一种能发出视觉上的白光的发光元件，它包含一蓝光发光单元及一覆盖部，覆盖部覆盖发光单元，覆盖部含有硒化锌荧光材料。蓝光发光单元，例如为氮化镓系列的半导体发光单元，能发出可见光谱中的蓝光，经过硒化锌荧光材料吸收一部分由发光单元发出的蓝光，并...

一种高生产率的发光元件覆晶接合方法，借助一挠性隔膜对置放于一承载板上的复数个发光元件提供均匀且适当的压合力量，将该复数个发光元件、该承载板以及介于该发光元件与该承载板间的一异向性导电胶层紧密压合，该挠性隔膜中并可嵌埋一加热元件，借助该加...

一种喷墨打印头晶片的驱动晶体管的结构及其制造方法，将多个基极广布于一个大面积金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）活性区的源极中，使得ＭＯＳＦＥＴ沟道到基极之间的等效电阻（Ｒ＃－［Ｂ］）随着距离的缩小而大幅度降低，因而可避免二次击...

本发明涉及一种利用多孔性材料实现陶瓷基板表面平坦化的方法，以满足提供后续膜层附着力的要求，可应用于基板、缓冲层与多孔纳米结构层等结构中，并于多孔纳米结构层提供薄膜制程技术所需平坦的表面、后续金属化和电子材料的附着力与导热、电绝缘、介电以...

本发明提供一种红外线元件气密室封装架构，包含基台、上盖，与一密封部分。基台具有不均一厚度的底座，可减少材料成本。上盖位于基台，密封部分位于基台与上盖之间，当利用一夹箍（ｃｌａｍｐ）提供一外力于密封部分而产生一形变时，不需在惰性气体环境中...

一种在硅层中形成的双向可控硅整流器，该整流器设置在浅槽隔离上，因而与衬底电气隔离，以便使其对衬底噪声不敏感，以用于静电放电保护。一种包括半导体衬底的静电放电保护器件包括：第一ｐ型部分，与第一ｐ型部分邻接的第一ｎ型部分，与第一ｐ型部分和第...

一种芯片上的集成电路栓锁现象（ｌａｔｃｈｕｐ）防护电路；该防护电路包含有一核心电路（ｃｏｒｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ）、一电源开关（ｐｏｗｅｒ　ｓｗｉｔｃｈ）以及一电流侦测器（ｃｕｒｒｅｎｔ　ｅｘｔｒａｃｔｏｒ）；该电源开关控制流经该核心电路的...

本发明涉及一种微悬浮结构的制造方法，利用集成电路布局的方法在基板表面依次形成所需的多层线路结构、牺牲层、微结构与介电层；同时在微结构表面的介电层和预进行蚀刻的牺牲层之间需堆栈出金属信道，再将金属移除形成蚀刻信道，最后经由蚀刻信道去除牺牲...

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其方法，是利用预先成型有凹穴的聚光镜，并于凹穴中滴入荧光粉胶体，另将固定于基板的发光二极管置入凹穴以形成发光二极管与荧光粉胶体的封装结构，并于置入的同时将多余的荧光粉胶体挤出凹穴外；在荧光粉胶体固化成型...

本发明公开了一种应用于红外线成像器与传感器的悬浮微结构及其制造方法，将连接悬浮微结构与基板的接脚形成于同一侧，并以双层或多层结构组成支撑悬浮微结构的悬臂部分，利用双层或多层结构间的应力差使悬臂形成向上翘曲；可确保悬浮微结构不会与基板产生...

一种晶圆电镀装置与方法，属垂直喷流式（Ｆｏｕｎｔａｉｎ　Ｔｙｐｅ），其晶圆电镀装置构造包含有晶圆旋转模组、垂直上下模组、晶圆倾斜模组、机架主体模组等，含有晶圆夹具、旋转轴的晶圆旋转模组及含有镀槽单元的晶圆倾斜模组设於一旋转台上，藉一连动...

一种贴膜对象与其所贴胶膜分离的方法，包含下列步骤：　　　　ａ、设置一台用以承载底部黏贴有胶膜之对象的固定机台，于机台上方设有可移动的取放头；　　　　ｂ、设置具有真空吸附孔的可移动真空吸取座；　　　　ｃ、移动真空吸取座于贴膜对象底部，借真...

一种自组成纳米级界面结构，其特征在于，包含：　　　　一电极层，主含量为金属元素；　　　　一界面层，相邻于该电极层，包含金属、成分Ａ与成分Ｂ，其中该金属的含量随着远离该电极层而呈斜坡状渐次下降，该成分Ａ的含量随着远离该电极层而呈钟型分布，...

本发明涉及一种液相沉积方法，用以在具有至少一个预先制造完成、有独立电路功能的半导体组件样本表面上，形成一层低温生长薄膜或极好逐步覆盖性薄膜。本发明还揭露一种液相沉积设备的清理方法，其特征在于使用一循环系统供该设备清洗用，以避免二氧化硅粉...

本发明涉及一种微流模块，使用微流体流通道阻障层，并在其中装设致动元件、流体喷射腔体以及复数个具有渐缩几何形状的流体输出通道与流体进入通道，利用致动元件例如加热器将工作流体加热而产生热气泡，并借助产生热气泡的瞬间高压将工作流体喷射至外界，...

本发明涉及一种发光二极管组件及其制造方法，系先于一基板表面形成具有斜面之氮化镓混成厚膜，利用氮化镓磊晶的特性自然形成磊晶斜面，再于氮化镓混成厚膜上成长发光二极管结构以形成发光二极管组件，可有效简化其制造过程；本发明系应用氮化镓之厚膜磊晶...

一种金氧半场效晶体管及其制造方法，用以制造出高密度和低线宽的喷墨头芯片，此金氧半场效晶体管是在硅基板形成具有较浅的掺质接面深度的源极和汲极，配合较低温的制作过程使源极和汲极掺质不会因高温扩散而互触，再在汲极源极接触孔加以高熔点材的栓柱以...

本发明涉及一种以碳化硅为基板制造的具有累积层通道的沟槽式金氧半电晶体结构。该电晶体结构包含沟槽闸极、以磊晶或离子布植形成的ｐ－基底层、ｎ＋掺杂区、ｐ＋掺杂区及同时形成于ｎ＋掺杂区、ｐ＋掺杂区的源极接触及形成于碳化硅基板的汲极。累积层通道...

本发明提供一种半导体装置封装方法适用于一封胶制程，包括下列步骤：提供一基板，具有复数个半导体装置，上述半导体装置分别包含一半导体芯片分别电性连接于上述基板一表面上的一预定封胶区内；在低于一大气压的第一气压下，以模板印刷法（ｓｔｅｎｃｉｌ...

本发明公开一种三维堆叠的电子封装件及其组装方法，结合柱形锡球方法与组件本身的通透孔设计，同时接合上下层组件以及完成电性接合，利用柱形锡球方法于承载体形成柱状导电凸块，再使柱状导电凸块通过组件的通透孔，以将组件组装于承载体以完成三维堆叠的...