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财团法人工业技术研究院专利技术
财团法人工业技术研究院共有7884项专利
相变化存储器元件及其制造方法技术
本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。根据本发明的相变化存储器元件,第二导电间隙壁位于第一导电间隙壁下方。相变化层,包括第一部分和第二部分,其中第一部分大体上平行第一和第二导电间隙壁。第二部分位于第二导电间隙壁上,其中第二导电间...
磁性存储单元结构与磁性存储装置制造方法及图纸
本发明公开了一种磁性存储单元结构与磁性存储装置。该磁性存储单元结构包括第一反铁磁层。第一固定层,形成于第一反铁磁层之上。穿隧能障绝缘层,形成于第一固定层之上。自由层,形成于穿隧能障绝缘层之上。金属层,形成于自由层之上。第二固定层,形成于...
塑料基板上的阻热结构制造技术
本发明涉及一种塑料基板上的阻热结构,其特点在于,包括有:一塑料基板;一多孔隙层,形成于该塑料基板上,该多孔隙层具有多个中空结构氧化物,且该些中空结构氧化物是经由溶胶-凝胶法而形成该多孔隙层;以及一缓冲层,该缓冲层形成于该多孔隙层之上;其...
有机薄膜晶体管以及控制高分子材料层表面能的方法技术
本发明涉及一种有机薄膜晶体管,其中的介电层由一种组合物所组成,该组合物包括:(a)高分子,其重复单位的结构如式(Ⅰ)所示,其中每个X各自独立地为H或C↓[1-54]烷基;R各自独立地为H、烷基、乙酰氧基、叔丁基、β-甲氧基乙氧基甲基醚、...
相变化存储器及其制造方法技术
本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含:电极;第一介电层,该第一介电层形成于该电极之上;开口,该开口贯穿该第一介电层,以露出该电极;加热源,该加热源形成于该开口内并与该电极接触,其中该加热源具有加热源延伸部,延伸出...
相变化存储器阵列及其制造方法技术
本发明公开了一种相变化存储器阵列及其制造方法。该相变化存储器阵列包括第一单元与第二单元。该第一单元包括一图形化相变化层,该第二单元包括一图形化相变化层。第一单元的图形化相变化层和第二单元的图形化相变化层位于不同层。
结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法技术
本发明涉及结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法,还涉及一种改善太阳能电池效率的方法,应用于包含单晶硅、多晶硅与多晶硅薄膜的结晶硅太阳能电池。本方法将太阳能电池置于氢气等离子体中,提供预定电压、预定频率与预定时间宽度的负偏压脉冲至太阳能电池...
一种导电膜的制造方法、结构及具有该导电膜的探针卡技术
一种导电膜的制造方法及其结构,以及具有该导电膜的探针卡;该导电膜通过微影深蚀刻模造技术及高分子厚膜技术,由绝缘薄膜包覆单层单向排列的复数金属微线构成金属微线数组单元;该绝缘薄膜具有高介电常数的聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺等高分子薄膜;该金属...
岛状式承载板及其制作方法技术
本发明公开了一种岛状式承载板及其制作方法,用以承载至少一发光组件,该发光组件具有至少一电性接点,该岛状式承载板包含有:基板;至少一个以上的岛状结构,位于该基板上并对应该电性接点,该岛状结构具有顶面与斜面;以及导电层,设置于岛状结构表面并...
发光二极管的封装材料组成物制造技术
本发明提供一种发光二极管的封装材料组成物,包括(a)约100重量份的液态双官能基环氧树脂,其中芳香环含量约占40~50重量%;(b)约55~120重量份的硬化剂,其中该硬化剂至少包括含芳香环结构的双官能基硫醇硬化剂,以及脂肪族四官能基硫...
一种具多层保护层的有机半导体元件及其制作方法技术
本发明涉及一种具多层保护层的有机半导体元件,包括有:有机薄膜晶体管;第一保护层,以气相沉积方式形成于该有机薄膜晶体管上;及第二保护层,形成于该第一保护层上。还涉及一种具多层保护层的有机半导体元件的制作方法,包括如下步骤:提供一有机薄膜晶...
发光模块以及其形成方法技术
本发明公开了一种用于形成发光二极管光源的像素的方法及发光模块。该用于形成发光二极管光源的像素的方法包括以下步骤:在基板上形成第一层;在第一层上形成第二层以及第一发光有源层;暴露第一层的上表面的部分;在基板上形成第三层;在第三层上形成第四...
封装发光二极管的方法技术
一种封装发光二极管的方法,包括提供一物料,将物料进行干燥处理后加入一进料口,再提供预先埋藏一发光二极管的一模具,物料由进料口进入,并通过一螺杆将物料加压射出至模具中,使该物料与该发光二极管结合。
叠对量测结构及方法技术
本发明提供一种叠对量测结构,其是利用双叠对微结构边界的散射特性,分别在上下层材料间形成一对微结构,藉由光学显微镜分析其微结构边界的光学强度分布,以得到层与层间的叠对误差。此外,本发明利用该叠对量测结构建构出一种叠对量测方法,利用不同的微...
发光二极管及其制造方法技术
本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管至少包括一个基板、一个锯齿状多层膜、一层第一形态半导体层、一层主动发光层以及一层第二形态半导体层。其中锯齿状多层膜是利用自我复制式光子晶体(autocloning photonic c...
发光元件及其制作方法技术
一种发光元件,包含有: 一基板,具有一表面; 至少一管状结构,形成于该表面,且该管状结构的两端各具有一开口,该管状结构以该二端的一端设置于该表面; 至少一发光芯片,该发光芯片设置于该表面并被该管状结构所环绕;以及 至 ...
相变化存储装置及其制造方法制造方法及图纸
一种相变化存储装置,包括:一第一导电电极,设置于一第一介电层内;一第二介电层,设置于该第一介电层的一侧;一相变化材料层,埋设于该第二介电层内,该相变化材料层与该第一导电电极电连接;一空室,设置于该第二介电层内,介于该第二介电层与该相变化...
光源装置制造方法及图纸
本发明公开了一种光源装置,该光源装置于一基板上形成多个承载面,且其中至少一承载面相对于该基板形成一倾角,并于各该承载面分别接置并电性连接有发光二极管,通过电性连接于对应承载面的各该发光二极管,达到预定的配光目的,从而克服现有技术需外加控...
具应力缓冲的微连凸块结构及制造方法技术
本发明为一种具应力缓冲的微连凸块结构及其制造方法,该具应力缓冲的微连凸块结构包括有:一第一顶面,该第一顶面与基板及电子组件其中之一连接;一第二顶面,该第二顶面与基板及电子组件其中之一连接;一支撑体,连接于第一顶面与第二顶面之间,且该支撑...
微芯片矩阵式光源模块制造技术
一种光源模块,其包含: 基板; 至少二发光二极管,形成于该基板的第一表面上,其中各个所述发光二极管包括楔形侧面部分;以及 光折射材料,至少部分覆盖该楔形侧面部分。
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