本实用新型涉及清洗设备技术领域，尤其涉及一种涂胶胶盘清洗设备。本实用新型提供的涂胶胶盘清洗设备包括柜体、清洗装置以及废液回收装置；柜体包括顶板、底板、背板、左侧板、右侧板、操作台面以及支撑杆，清洗装置包括清洗桶和排液柱，废液回收装置包括...

本发明提供一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，包括以下步骤：S1、在晶圆表面沉积二氧化硅薄层；S2、通过干法刻蚀工艺对晶圆沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理；S3、通过酸性清洗液对晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使...

本发明提供一种半导体三五族化合物晶圆加工方法，包括以下步骤：S1、制作带有中心孔的晶圆环；S2、将晶圆放置在晶圆环的中心孔处，并将晶圆与晶圆环进行粘贴固定；S3、将粘贴后的晶圆和晶圆环放置在设备承片位置，确认成片位置压力显示为35

本发明提供一种芯片封装前序的胶体检测方法，包括如下步骤：S1、在无阶台面上刻画点胶图案；S2、用吸盘将玻璃盖板通过点胶的方式贴装在陶瓷载体上，观察玻璃盖板下的胶体覆盖情况；S3、当胶体在无阶台面上产生空洞时，改进点胶图案，重复步骤S1和...

本发明提供一种硅晶圆表面凹槽的填平方法，包括如下步骤，S1、通过化学气相沉积的方法在硅晶圆上沉积一层阻挡层；S2、在硅晶圆上沉积一层填充层；S3、采用化学机械研磨的方法，控制研磨温度在30

本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装载具，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置于载具主体，传送耳边用...

本发明提供一种石英常温键合方法，包括：S100，清洗石英片表面；S200，将两个石英片进行二氧化硅沉积，在石英片表面生成二氧化硅键合膜；S300，对二氧化硅键合膜进行化学机械研磨；S400，使用氢氟酸溶液清洗石英片；S500，使两个石英...

本发明提供一种优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法，包括如下步骤：S1、将外延片与纯硅片以及器件晶圆与逻辑电路晶圆进行键合工艺，形成一片晶圆；S2、通过采用机械研磨方式，将外延片或逻辑晶圆的背面研磨至13

本发明提供一种CMOS图像传感器封装载具、设计方法及洁净度提高方法，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置...

本实用新型提供一种胶管夹持装置，包括点胶针头与夹持器，点胶针头包括UV胶管连接部分与针头连接部分，在点胶针头整体的内部开设有便于胶体通过的圆柱形空心结构，UV胶管连接部分与UV胶管通过螺纹连接，针头连接部分呈锥形，夹持器包括夹持器固定板...

本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开方法，包括：根据载片晶圆的图形面通过苏斯光刻机在所述载片晶圆的背面上制作识别图案；将所述载片晶圆与所述传感器晶圆键合为一体式结构，并对所述传感器晶圆进行减薄；通过所述苏斯光刻机识别所述识别图案并在所...

本发明提供一种在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法，包括以下步骤：S1、通过化学气相沉积法分别在长锗硅片和普通硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅；S2、对长锗硅片进行改良磨边工艺处理；S3、对普通硅片进行常规化学机械抛光处理，对长锗...

本发明提供了一种用凹口型晶圆加工设备对平边型晶圆加工的方法，包括以下步骤：准备与待加工的平边型晶圆相同尺寸的凹口型晶圆；将待加工的平边型晶圆的非加工面进行化学机械平坦化；将非加工面与凹口型晶圆的加工面键合固定；使用凹口型晶圆加工设备对键...

本发明提供了一种显影模块及显影方法，包括S1、旋转晶圆，驱动摆臂支架在第一移动范围内做往复运动，使显影液均匀喷洒到晶圆上后，再喷洒去离子水，完成对晶圆的冲洗，第一移动范围为使显影液的喷洒面的边界分别至少到达晶圆的中心和晶圆的边缘；S2、...

本发明提供一种石英与硅的直接键合方法，包括如下步骤：S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在石英片的表面生长二氧化硅薄膜；S2、对二氧化硅薄膜进行化学机械研磨；S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜将石英片与硅片直接键合。本发明在常温下即...

本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种小尺寸晶圆的加工方法，利用化学键键合的方式，将小尺寸晶圆键合到大尺寸晶圆上；通过使用高精准键合设备，同时改造机台兼容性以满足不同尺寸晶圆键合；进而将小尺寸晶圆在大尺寸晶圆设备上进行加工。可...

本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种光刻胶显影残渣去除方法，在常规显影装置机械臂上增加一套二流体喷嘴，所述二流体喷嘴将去离子水和高纯氮气同时喷洒到硅片表面，并通过机械臂带动所述二流体喷嘴移动，实现对整个硅片的扫描式清洗。与加...

本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开的方法，在光刻机对准单元上增加红外光源，利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记，进行直接对准；经过红外光源对准光刻后，利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。本专利提...

本发明公开了一种硅腐蚀液激活方法，通过将设备初始化后，更换硅腐蚀液、然后将3至5片高掺杂硅片传送至设备的工艺腔内，选好对应的操作程序后，使硅腐蚀液和高掺杂硅片反应，反应后的硅腐蚀液自动返回至容器内，测试硅腐蚀液的腐蚀速率与选择比。采用通...

本发明公开了一种硅片单侧膜淀积的方法，提出硅片单侧膜淀积的方法，该方法为通过利用原子层沉积(ALD)设备在低温下实现硅片单侧薄膜淀积，即选择合适的背膜，并将此背膜通过一定的技术手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀积薄膜，在淀积工艺完成后...