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本发明涉及包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管，揭示用于双极结型晶体管的结构以及形成用于双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括具有腔体的介电层、位于该介电层上的第一半导体层、包括位于该第一半导体层上的部分的集电极、包括位于该第...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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