本发明实施例公开了一种制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法，包括：提供硅衬底材料；在硅衬底材料上形成周期性槽状结构，获得红外吸收增强层；在红外吸收增强层上形成势垒增强层；在势垒增强层上形成电极层。本发明的实施例中，红外吸收增强层包括周期...

该发明属于微纳光学及太阳能材料领域中的带金属纳米颗粒阵列光能增透片的生产方法。包括：激光束聚集器及纳米颗粒沉积基片的制备，配制纳米级贵金属悬浮液，沉积处理，冲冼及干燥。该发明采用透明光学玻璃作的正四棱锥台作为激光束的聚集器及沉积基片，采...

一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步...

一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比...

抗单粒子辐射MOSFET器件及制备方法，涉及集成电路技术。本发明包括高浓度衬底、源漏区、外延层、外延层异型阱和外延层同型阱，阱为倒掺杂阱，在漏区的垂直下方设置有部分埋氧层；在外延层同一类型阱的下方设置有与外延层类型相反的埋层，与阱边界形...

三维集成微型变压器，涉及集成电路，本发明在上层芯片的下方设置有第一金属线圈，下层芯片的上方设置有第二金属线圈，第一金属线圈和第二金属线圈位置相对，两层芯片上的金属线圈之间为隔离层。本发明的线圈集成在芯片背面，不需要单独的芯片面积，从而降...

一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状的平缓台阶，这有...

本发明公开了一种基于暗通道信息的图像去雾方法，属于图像处理和计算机视觉技术领域。本发明提出的方法首先对输入图像的各色彩通道采用最小值滤波器计算出各个像素点的最小值，接着计算不同尺度参数下的图像暗通道统计值，并对各尺度参数对应的暗通道统计...

本发明公开了一种基于深度摄像机的多点触摸设备，该设备包括：图像采集模块，用于采集彩色图像信息和手部触点深度图像信息，并将其传送给触点处理模块；触点处理模块，用于对接收到的信息进行处理，得到投影平面的图像信息，进而得到手指的触点信息，将投...

本发明公开了一种基于手势的PPT控制系统，该系统包括：图像获取模块，用于获取外界手势图像，并将外界手势图像发送给手势处理模块；手势处理模块，用于处理接收到的外界手势图像，并将处理后的手势图像与本地存储的手势图像列表信息进行比较，将对应的...

本发明公开了一种双飞移变模式双基地合成孔径雷达成像方法，本发明的方法基于对双飞移变模式双基地SAR广义Loffeld模型二维频谱的二维空间线性化，得到一种频率变换，即对频谱相位沿接收站最短斜距进行线性展开，导出Stolt频率变换表达式，...

本发明公开了一种前视扫描雷达成像方法，具体包括步骤：成像系统参数初始化；对回波数据进行距离向脉冲压缩；对雷达正前视区域进行超分辨成像处理；对方位角较大区域进行后向投影成像处理；两个区域成像结果拼接处理。本发明的成像方法在雷达正前视区域采...

本发明公开了一种雷达前视超分辨成像方法，具体包括步骤：距离向脉冲压缩，距离走动校正，距离向IFFT，迭代次数确定，方位向反卷积。本发明的方法通过将雷达天线前视扫描得到的回波在方位向建模为卷积，并通过反卷积方法估计出前方地物分布信息；此外...

本发明公开了一种基于DSP序列的MIMO-OTH雷达波形生成方法，属于MIMO-OTH雷达技术领域，用于生成MIMO-OTH雷达系统的发射信号。本发明针对MIMO-OTH雷达工作频段较窄且带外干扰较大的技术问题，基于DPS序列来构造发射...

本发明公开了一种双基地SAR的空间同步方法，具体包括步骤：参数初始化；WGS-84坐标系到空间直角坐标系的转换；空间直角坐标系到载机地理坐标系的转换；载机地理坐标系到载机坐标系的转换；载机坐标系到雷达参考坐标系的转换；天线波束对准。本发...

该发明属于一种采用距离关系库及接收信号强度的定位方法。包括建立定位区域坐标系并设置信号发射机坐标，设置各定位点并确定各定位点的坐标，依次确定各定位点与所有信号发射机的距离并建立距离关系库，确定待定位目标与各发射机之间的距离关系，匹配处理...

为了提高QCM质量传感器质量灵敏度的均匀性，本发明提供具有一种不对称电极结构的QCM质量传感器，属于电子技术领域。包括圆形石英晶片和分别位于圆形石英晶片上下两面的金属电极，其中下金属电极为一半径为m的圆电极，上金属电极为点-环状电极，由...

为了提高QCM质量传感器质量灵敏度的均匀性，本发明提供具有一种不对称电极结构的QCM质量传感器，属于电子技术领域。包括圆形石英晶片和分别位于圆形石英晶片上下两面的金属电极，其中下金属电极为一半径为m的圆电极，上金属电极为双环状电极，由一...

本发明公开了一种色温及亮度自动调节的LED智能照明灯，用于解决现有LED照明灯不能调节光强度和色温而引起的人眼舒适度差的问题，本发明包括LED灯珠和安装LED灯珠的安装板，还包括控制系统，控制系统包括控制芯片、光传感器和色温调节模块，色...

c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，属于电子材料技术。本发明包括以下步骤：步骤A：超声波清洗基片表面的杂质；步骤B：溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe12O19缓冲层；步骤C：将基片温度继续加热到500℃，以5nm/m...