石英与硅的直接键合方法技术

本发明专利技术提供一种石英与硅的直接键合方法，包括如下步骤：S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在石英片的表面生长二氧化硅薄膜；S2、对二氧化硅薄膜进行化学机械研磨；S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜将石英片与硅片直接键合。本发明专利技术在常温下即可完成石英片与硅片的键合，无需高温条件，也不含有铵离子，与后续的MOS工艺相兼容，拓展了集成电路的应用范围，保证了产品的成品率和质量。保证了产品的成品率和质量。保证了产品的成品率和质量。

【技术实现步骤摘要】
石英与硅的直接键合方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种石英与硅的直接键合方法。

技术介绍

[0002]在微机械传感器和光电传感器中，以石英玻璃作为硅器件的衬底，具有良好的绝缘性能和绝热性能，器件的分布电容小，热噪声小。以石英玻璃作为器件的封盖，不但具有透明透光的特性，而且具有良好的气密性。但一直以来石英与硅片并不能直接键合在一起，需要依靠阳极键合即静电键合的工艺来完成，这种键合技术需要300～450℃的高温条件，并且含有钠离子，与后续的MOS工艺不兼容，对后续的工艺制造产生一定的局限性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了克服已有技术的缺陷，提出一种石英与硅的直接键合方法，以代替常规的静电键合，在常温下即可完成石英与硅的直接键合。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用以下具体技术方案：
[0005]本专利技术提供的石英与硅的直接键合方法，包括如下步骤：
[0006]S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在石英片的表面生长二氧化硅薄膜；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石英与硅的直接键合方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在所述石英片的表面生长二氧化硅薄膜；S2、对所述二氧化硅薄膜进行化学机械研磨；S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜将所述石英片与所述硅片直接键合。2.如权利要求1所述的石英与硅的直接键合方法，其特征在于，在步骤S1中，当提供石英片与硅片之后，通过化学清洗液对所述硅片与所述石英片进行清洗，使得所述所述硅片的表面与所述石英片的表面的颗粒度小于10颗。3.如权利要求2所述的石英与硅的直接键合方法，其特征在于，步骤S1中二氧化硅薄膜的生长厚度为1μm～2μm。4.如权利要求1所述的石英与硅的直接键合方法，其特征在于，步骤S2具体包括如下步骤：S201、将生长有二氧化硅薄膜的石英片放入研磨腔中进行研磨；S202、将研磨后的石英片放入抛光腔中进行抛光；S203、将抛光后的石英片放入超声腔中进行超声波清洗；S204、将超声波清洗后的石英片放入清洗腔中进行刷洗；S205、将刷洗后的石英片放入甩干腔中进行甩干。5.如权利要求4所述的石英与硅的直接键合方法，其特征在于，步骤S201的工艺参数如下：所述研磨腔中放置所述石英片的转盘的转速为90～120转/min，所述石英片的研磨压力为3～8psi，通入所述研磨腔中的研磨液的流量为100～200ml/min；步骤S202的工艺参数如下：所述抛光腔中放置所述石英片的转盘的转速为60～100转/min，所述石英片的抛光压力为0.5～1.5psi，通入所述抛光腔中的抛光液的流量为200～300ml/min；步骤S203的工艺参数如下：所述超声腔中放置所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳晶，李闯，王宣欢，丁正健，王佳龙，
申请(专利权)人：长春长光圆辰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：