异质结双极晶体管结构及其形成方法技术

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、集电极、初始基极以及初始发射极；在初始发射极上形成发射极电极；以发射极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀初始发射极形成发射极；在初始基极上形成基极电极；对初始基极进行图形化处理形成基极；在集电极上形成集电极电极。由于干法刻蚀工艺不会产生侧向刻蚀的问题，因此可以直接以发射极电极为掩膜对初始发射极进行刻蚀，而且采用干法刻蚀工艺可以省去湿法刻蚀工艺中的刻蚀停止层，不但省去了制程光罩降低制作成本，而且形成的发射极的尺寸与发射极电极的尺寸相同，能够有效提升发射极与发射极电极之间的电传导性和热传导性，进而提升器件结构性能。结构性能。结构性能。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着社会的发展以及现代通信对高频带下高性能和低成本的RF组件的需求，传统的硅材料器件无法满足这些性能上新的要求。由于异质结双极晶体管(Hetero
‑
junction Bipolar Transistor，简称HBT)的高频性能大大优于硅双极晶体管，而与硅工艺的兼容性又使其具有硅的低价格，因此HBT技术获得了长足的进展，已成为RF集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。
[0003]然而，现有的异质结双极晶体管结构在形成过程中仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，以降低制作成本且提升器件结构的性能。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种异质结双极晶体管结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的集电极、位于所述集电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的集电极、位于所述集电极上的初始基极、以及位于所述初始基极上的初始发射极；在所述初始发射极上形成发射极电极，所述发射极电极覆盖所述初始发射极的部分顶部表面；以所述发射极电极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述初始发射极，直至暴露出所述初始基极的顶部表面为止，形成发射极，所述发射极覆盖所述初始基极的部分顶部表面；在露出的所述初始基极上形成基极电极；在形成所述基极电极之后，对所述初始基极进行图形化处理形成基极，所述基极覆盖所述集电极的部分顶部表面；在露出的所述集电极上形成集电极电极。2.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括：氯气；刻蚀气体的流量为10sccm～500sccm。3.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，对所述初始基极进行图形化处理形成基极的方法包括：在所述集电极和所述初始基极之间形成刻蚀停止层；在所述初始基极上形成第一图形化层，所述第一图形化层覆盖所述发射极、所述发射极电极、所述基极电极、以及所述初始基极的部分顶部表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述初始基极，直至暴露出所述刻蚀停止层的顶部表面为止，形成所述基极。4.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在所述初始发射极上形成发射极电极的方法包括：在所述初始发射极上形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出所述初始发射极的部分顶部表面；以所述第二图形化层为掩膜，采用第一蒸镀工艺在所述第二图形化层上和露出的所述初始发射极上形成初始发射极电极；去除所述第二图形化层和所述第二图形化层上的所述初始发射极电极，形成所述发射极电极。5.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述发射极电极包括多层结构。6.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在露出的所述初始基极上形成基极电极的方法包括：在所述初始基极上形成第三图形化层，所述第三图形化层暴露出所述初始基极的部分顶部表面；以所述第三图形化层为掩膜，采用第二蒸镀工艺在所述第三图形化层上和露出的所述初始基极上形成初始基极电极；去除所述第三图形化层和所述第三图形化层上的所述初始基极电极，形成所述基极电极。7.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述基极电极包括多层结构。8.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在露出的所述集电极上形成集电极电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹道华，高谷信一郎，黄仁耀，刘昱玮，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：