本申请公开了一种混合迟滞控制系统。一种系统包括第一比较器(260A)、第二比较器(260B)、脉宽调制(PWM)控制器(270)和斜坡发生器(285)。第一比较器具有耦合到斜坡发生器的第一斜坡输出(290A)的正输入和被配置为接收输入电...

本申请公开了用于生成后拼接全景视图的系统和方法。在所描述的示例中，后拼接全景视图(RSVP)系统包括至少一个处理器和存储软件指令的存储器，该软件指令在由至少一个处理器执行时使RSVP系统计算(404)由安装在车辆后部的立体相机捕获的左中...

在示例中，电子设备(200)包括收发器(206)和耦合到收发器的处理器(202)。处理器被配置为使用经由收发器从另一个电子设备接收的多个数据包中的经过时间指示来将电子设备的时钟(214)与另一个电子设备的时钟同步。处理器被配置为使用电子...

一种设备(201)包括主机逻辑(200)和无线控制器(250)。无线控制器(250)包括收发器(258)和调度器(260)。调度器(260)被配置为确定第一设备和第二设备要集聚在一起。另外，在发生通信事件时，调度器(260)被配置为唤醒...

一种通信接口缓冲器包括：数据总线连接件(410)以及接地(408)，所述数据总线连接件(410)适于耦合到总线接口触点。所述通信接口缓冲器还包括输出晶体管(M6)，所述输出晶体管(M6)具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第一...

电流回路(100)包括接收器组件(122)和发射器组件(102)。电流回路(100)还包括：第一导体(132)，其在接收器组件(122)和发射器组件(102)之间；以及第二导体(134)，其在接收器组件(122)和发射器组件(102)之...

一个示例包括具有测试输入(106)和测试输出(108)的自动测试设备(ATE)电路系统(104)。测试输入(106)可以耦合到功率转换器集成电路(IC)(102)的数字输出。测试输出(108)可以耦合到功率转换器IC(102)的电压输出...

制造方法、电子器件(100)和增强型氮化镓晶体管(102)包括在异质外延结构(118、120、121)与p型掺杂氮化镓层(124)之间和/或在p型掺杂氮化镓层(124)与栅极结构之间的氮化镓夹层(123)，以减轻p型掺杂剂扩散，改进电流...

一种半导体器件，其包括衬底，该衬底具有包含横向扩散金属氧化物半导体晶体管的半导体层，该半导体层包括第一导电类型的管体区和相反导电类型的漂移区。在管体的沟道区上方的栅极电介质层，栅极电介质在管体区和漏极区之间的结上方延伸；栅极电介质上的栅...

本申请公开了实时图像管道中的故障检测。一种技术包括接收用于处理的图像流(110)；以实时操作模式处理接收的图像流；输出图像处理管道(104)已经开始处理接收的图像流的指示；响应于指示，接收与用于测试图像处理管道的测试数据相关联的第一配置...

本申请题为“通过用于激光分割的平衡压缩和缩回循环力受控扩散激光诱导硅裂缝的方法”。一种方法(200)包括：将激光脉冲沿一个方向施加(210)到晶片的侧面，以在晶片中的相应第一和第二深度处产生第一和第二隐蔽损坏区，并且产生在晶片中从相应隐...

本申请公开引线框架带组件和处理方法。一种处理具有相对的第一纵向端和第二纵向端以及定位在第一纵向端和第二纵向端之间的多个引线框架面板的引线框架带的方法，引线框架面板中的每一个包括引线框架部分的阵列。该方法包括将引线框架带移动到锯工位，30...

一种电子设备，包括：第一部件和事务跟踪单元(710)，该第一部件被配置为通过提供指定第一数据集和输入存储器地址的第一存储器请求(706)来向第二部件传输第一数据集，该事务跟踪单元(710)耦合到第一传送接口(712)，该事务跟踪单元(7...

本申请公开了传输门驱动器。一种驱动器(200)包括在电源电压轨(205)与第一输出节点(250)之间的低电阻充电路径(MP3、MP4、MP5)、在电源电压轨与第一输出节点之间的高电阻充电路径(MP3、MP2)、耦合到第一输出节点并被配置...

本发明涉及除法和模运算。在一些示例中，一种设备(500)包括具有输入线(530)的除法逻辑电路(510)，该输入线包括第一最低有效输入线(534)。该除法逻辑电路(510)还包括临时输出线(540)，该临时输出线包括第二最低有效线(54...

本申请涉及细粒度测试电源控制的分布式机制。一种集成电路(200)包括一组处理器内核(202、204、206)，其中的每一个处理器内核包括BIST逻辑电路(203、205、207)和耦合到BIST逻辑逻辑电路(203、205、207)的存...

本申请公开了具有高相对介电常数层的集成高压电子器件。一种磁性组件(110)包括具有核心介电层(161)、介电堆叠层(162、163、164、165)、高介电常数介电层(181、182)以及第一和第二图案化导电特征(109、111)的多层...

一种升压转换器包括输入端子(102)、输出端子(106)、开关端子(112)、低侧晶体管(108)和降压模式检测电路(302)。低侧晶体管(108)耦合到开关端子(112)。降压模式检测电路(302)耦合到低侧晶体管(108)。降压模式...

本申请公开了多堆叠式电容器。一种堆叠式电容器包括电容器堆叠(120)。电容器堆叠(120)包括具有第一表面(111)和相对的第二表面(112)的基板(110)、在基板(110)上或其上方的第一电介质层(121)，以及在第一电介质层(12...

本申请题为“减小的半导体晶圆弯曲和翘曲”。形成(900)集成电路，例如通过首先同时形成(904)第一前段工艺(FEOL)层(122)和第二FEOL层(124A)，该第一FEOL层具有第一厚度和接触或面向半导体衬底前侧的表面，而该第二FE...