包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管制造技术

本发明专利技术涉及包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管，揭示用于双极结型晶体管的结构以及形成用于双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括具有腔体的介电层、位于该介电层上的第一半导体层、包括位于该第一半导体层上的部分的集电极、包括位于该第一半导体层上的部分的发射极、以及包括位于该腔体中的第一段以及第二段的第二半导体层。该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该部分与该发射极的该部分间。分与该发射极的该部分间。分与该发射极的该部分间。

【技术实现步骤摘要】
包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]此申请要求2021年10月20日提交的美国临时申请号63/257,819以及2021年9月10日提交的美国临时申请号63/242,826的权益，各申请整体通过参考包含于此。


[0003]本揭露通常涉及半导体装置及集成电路制造，尤其涉及双极结型晶体管的结构以及形成双极结型晶体管的结构的方法。

技术介绍

[0004]双极结型晶体管是一种多端子电子装置，其包括发射极、集电极，以及布置于该发射极与集电极之间以定义结的本征基极。在PNP双极结型晶体管中，发射极及集电极由p型半导体材料组成，而本征基极由n型半导体材料组成。在NPN双极结型晶体管中，发射极及集电极由n型半导体材料组成，而本征基极由p型半导体材料组成。在操作期间，基极
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发射极结为正向偏置，基极
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集电极结为反向偏置，并可通过基极
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发射极电压控制集电极
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发射极电流。
[0005]异质结双极型晶体管是双本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于双极结型晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：介电层，包括腔体；第一半导体层，位于该介电层上；集电极，包括位于该第一半导体层上的第一部分；发射极，包括位于该第一半导体层上的第一部分；以及第二半导体层，包括位于该腔体中的第一段，以及第二段，该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该第一部分与该发射极的该第一部分间。2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第二段穿过该第一半导体层延伸至该第二半导体层的该第一段。3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：操作衬底，其中，该介电层包括将该腔体与该操作衬底隔开的部分。4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第二段提供该双极结型晶体管的本征基极。5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该介电层由介电材料组成，且该腔体嵌埋于该介电层的该介电材料中。6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：第一介电间隙壁，横向位于该第二半导体层的该第一段与该集电极的该第一部分间；以及第二介电间隙壁，横向位于该第二半导体层的该第一段与该发射极的该第一部分间。7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该集电极包括位于该第一半导体层中的第二部分，该发射极包括位于该第一半导体层中的第二部分，且该第二半导体层的该第二段直接接触该集电极的该第二部分以及该发射极的该第二部分。8.如权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括：气隙，位于该腔体中，其中，该第二半导体层的该第一段与该气隙共用该腔体。9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：气隙，位于该腔体中，其中，该第二半导体层的该第一段与该气隙共用该腔体。10.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第一段与该第二段包含不同浓度的掺杂物。11.如权利要求1所述的结构，其特征在于，与该第二半导体层的该第二段相...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：