温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开整体涉及异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制。在一个示例中，半导体器件结构(100,200)包括半导体衬底(102,202)和HBT。HBT包括集电极区(106,206,306)、基极区(112,212,312)和发射极区(...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。