一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法技术

本申请涉及半导体器件制造技术领域，本申请提供一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：选取半导体材料作为TMBS基底，使用化学气相沉积在半导体基底表面形成氧化层，使用光刻技术在氧化层上定义沟槽的位置，使用反应离子技术在氧化层上刻蚀出沟槽，形成金属MOS栅极，在金属MOS栅极接触沟槽的底部氧化层完全覆盖保护层，侧壁氧化层20%‑50%部分覆盖保护层，在TMBS基底上设置TMBS芯片，使用封装材料进行包裹和固定。本申请通过对底部氧化层和侧壁氧化层进行合理保护层覆盖，优化电场分布，降低TMBS半导体器件制造过程由于不均匀电场引起的噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法。

技术介绍

1、tmbs(trench mos barrier schottky rectifier沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基整流器，简称tmbs)是一种引入沟槽mos栅结构的功率器件，通过利用“电荷耦合”效应降低肖特基势垒处的电场强度，从而降低正向导通压降，同时获得较低的反向漏电流。

2、但是，随着电子设备向小型化和高集成度的发展，对电噪声的控制变得尤为重要，因为电噪声会显著影响信号的完整性和器件的性能，对tmbs半导体附加保护层能够有效屏蔽外部电磁干扰（emi和rfi），减少这些干扰对半导体器件性能的影响，但是保护层对局部的保护现仍存在缺陷，例如不完全覆盖导致的薄弱区域或保护层沉积不够均匀导致电噪声减少效果弱，电场集中导致保护层失效或漏电。

技术实现思路

1、有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术提出一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，本专利技术设计的技术方案步骤包括：</p>

2、s1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，所述S10中的半导体材料包括但不限于硅、砷化镓和氮化镓。

3.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，所述S20中的氧化层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，所述S50包括：

5.根据权利要求4所述的一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，所述金属材料为...

【技术特征摘要】

1.一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，其特征在于，所述s10中的半导体材料包括但不限于硅、砷化镓和氮化镓。

3.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，其特征在于，所述s20中的氧化层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，其特征在于，所述s50包括：

5.根据权利要求4所述的一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法，其特征在于，所述金属材料为铝。

6.根据权利要求1所述的一种用于减少电噪声的tmbs半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦庆，孙萱，高洋，崔旭，
申请(专利权)人：长春长光圆辰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：