一种显影模块及显影方法技术

本发明专利技术提供了一种显影模块及显影方法，包括S1、旋转晶圆，驱动摆臂支架在第一移动范围内做往复运动，使显影液均匀喷洒到晶圆上后，再喷洒去离子水，完成对晶圆的冲洗，第一移动范围为使显影液的喷洒面的边界分别至少到达晶圆的中心和晶圆的边缘；S2、驱动摆臂支架在第一移动范围内做往复运动的同时匀速喷洒显影液，完成扫描式显影；S3、驱动摆臂支架在第二移动范围内做往复运动，利用二流体喷嘴对晶圆进行清洗后，再利用去离子水，完成对晶圆的冲洗，第二移动范围为使去离子水的喷洒面的边界至少分别到达晶圆的中心和边缘。通过喷洒角度、压力调整以及扫描式喷洒，提高了光刻胶在显影过程中的去除效率。显影过程中的去除效率。显影过程中的去除效率。

【技术实现步骤摘要】
一种显影模块及显影方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片加工制造
，具体涉及一种显影模块和减少显影残留的显影方法。

技术介绍

[0002]在进行光刻工艺中，涂覆光刻胶的硅片经过紫外线曝光，使光刻胶的曝光位置发生了光化学变化，在光刻胶中形成了掩膜版图案的精确规范映像，为下一步的光刻胶显影做好了准备。显影是在光刻胶中产生三维的物理图形，这一步决定光刻胶图形是否是掩膜版图形的真实再现。在深亚微米硅片制造工艺中，显影对随后的工艺加工是极为关键的一步。
[0003]光刻胶显影的早期方法是将一盒硅片固定浸没在显影液中。在大规模生产的今天，此方案已不再适用。自动硅片轨道系统在光学光刻操作中可同时有效地传递单个硅片，而成批生产的方式是不适用的。固定浸没的方式消耗了大量的显影液，而且对于大尺寸硅片的高密度集成电路，成批浸没的方式很难实现显影的均匀性。现在用于旋覆硅片显影的显影技术主要有两种，一种是连续喷雾显影真空吸盘上的单个硅片以很慢的速度旋转，显影液以雾的形式喷洒，有些工艺使用超声波雾化以获得低速弥散。另一种是旋覆浸没显影，将显影液喷涂在硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显影模块，包括依次设置在摆臂支架上的去离子水喷嘴、二流体喷嘴和显影液喷嘴，其特征在于，所述摆臂支架包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂，所述第一摆臂和所述第三摆臂平行设置；所述第二摆臂的一端与所述第三摆臂的一端转动连接，所述第二摆臂的另一端与所述第一摆臂滑动连接；所述二流体喷嘴和所述显影液喷嘴均设置在所述第三摆臂上，所述去离子水喷嘴设置在所述第一摆臂上；所述显影液喷嘴的喷面具有喷洒角，所述喷洒角的范围为50
°‑
90
°
。2.根据权利要求1所述的显影模块，其特征在于，所述显影模块还包括驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述摆臂支架做往复运动。3.根据权利要求1所述的显影模块，其特征在于，所述显影液喷嘴的喷洒压力不低于0.1kPa。4.一种显影方法，利用如权利要求1
‑
3任一项所述的显影模块进行显影，其特征在于，包括以下步骤：S1、旋转所述晶圆，驱动所述摆臂支架在第一移动范围内做往复运动，使所述显影液喷嘴喷洒的显影液均匀喷洒到所述晶圆上后，再利用所述去离子水喷嘴喷洒去离子水，完成对所述晶圆的初步显影；所述第一移动范围包括使所述显影液的喷洒面的边界至少到达所述晶圆的中心和所述晶圆的边缘；S2、完成对所述晶圆的初步显影后，驱动所述摆臂支架在所述第一移动范围内做往复运动的同时匀速喷洒所述显影液，完成扫描式显影；S3、驱动所述摆臂支架在第二移动范围内做往复运动，利用所述二流体喷嘴对所述晶圆进行清洗后，再利用所述去离子水喷嘴喷洒去离子水完成对所述晶圆的冲洗；所述第二移动范围包括使所述去离子水的喷洒面的边界至少到达所述晶圆的中心和所述晶圆的边缘。5.根据权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述显影方法还包括步骤S4：旋转所述晶圆进行甩干。6.根据权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀聪，叶武阳，张耀庚，方小磊，李彦庆，
申请(专利权)人：长春长光圆辰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：