财团法人工业技术研究院专利技术

财团法人工业技术研究院共有7884项专利

  • 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的多重保护层的制造方法及装置,该方法包括以旋涂、喷墨印刷法、网印或微接触制作多重保护层,以形成一保护层于有机电晶极体上。此保护层的组成为水相溶剂薄膜或是油相溶剂薄膜及两者混合的结合物。多重保护层的制造装置,包...
  • 一种多针顶出装置包含两组伺服驱动装置,一组用于顶针座驱动装置,另一组用于顶推顶针的驱动装置。该顶针座驱动装置驱动该顶针座的升降,除便于搭配的晶片工作平台运动外,亦确保晶粒取出时,胶膜与本装置接合处能紧密贴着;该驱动装置驱动顶针升降,造成...
  • 一种上发光型有机发光二极管像素的制造方法和结构,其制造方法步骤包括:在基板上限定出至少两个多晶硅岛并限定出掺杂植入区域;依次淀积栅极绝缘层和栅极金属层,并限定出栅极;进行离子植入,形成掺杂区域;淀积层间介电层,并挖开接触孔;淀积源极/漏...
  • 本发明涉及一种具有交流回路发光二极管晶粒结构,利用至少一组的交流微晶粒发光二极管形成于芯片(chip)上,交流微晶粒发光二极管利用晶粒制造工艺制作出两个微小的发光二极管反向正负并联,而可施加交流电,使两发光二极管依正负半波驱动点亮,由于...
  • 一种平坦多晶硅薄膜晶体管制作方法,先在基板上依序形成缓冲层、保护层以及多晶硅层,并图案化多晶硅层,以定义出硅岛主动区域。然后,植入离子于部分多晶硅层,使形成源/汲极区于多晶硅层中。接着,以稀释缓冲氧化硅蚀刻液微蚀刻处理多晶硅层,以改变多...
  • 本发明涉及一种制作电子装置的方法,包括以下步骤:提供一基板;在该基板上形成一第一长条;将一绝缘层材料涂布于该第一长条及该基板上,并完全覆盖该第一长条及该基板;在该绝缘层材料上形成一第二长条;将一导电高分子材料形成于该绝缘层材料上,并完全...
  • 一种自旋晶体管,是利用单一势垒结构,来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率,其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻,集电极为被动组件,用以提供单一势垒,基极是间隔于发射极与集电极之间,...
  • 一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构,包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层;其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上,介电材料层位于有机材料层之上,金属层位于介电材料层之上;这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构,可...
  • 本发明涉及一种元件的封装接合结构,包含有:第一基板,其表面具有多个金属垫及第一接合金属层;及第二基板,其表面具有多个电极及第二接合金属层,该第二接合金属层接着固定于该第一接合金属层,使该第一基板接合于第二基板,该金属垫电性导通于该电极。...
  • 一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法,是先在基板上形成非晶硅层,然后形成一热滞留层于非晶硅层之上,其中,借由对热滞留层的厚度控制,使热滞留层具有一抗反射厚度,以降低非晶硅的全熔临界能量。最后,进行激光加热结晶工序,使非晶硅层结晶为多晶...
  • 本发明涉及一种塑料基板上的阻热结构,其特点在于,包括有:一塑料基板;一多孔隙层,形成于该塑料基板上,该多孔隙层具有多个中空结构氧化物;以及一缓冲层,该缓冲层形成于该多孔隙层之上;其中,该多孔隙层可以提供保护以避免制作过程中所产生的热能损...
  • 一种超声波震荡接合装置,包括:一震荡构件,其二端至少设一震荡产生器,来驱动该震荡构件,使震荡构件的一个震荡部产生轴线方向的高频震动;及一摩擦片,设于该震荡部的一侧面,其具有一个接触部,可与一待封装晶片接触,来对该晶片施加压力,并带动晶片...
  • 本发明公开了一种超声波喷雾散热/冷却装置,包括盛装工作液体的容器、超声波震荡器、热交换室、可挠性管件构成的液滴分子通道及蒸汽态分子通道;其是以超声波震荡模式使容器内部的工作液体因震荡而形成微小液滴,透过结构设计使容器内外造成压力差异,驱...
  • 本发明公开了一种磨床微倾角调整机构,将主轴头架设于头座上,该头座上方开设有有一横向的V型槽,主轴头相对于V型槽的两侧分别设有由固定螺栓及圆头调整螺栓所组成的固锁单元,通过调整两侧圆头调整螺栓的伸出量,可使主轴头作左、右向倾角的调整,另于...
  • 本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,利用由两层硅基材间夹有绝缘层的绝缘硅作为封装基板,然后,在绝缘硅基板的两层硅基材上分别制作凹槽反射座与可将绝缘硅基板分割出正负电极的隔绝槽,再制作多个金属导线电连接前述两层硅基材,即可将发...
  • 本发明公开了一种具准全方位反射器的发光二极管,于发光二极管芯片的外围涂布有荧光胶,荧光胶上方设置有准全方位反射器,此准全方位反射器是利用光学镀膜方式制作而成的广角度截止滤光片配合全反射特性而成,根据光学镀膜的特性,发光二极管芯片所发射小...
  • 一种保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法,包括:在互补金属氧化物半导体电路中提供双向可控硅整流器;使双向可控硅整流器与互补金属氧化物半导体电路的衬底相隔离;提供一个连接到双向可控硅整流器上的信号焊盘,以便接收静电放电;以及...
  • 本发明公开了一种发光二极管,在氮化铟镓发光二极管的各薄膜中分别添加铝原子,使其发出人眼完全看不见的波长为300-380纳米的紫外光;而此发光二极管可用以搭配不同颜色的荧光粉层或是量子井/量子点结构,使其激发出不同波长(颜色)的光线,以调...
  • 本发明提供一种电子构装方法及利用该方法所形成的构装结构;本发明的电子构装方法包含的步骤为:提供一第一基板;形成一电子元件于该第一基板上;提供一第二基板于该电子元件上,以覆盖该第一基板与该电子元件,而形成一三明治结构;压合该三明治结构,以...
  • 本发明公开了一种量子点/量子井发光二极管,于一基板的一侧制作一发光二极管,并于此基板的另一侧制作一第二发光层与一第三发光层,当施加一适当的顺向偏压于此发光二极管,使其第一发光层发出一第一光线时,即可通过此第一光线激发此第二发光层与第三发...