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德克萨斯仪器股份有限公司专利技术
德克萨斯仪器股份有限公司共有2021项专利
用于自动曝光的方法和装置制造方法及图纸
本申请公开了用于自动曝光的方法和装置。提供一种用于自动曝光(AE)控制的方法,该方法包括从图像信号处理器(ISP)接收(200)针对图像的AE控制的统计数据,图像信号处理器(ISP)耦合到生成图像的图像传感器;基于图像的目标特性使用代价...
具有在每个维度上可选择的多维循环寻址的流引擎制造技术
本发明涉及具有在每个维度上可选择的多维循环寻址的流引擎。一种在数字数据处理器中使用的流引擎(125,2700),其指定由多个嵌套循环定义的固定只读数据流。地址生成器(1901)生成嵌套循环的数据元素的地址。流首寄存器(2718,2728...
用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器制造技术
本申请题为“用于P
带缓冲漏极的晶体管器件制造技术
本申请公开了带缓冲漏极的晶体管器件。半导体器件包括源极区域(756)。漏极区域(746)与源极区域(756)间隔开具有第一导电类型和第二掺杂剂浓度。第一漂移区域(741)位于源极区域(756)和漏极区域(746)之间,并且具有第一导电类...
基于电阻器的数模转换器制造技术
本申请公开基于电阻器的数模转换器。本描述的示例提供了一种电路(150)。在一些示例中,电路包括:电阻网络(160);最低有效位(LSB)电容器(156a),其经由开关(212)选择性地耦合成接收模拟输入电压(Vin)或耦合到电阻网络中的...
支持天线分集的发射机设备制造技术
本申请公开了支持天线分集的发射机设备。发射机(205)包括天线阵列解复用器(225),天线阵列解复用器具有用于输出信号(255)的第一输入、用于控制信号(220)的第二输入、耦合到第一输出引脚(260)的第一输出以及耦合到第二输出引脚(...
用于与多个电源兼容的烟雾检测器的集成电路制造技术
一种用于烟雾检测器的AFE芯片(101)包括DC/DC升压转换器(102),该DC/DC升压转换器具有升压输入、升压输出和升压上电源输入(110)。升压输入耦合到适合于通过电感器(L)耦合到电池的第一引脚(P1),并且升压输出耦合到第二...
用于深沟槽填充的多夹层结构制造技术
本申请涉及用于深沟槽填充的多夹层结构。通过在衬底(102)中形成深沟槽(120)并在深沟槽(120)的侧壁(118)上形成介电内衬(116)来形成半导体器件(100)。第一未掺杂多晶硅层(122)在半导体器件(100)上形成,其延伸到介...
加速面向BLE连接的服务上的控制过程制造技术
第一蓝牙设备(100)包括收发器(111),其被配置为在第一蓝牙设备(100)和第二蓝牙设备(101)之间的蓝牙连接的蓝牙连接事件(102)期间从第二蓝牙设备(101)接收控制过程分组(107)。第一蓝牙设备(100)还包括控制器(11...
在衬底上的平坦表面制造技术
本申请公开了在衬底上的平坦表面。一种电子设备110包括具有表面的衬底114;在表面的第一部分上的功能金属迹线116,其被电连接以在电子设备110中载运电流并具有第一密度;以及在表面的第二部分上的虚拟金属迹线118,其与功能金属迹线116...
低阻抗源极/背栅finFET制造技术
本申请题为“低阻抗源极/背栅finFET”。一种集成电路(100)包括衬底(102),该衬底具有从衬底的表面延伸的鳍状物(104)。该鳍状物包括源极区(106)、漏极区(110)和体区(108)。该源极区包括具有第一导电类型的外部区域(...
带有过压保护的放大器制造技术
本申请涉及带有过压保护的放大器。在所描述的示例中,电路(100)包括参考电压(102)、具有驱动输入和驱动输出的驱动电路(148)、输出晶体管(136)以及具有钳位输入和钳位输出的钳位电路(162)。输出晶体管(136)包括源极、漏极和...
异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制制造技术
本公开整体涉及异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制。在一个示例中,半导体器件结构(100,200)包括半导体衬底(102,202)和HBT。HBT包括集电极区(106,206,306)、基极区(112,212,312)和发射极...
使用早期和后期地址以及循环计数寄存器来跟踪架构状态的流引擎制造技术
本申请公开了使用早期和后期地址以及循环计数寄存器来跟踪架构状态的流引擎。一种在数字数据处理器(100)中使用的流引擎(125,200),其指定由多个嵌套循环定义的固定只读数据流。地址生成器(1901)生成数据元素的地址。流首寄存器(27...
高静态电流控制制造技术
提供了电路(300)。在一些示例中,该电路包括具有耦合在一起的栅极和漏极的第一晶体管(336)和耦合到第一晶体管(336)的漏极的电流源(334)。第二晶体管(308)具有耦合到第一晶体管(336)的源极的漏极。第三晶体管(338)的栅...
用于ADC的非线性校正的基于辅助ADC的校准制造技术
本申请公开了用于ADC的非线性校正的基于辅助ADC的校准。在一个示例中,一种系统(100)包括输入通道(102)和耦合到输入通道(104)的电压延迟转换器(V2D)(112)。该系统(100)还包括耦合到V2D(112)的第一多路复用器...
集成磁通门装置制造方法及图纸
本申请公开了集成磁通门装置。一种集成电路,具有衬底、具有在所述衬底上产生的有源区的晶体管的电路、芯结构、第一封装层、第二封装层和氧化物层。芯结构形成在上述电路上方。第一封装层覆盖芯结构,并且具有第一热膨胀系数。第二封装层覆盖芯结构上面的...
自动化模拟和混合信号电路设计和验证制造技术
一种用于设计电路的技术,包括接收代表用于第一工艺技术的电路的数据对象(514),该电路包括第一子电路,该第一子电路包括以第一拓扑结构布置的第一电气元件和第二电气元件;通过将第一拓扑结构与存储的拓扑结构相比较来识别数据对象中的第一子电路(...
无线通信切换过程制造技术
一种方法(500),其包括使用接入网络的第一接入节点与远程设备通信(502);由接入网络的中央堆栈节点确定远程设备和第一接入节点之间的第一无线通信链路的质量低于阈值(504);识别接入网络中的第二接入节点,远程设备和第二接入节点之间的第...
低中频发射机制造技术
本申请公开了低中频发射机。射频发射机(100A)包括输出同相(I)信号(125A)和正交(Q)信号(125B)的上变频器(110)、数字定时偏移电路(130)、第一数模转换器(DAC)(140A)和第二DAC(140B)、模拟定时偏移去...
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