背照式图像传感器焊盘打开方法技术

本发明专利技术提供一种背照式图像传感器焊盘打开方法，包括：根据载片晶圆的图形面通过苏斯光刻机在所述载片晶圆的背面上制作识别图案；将所述载片晶圆与所述传感器晶圆键合为一体式结构，并对所述传感器晶圆进行减薄；通过所述苏斯光刻机识别所述识别图案并在所述传感器晶圆上曝光焊盘图案；对所述焊盘图案进行后期处理实现焊盘打开。采用本技术方案能够采用低成本设备实现背照式图像传感器焊盘的打开。低成本设备实现背照式图像传感器焊盘的打开。低成本设备实现背照式图像传感器焊盘的打开。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器焊盘打开方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及背照式图像传感器焊盘打开方法。

技术介绍

[0002]背照式传感器的晶圆的基本结构为一片载片晶圆和一片传感器晶圆通过图形面对图形面垂直堆叠键合而成，这导致了背照式传感器晶圆的图形面处于键合界面处，由于键合界面处的硅对激光和卤素灯光具有阻碍作用，常规光刻机无法识别键合界面处的标记，因而不能识别图形面，导致不能实现焊盘打开的目的。目前业界一般采用盲开工艺或红外对准工艺解决此问题。盲开工艺使用晶圆notch进行机械对准，然后在特定位置将4
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20微米的硅刻蚀干净，露出对准标记，从而可以使用常规光刻机进行焊盘打开，而红外对准工艺利用红外光源穿透硅，进而识别键合界面处的标记，实现焊盘打开。然而，盲开工艺中增加了一道光刻和深硅刻蚀工艺，而深硅刻蚀设备价格昂贵，红外对准工艺需要使用红外光刻机，而红外光刻机价格往往更加昂贵。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了克服已有技术的缺陷，提出背照式图像传感器焊盘打开方法，能够采用低成本设备实现背照式图像传感器焊盘的打开。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用以下具体技术方案：
[0005]根据本专利技术实施例提供的背照式图像传感器焊盘打开方法，包括：S100，根据载片晶圆的图形面通过苏斯光刻机在所述载片晶圆的背面上制作识别图案；S200，将所述载片晶圆与所述传感器晶圆图形面对图形面键合为一体式结构，并对所述传感器晶圆进行减薄；S300通过所述苏斯光刻机识别所述识别图案并在所述传感器晶圆上曝光焊盘图案；S400，对所述焊盘图案进行后期处理实现焊盘打开。
[0006]需要说明的是，苏斯光刻机又名SUSS光刻机，苏斯光刻机的价格远远低于红外光刻机价格和深硅刻蚀设备的价格，苏斯光刻机能够在晶圆上制作识别图案，也能够识别图形面的图案和识别图案，但苏斯光刻机不能识别键合界面处的标记，因而不能识别键合界面处的图形面，不能实现背照式传感器的焊盘打开。
[0007]本专利技术实施例的背照式图像传感器焊盘打开方法至少能取得如下有益效果：在载片晶圆和传感器晶圆键合前，利用苏斯光刻机识别载片晶圆的图形面(载片晶圆的图形面为载片晶圆的正面)并在载片晶圆的背面制作识别图案，载片晶圆和传感器晶圆键合后载片晶圆的图形面处于键合界面处，但键合前制作的识别图案由于处于载片晶圆背面未处于键合界面处，因此键合前制作的识别图案能够被识别，通过识别键合前制作的识别图案对传感器晶圆实现焊盘打开，从而实现用价格低廉的苏斯光刻机实现背照式图像传感器的焊盘打开。。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述步骤S100包括：
[0009]S110、在图形面贴保护膜；
[0010]S120、翻转所述载片晶圆，使所述载片晶圆的背面朝上，去除所述载片晶圆的背封结构；
[0011]S130、对所述载片晶圆的背面进行涂胶；
[0012]S140、将所述载片晶圆传入苏斯光刻机，通过所述苏斯光刻机识别所述载片晶圆的图形面，在所述载片晶圆的背面曝光识别图案；
[0013]S150、对所述载片晶圆的背面进行显影、刻蚀、去胶。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述保护膜为蓝膜、UV膜或耐高温膜中的一种。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述步骤S120包括减薄并清洗所述载片晶圆背面，减薄的厚度为3
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80微米。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述步骤100还包括：减薄并清洗所述载片晶圆背面后，对所述载片晶圆背面进行二氧化硅沉积，沉积厚度为0.2
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2微米。根据本专利技术的一些实施例，所述识别图案为十字标记。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述传感器晶圆厚度减薄后为4
