【技术实现步骤摘要】
异质结双极型晶体管（HBT）中的掺杂剂分布控制
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月20日提交的美国临时专利申请序列号63/246,066 的优先权和利益，该申请由此通过引用以其整体并入本文。
技术介绍
[0003]异质结双极型晶体管(HBT)通常是针对发射极区和基极区实现不同半导体材料的双极结晶体管(BJT)。具有与基极区的材料不同的材料的发射极区在HBT中产生异质结。HBT可具有高工作频率并且因此可在高频电路中实现，诸如射频(RF)应用。
技术实现思路
[0004]本文描述的示例是一种半导体器件结构，其包括半导体衬底和异质结双极型晶体管。异质结双极型晶体管包括集电极区、基极区和发射极区。基极区设置在集电极区上或上方。发射极区设置在基极区上或上方。基极区设置在半导体衬底上或上方并且包括异质外延子层。异质外延子层掺杂有掺杂剂。掺杂剂的浓度梯度从邻接和上覆异质外延子层的层中的区增加到异质外延子层中的峰值浓度而在区和峰值浓度之间不减少。
[0005]本文描述的另一个示例是半导体处理...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；以及异质结双极型晶体管，所述异质结双极型晶体管包括集电极区、基极区和发射极区，所述基极区设置在所述集电极区上或上方，所述发射极区设置在所述基极区上或上方，所述基极区设置在所述半导体衬底上或上方并且包括异质外延子层，所述异质外延子层掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂的浓度梯度从邻接和上覆所述异质外延子层的层中的区增加到所述异质外延子层中的峰值浓度而在所述区和所述峰值浓度之间不减少。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述基极区还包括帽盖子层，所述帽盖子层是邻接和上覆所述异质外延子层的所述层。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述掺杂剂是n型掺杂剂。4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述异质外延子层包括硅锗，并且所述掺杂剂为磷、砷或其组合。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述异质外延子层进一步掺杂有碳。6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：所述集电极区设置在所述半导体衬底上或上方，所述集电极区为硅；所述异质外延子层设置在所述集电极区上或上方，所述异质外延子层为硅锗；所述掺杂剂为磷；所述基极区还包括帽盖子层，所述帽盖子层设置在所述异质外延子层上或上方，所述帽盖子层是硅；并且所述发射极区设置在所述帽盖子层上或上方，所述发射极区为硅。7.一种半导体处理的方法，所述方法包括：使基极区的第一子层在集电极区上或上方外延生长，所述集电极区设置在半导体衬底上或上方；使所述基极区的第二子层在所述第一子层上或上方外延生长，使所述第二子层外延生长包括通过第一掺杂剂掺杂所述第二子层；以及使所述基极区的第三子层在所述第二子层上或上方外延生长，其中所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层中的每个子层是外延生长的，包括半导体物质，所述第一子层中的所述半导体物质的浓度大于所述第二子层中的所述半导体物质的浓度，所述第三子层中的所述半导体物质的浓度大于所述第二子层中的所述半导体物质的所述浓度。8.根据权利要求7所述的方法，其中使所述第一子层和所述第三子层中的每个子层外延生长包括通过与所述第一掺杂剂不同的第二掺杂剂掺杂相应子层。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二掺杂剂是碳。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一掺杂剂是n型掺杂剂。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述n型掺杂剂为磷、砷或其组合。12.根据权利要求7所述的方法，其中使所述第一子层和所述第三子层中的每个子层外延生长不包括通过所述第一掺杂剂掺杂相应子层。13.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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