一种具有空心结构的金属纳米粒子的制造方法，主要是先于第一金属的水溶液中，加入适当的还原剂，用以将第一金属离子还原为第一金属纳米粒子，待还原剂分解后再加入还原电位较第一金属高的第二金属离子水溶液，因电化学氧化还原反应，第二金属还原时将第一...

一种极板导电结构，包含由一或多种第一导电材所形成能提供电子传导机能之类管束型三维电子信道结构；由一或多种第二导电材所形成能提供活性物质吸附与承载支撑类管束型三维电子信道结构的导电连贯型三维结构；以及由第一导电材与第二导电材所组成能提供电...

一种燃料电池装置，包括膜电极组、阴极多孔集电层、阳极多孔集电层及阴极吸水层。膜电极组具有质子传导膜、阴极电极及阳极电极，质子传导膜设置于阴极电极与阳极电极之间。阴极多孔集电层设置于阴极电极之上。阳极多孔集电层设置于阳极电极之上，并且相对...

本发明的燃料电池系统，包括：电池单元，包括阳极集电层、阴极集电层、夹置于上述阳极集电层与该阴极集电层间的薄膜电极组、围绕上述薄膜电极组、阳极集电层与阴极集电层的框架、设置于该薄膜电极组与该框架下方的亲水阻气层、设置于该亲水阻气层下方的疏...

一种平面型燃料电池组，其包括薄膜电极组、阴极多孔集电层、阳极多孔集电层以及阻气材料层。其中，薄膜电极组具有质子交换膜、阳极催化剂层、阴极催化剂层、阳极气体扩散层以及阴极气体扩散层，其中阳极催化剂层与阴极催化剂层分别配置于质子交换膜的两侧...

本发明涉及一种监控再生光致抗蚀剂（光阻）的方法、一种光致抗蚀剂再生工艺及一种光致抗蚀剂再生系统。在本发明中，废光致抗蚀剂是藉由减压浓缩或添加光致抗蚀剂稀释剂来调整其固形物含量及粘度，并使该废光致抗蚀剂通过过滤装置去除粒状物，以获得可供利...

一种高精度印刷制作有机薄膜晶体管的方法，主要包括有下列步骤：形成栅极（Ｇａｔｅ）于一基板上，形成一绝缘层（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　　ｌａｙｅｒ）于该基板上，形成一导线电极膜于该绝缘层上，形成一有机中间层，形成一有机半导体层于该有机中间层上，...

一种磁致电阻晶体管，是以磁致电阻组件作为发射极，并利用无源组件作为集电极，基极连接在发射极与集电极之间，以电性导通于发射极与集电极。磁致电阻组件中的磁性多层膜经过外加磁场的控制，可产生平行态及反平行态两种磁化方向，进而可在固定电压之下产...

本发明公开了一种塑料基板有机薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：提供一母模及一塑料基板，其中该母模具有一凸版结构；该母模对该塑料基板进行压出成形，其在该塑料基板上定义源／漏极位置；形成一第一电极层，其在该塑料基板的源／漏极位置形成源／漏...

本发明涉及一种具多重保护层的有机半导体元件，其特点在于，包括有：有机薄膜晶体管；第一保护层，形成于该有机薄膜晶体管上；及第二保护层，通过图案化过程形成于该第一保护层上，且该第二保护层的厚度足以作为间隙材料。本发明通过图案化的方式将第二保...

一种用于微纳米转印的均压装置，该装置至少包括：与均压件相邻的保持件、直接接触该基板或该模具的均压件以及提供承载进行转印成形的承载单元；本发明的均压装置可解决现有技术中施压不均、纳米结构局部扭转变形、产量受限、应力集中以及制造与组装困难等...

本发明公开一种交流发光装置及其制法，该交流发光装置包括：基材；交流微晶粒发光模块，形成于该基材上，至少具有两个微晶粒，且每个微晶粒均至少具有两层的主动层；以及导电结构，电性连接各微晶粒，使各微晶粒的各主动层可依交流电正负半波轮流发光。本...

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，可应用在逆交错型和交错型的薄膜晶体管结构。制作逆交错型薄膜晶体管的方法包括在基板上，形成栅极电极、栅极绝缘层、有源通道、漏极电极和源极电极。此方法强调使用金属氧化物或Ⅱ－Ⅵ化合物半导体和低温化学浸浴沉...

一种驱动有机发光二极管的薄膜晶体管，其包含基板、第一多晶硅岛、绝缘层、栅极金属层、具有滤光功能的介电层，以及导体层：该第一多晶硅岛形成在该基板之上；该绝缘层形成在该基板之上且覆盖该第一多晶硅岛；该栅极金属层形成在该绝缘层上；该具有滤光功...

本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板，并在该基板上形成一非晶硅薄膜，然后感应数个涡电流，进而加热该基板，最后使该非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。

一种垂直式半自发光半反射式显示器的像素结构及其制造方法，其包括基板、位于基板上的自发光像素单元以及位于自发光像素单元的反射像素单元。通过这种垂直式结构，可以增加显示器的开口率，并且降低耗电量。

一种发光装置是在连接电源后，输出光源；该发光装置至少包括：发光体，具有至少二个用于连接电源的电极，在该电极连接电源后使该发光体提供光源，其中，该电极与该发光体提供光源的出光面位于同侧；以及承载体，用于接置该发光体，它具有容置该发光体的凹...

一种存储单元，此存储单元适于设置于基板上，且此存储单元包括岛状多晶硅层、第一介电层、阻陷层、第二介电层以及控制栅极。其中，岛状多晶硅层设置于基板上，且岛状多晶硅包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于源极掺杂区与漏极掺杂区之间的通道区。第一介...

一种芯片结构，包括芯片、保护层、弹性层以及金属层，而凸块还可设置于金属层上，用以电连接芯片的焊垫。保护层与弹性层覆盖于芯片的主动表面，且保护层与弹性层分别具有开口，用以显露焊垫的上表面。其中，弹性层可增加凸块热压接合于基板的接点的电特性...

本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上...