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20微米。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述步骤S300包括：S310，使所述传感器晶圆位于所述载片晶圆上方，在所述传感器晶圆表面涂胶；S320，将所述传感器晶圆和所述载片晶圆传入所述苏斯光刻机，通过所述苏斯光刻机识别所述载片晶圆的所述识别图案，在所述传感器晶圆上曝光焊盘图案。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，利用苏斯光刻机的背面对准功能，识别所述识别图案，在所述传感器晶圆的背面曝光焊盘图案。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述步骤S400包括：对所述传感器晶圆进行显影、刻蚀和去胶工艺。
[0021]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0022]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0023]图1是根据本专利技术实施例背照式图像传感器焊盘打开方法的流程图；
[0024]图2是根据本专利技术实施例步骤S100的流程图；
[0025]图3是根据本专利技术实施例步骤S300的流程图。
具体实施方式
[0026]在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。在下面的描述中，相同的模块使用相同的附图标记表示。在相同的附图标记的情况下，它们的名称和功能也相同。因此，将不重复其详细描述。
[0027]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，而不构成对本专利技术的限制。
[0028]正照式图像传感器晶圆在晶圆表面具有图形和标记，因而可以通过常规的光刻流
程实现焊盘打开的目的。但背照式图像传感器晶圆的基本结构为一片载片晶圆和一片传感器晶圆图形面对图形面垂直堆叠键合而成。因此载片晶圆的图形面处于键合界面处，由于硅对激光和卤素灯光的阻碍作用，常规光刻机无法识别键合界面处的标记，因而不能识别图形面，导致不能实现焊盘打开的目的。
[0029]为此，本专利技术提供了一种背照式图像传感器焊盘打开方法，旨在通过价格更加低廉、成本更低的苏斯光刻机实现背照式图像传感器焊盘打开。
[0030]根据本专利技术实施例提供的背照式图像传感器焊盘打开方法，如图1所示，包括：S100，根据载片晶圆的图形面通过苏斯光刻机在载片晶圆的背面上制作识别图案；S200，将载片晶圆与传感器晶圆键合为一体式结构，并对传感器晶圆进行减薄；S300通过苏斯光刻机识别识别图案并在传感器晶圆上曝光焊盘图案；S400，对焊盘图案进行后期处理实现焊盘打开。
[0031]图形面一般位于晶圆的正面，本方案在载片晶圆和传感器晶圆键合前，根据载片晶圆的图形面在载片晶圆的背面制作识别图案，当载片晶圆与传感器晶圆键合后，载片晶圆的图形面虽然处于键合界面处无法识别，但载片晶圆的背面上识别图案，可以正常识别，因此可以根据识别图案在传感器晶圆上曝光焊盘图案并进行后续的焊盘打开工艺。
[0032]现有技术中盲开工艺中使用的深硅刻蚀设备和红外对准工艺的红外光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.背照式图像传感器焊盘打开方法，其特征在于，包括：S100、通过苏斯光刻机在所述载片晶圆的背面上制作识别图案；S200、将所述载片晶圆与所述传感器晶圆键合为一体式结构，并对所述传感器晶圆进行减薄；S300、通过所述苏斯光刻机识别所述识别图案并在所述传感器晶圆上曝光焊盘图案；S400、对所述焊盘图案进行后期处理实现焊盘打开。2.如权利要求1所述的背照式图像传感器焊盘打开方法，其特征在于，所述步骤S100包括：S110、在图形面贴保护膜；S120、翻转所述载片晶圆，使所述载片晶圆的背面朝上，去除所述载片晶圆的背封结构；S130、对所述载片晶圆的背面进行涂胶；S140、将所述载片晶圆传入苏斯光刻机，通过所述苏斯光刻机识别所述载片晶圆的图形面，在所述载片晶圆的背面曝光识别图案；S150、对所述载片晶圆的背面进行显影、刻蚀、去胶。3.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开方法，其特征在于，所述保护膜为蓝膜、UV膜或耐高温膜中的一种。4.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开方法，其特征在于，所述步骤S120包括减薄并清洗所述载片晶圆背面，减薄的厚度为3
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80微米。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：方小磊，叶武阳，陈涛，李天成，陶继闯，
申请(专利权)人：长春长光圆辰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：