存储中可撤销的关键字搜索公钥加密及搜索方法，属于网络安全技术领域。本发明包括：设置系统的公开参数并把系统时间分成z个时间片段，用户端建立公私钥对；当具有数据存储请求时，选取数据文件的关键字集合，选择任意的对称加密算法加...

本发明提供了一种被动锁模导引增益调制的双波长脉冲光纤激光器，包括用来产生连续泵浦光的泵浦源、用于对泵浦光合束的偏振合束器、对泵浦光高透，对激光高反，用于导引谐振激光的二色镜、耦合透镜、半导体可饱和吸收镜、掺Ho3+或Er3+ZBLAN光...

本发明公开了一种基片集成波导与矩形金属波导的过渡结构及其制造工艺，过渡结构（3）用于连接基片集成波导（1）与矩形金属波导（2），所述的过渡结构（3）一端与基片集成波导（1）连接，另一端插入在矩形金属波导（2）中，过渡结构（3）垂直于矩形...

一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate?MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时具有和三栅器件(...

一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小...

一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规RC-IGBT的在N集电区（9）和N缓冲区（8）之间引入一个P浮空区（7），以消除其snapback效应，降低器件的关断损耗。新结构减小了N集电...

一种高压集成电路的互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中，采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极（或阳极）和高压电路，多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所承载的电流大小，...