【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及一种中封胶的制程方法。
技术介绍
请参考图1A，是显示一以传统覆晶(Flip Chip)封装技术制造的半导体装置。其中基板(substrate)100a包含复数个封装单元112a，可封装复数个半导体装置。如图1A所示，所谓覆晶封装是将半导体芯片10a以一主动表面朝下的方式与基板进行接合的技术。当基板100a为有机基板(organic substrate)的情况下，由于有机基板的热膨胀系数(CTE；coefficient of thermal expansion)约为14-17ppm/℃)与半导体芯片10a例如为硅芯片的CTE(约为4ppm/℃)差距过大，在热胀冷缩之际，CTE不匹配所引发的应力很容易导致导电凸块12a所形成的接点损坏。因此，为了可靠性的考量，通常需要在基板100a与半导体芯片10a的间隙内填入底胶(underfill)120a，以将应力分散至胶体，藉以降低导电凸块12a所受到的应力，如此便可减少接点破裂(crack)，抑制破裂的延伸，而延长接点的疲劳寿命。此外，底胶120a是绝缘物质，也可防止接点间有杂质造成漏电流的...
【技术保护点】
一种半导体装置封装方法，适用于一封胶制程，其特征在于包括下列步骤： 提供一基板，其具有复数个半导体装置，且这些半导体装置分别包含一半导体芯片分别电性连接在该基板一表面上的一预定封胶区内； 在低于一大气压的第一气压下，以模板印刷法（ｓｔｅｎｃｉｌ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）将一过量的封胶材料扫过该基板上的该预定封胶区内，使部份该封装材料填充在该基板上的该预定封胶区内； 在大于该第一气压的第二气压下，以模板印刷法将未填充在该基板上的该封胶材料，扫过已填充在该基板上的该封胶材料上；以及 在大于一大气压的第三气压下，硬化该封胶材料。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置封装方法，适用于一封胶制程，其特征在于包括下列步骤提供一基板，其具有复数个半导体装置，且这些半导体装置分别包含一半导体芯片分别电性连接在该基板一表面上的一预定封胶区内；在低于一大气压的第一气压下，以模板印刷法(stencil printing)将一过量的封胶材料扫过该基板上的该预定封胶区内，使部份该封装材料填充在该基板上的该预定封胶区内；在大于该第一气压的第二气压下，以模板印刷法将未填充在该基板上的该封胶材料，扫过已填充在该基板上的该封胶材料上；以及在大于一大气压的第三气压下，硬化该封胶材料。2.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中这些半导体芯片与该基板电性连接的方式是以覆晶方式与该基板电性连接，且各该半导体芯片与该基板之间分别具有一空隙，并在各该空隙中具有复数个以一间隔排列的导电凸块电性连接各该半导体芯片与该基板。3.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中已填充在该基板上的该封胶材料是完全覆盖这些半导体芯片。4.如权利要求2所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中该封胶材料更填充在各该芯片与该基板的空隙和该些导电凸块之间的间隔。5.如权利要求2所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中已填充在该基板上的该封胶材料的厚度，不小于该空隙高度与该半导体芯片厚度之和。6.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中该第一气压为0.1torr～10torr。7.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中该第三气压为不大于30kgf/cm2。8.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中该第三气压为3kgf/cm2～15kgf/cm2。9.如权利要求1所述的半导体装置封装方法，其特征在于其中提供该第三气压的气体是择自干燥空气(dry air)、氮气(N2)、或惰性气体(inert gases)。10.一种半导体装置封装方法，其特征在于包括下列步骤提供一基板与复数个半导体芯片，其中该基板的一表面上具有一预定封胶区，该预定封胶区包含复数个封装单元；...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯琪，李巡天，黄淑祯，李宗铭，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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